Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
81
Добавлен:
02.04.2015
Размер:
236.03 Кб
Скачать

Министерство общего и профессионального образования

Российской Федерации.

Санкт-Петербургский государственный горный институт им. Г.В.Плеханова (технический институт)

Лабораторная работа 19

Определение удельного заряда электрона методом магнетрона.

Выполнил:

Студент группы ЭР-06-1

Афанасьев С.В.

Проверил:

Мезенцев А.П.

Санкт-Петербург

2007

Цель работы: по "сбросовым" характеристикам магнетрона найти удельный заряд электрона.

Законы и соотношения, использованные в методике к работам:

В упрощенном виде магнетрон представляет собой вакуумный диод, состоящий из двух коаксиальных цилиндров, катода радиусом а и анода радиусом b, который помещен во внешнее однородное магнитное поле , направленное вдоль оси цилиндров. Между катодом и анодом приложено напряжение Uа, создающее электрическое поле ( - такие поля называются скрещенными).

Под действием электрического поля электрон движется ускоренно и его скорость определяется величиной анодного напряжения

.

На движущийся заряд в магнитном поле действует сила Лоренца

.

Так как эта сила перпендикулярна скорости, то электрон будет двигаться по криволинейной траектории с переменным радиусом кривизны R.

Рассмотрим влияние магнитного поля на величину тока диода при заданном значении Ua.

В отсутствии магнитного поля (В = 0) электроны от катода к аноду летят по прямым линиям (см. рис. 2), причем все электроны, испускаемые катодом, достигают анода. При малых значениях В кривизна траектории велика (см. кривую 2). Поэтому и в этом случае все электроны достигают анода (анодный ток остается практически постоянным). При определенном значении радиус кривизны траектории (кривая 3) в этом случае электроны движутся по замкнутым траекториям и только часть их достигает анода. При дальнейшем увеличении В (кривая 4) практически все электроны возвращаются к катоду и ток в диоде близок к нулю. Таким образом зависимость тока в диоде от В имеет характер «сбросовой» характеристики (рис. 3).

Рабочая схема:

К1, К2, К3, К4 - ключи

R1, R2, R3 - сопротивления

V – вольтметр

A - амперметр

- гальванический элемент

Входящие данные:

N=900 витков

l = 14 см

а = 0,1 мм

b = 9,6 мм

Расчетные формулы:

Формула вычисления критического значения индукции магнитного поля;

- критическая сила тока в соленоиде

Формула вычисления удельного заряда электрона ;

,

где: Ua - анодное напряжение

Вкр – соответствующее критическое значение индукции магнитного поля

b = 9,6 мм (параметр, связанный с геометрией электродов лампы).

, если

; тогда , то есть

Расчетные формулы погрешности:

Формула вычисления среднеквадратичной ошибки результата:

Таблица для расчетов 1:

Ua , B

Ic, A

Ia, mA

Bкр, Тл

100

0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

5,0

16,5

16,4

16,2

7,4

5,2

4,2

3,4

2,7

2,3

2,0

8,08*10-3

120

0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

5,0

21

20,9

20,3

9,0

6,8

5,6

4,6

3,7

3,1

2,6

8,89*10-3

140

0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

5,0

26,4

26,2

25,8

12,1

8,9

7,6

6,2

5,1

4,3

3,5

9,70*10-3

Пример вычисления:

Тл

1,3*1011

Вспомогательная таблица для расчетов 2 :

8,7*106

10,4*106

12,2*106

31,3*106

65,3*10-6

79*10-6

94,1*10-6

4,3*10-9

6,2*10-9

8,9*10-9

19,4*10-9

xi yi

568,1

821,6

1148

2537,7

7,6*1013

10,8*1013

14,9*1013

33,3*1013


Пример вычисления погрешности:

0,162*1011

Зависимость тока IА в аноде от тока в соленоиде Iс («сбросовая» характеристика) при U=100 В

Зависимость тока IА в аноде от тока в соленоиде Iс («сбросовая» характеристика) при U=120 В

Зависимость тока IА в аноде от тока в соленоиде Iс («сбросовая» характеристика) при U=140 В

Окончательный результат:

(1,00,2)*1011

Вывод: В связи с небольшой погрешностью можно сделать вывод, что магнетрон позволяет достаточно точно найти удельный заряд, по средствам экспериментальных измерений.