IV. Обработка экспериментальных данных.

1. Построить зависимость U_HотI_р. Сравнить с теоретической зависимостью.

2. Построить зависимость U_HотB. Сравнить с теоретической зависимостью.

а) Определить тангенс угла наклона линии tg(α), равный коэффициентуbв зависимостиU_H=U₀+bB.

Определить среднеквадратичную погрешность s_tg(α).

б) Найти постоянную Холла и ее среднеквадратичную погрешность s_RH:

в) Найти концентрацию примесей в образце и ее погрешность :

N_пр=p= 1/(e·R_H) дляp-Geи

N_пр=n= -1/(e·R_H) дляn-Ge.

3. Используя данные табл.4 определить сопротивление образца в отсутствии магнитного поля:

R₀=U_обр(0)/I.

4. Определить удельную проводимость образца в отсутствии магнитного поля:

σ₀=ℓ/(R₀S),

где S=d·x=10^-5м², ℓ=0,02 м.

5. Определить холловскую подвижность μ_Hосновных носителей заряда и ее дисперсиюs_μHпри комнатной температуре:

μ_H=R_H·σ₀,

6. По данным табл.3 построить зависимость холловского напряжения U_Hот абсолютной температуры. По наличию смены знакаU_Hопределить тип основных носителей заряда. Найти температуру перекомпенсации.

7. По данным табл.5 рассчитать и построить зависимость логарифма проводимости ln(σ) от обратной температуры 1/T:

σ=1/ρ=(I·x)/(U_обр·d·ℓ),

где I=30 мА,d=10^-3м, ℓ=0,02 м,x=0,01 м.

По наклону графика определить ширину запрещенной зоны E_gобразца:

E_g=2k·tg(β),

где k– постоянная Больцмана.

8. Этот пункт выполняется только в случае образцов n-типа. Рассчитать и построить зависимость холловской подвижности от температуры:

μ_H=R_H·σ

Сравнить с зависимостью μ_H~T^-3/2., соответствующей рассеянию носителей заряда на колебаниях кристаллической решетки.

9. По данным табл.4 рассчитать сопротивление образца в присутствии магнитного поля R_В=U_обр/I. Построить график зависимости относительного изменения сопротивления |(R_B-R₀)/R₀| от B².

α

B², Тл²

По наклону линии найти коэффициент магнитосопротивления: К=tg(α).