Транзисторы Система условных обозначений
Первый элемент – исходный полупроводниковый материал (буква или цифра):
Г или1 - германий;
Кили2- кремний;
Аили3 – арсенид галлия.
Второй элемент – подкласс (буква):
Т– биполярный транзистор;
П – полевой.
Третий элемент– функциональные возможности транзистора по мощности и частоте (цифра):
|
Рассеиваемая мощность
|
Граничная частота | ||
|
Низкая – не более 3 МГц |
Средняя – от 3 до30 МГц |
Высокая – более 30 МГц | |
|
Не более 0,3 Вт |
1 |
2 |
3 |
|
От 0,3 до 1,5 Вт |
4 |
5 |
6 |
|
Более 1,5 Вт |
7 |
8 |
9 |
Четвертый элемент – порядковый номер разработки (число).
Пятый элемент – классификация по параметрам (буква).
Для бескорпусных приборов – через дефис цифра – модификация конструктивного исполнения:
1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки) (рис. П.4);
2 – с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке) (рис. П.29);
3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки) (рис. П.15);
4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке) (рис. П.89);
5– с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов (рис. П.150);
6– с контактными площадками на кристаллодержателе (подложке) и без выводов (рис. П.202).
Габаритные чертежи транзисторов
p-n-p: КТ 214-1; 2Т214-1.
n-p-n: КТ215-1; 2Т215-1.
---------------------------------------------------------------------
p-n-p:КТ 207; КТ210.
n-p-n:КТ348-3; 2Т333-3; КТ336; КТ359; КТ312; КТ379.
---------------------------------------------------------------------
p-n-p:КТ 216; КТ218А9.
p-n-p:2Т 364-2.
-------------------------------------------------------------------------------
p-n-p:2Т 629АМ-2; КТ369-2; КТ388-2;2Т388-2.
-------------------------------------------------------------------------------
p-n-p: двухэмиттерный2Т 118-1.
-------------------------------------------------------------------------------
n-p-n: 2Т 324-1.
Полевой n– канальный сp-n-переходом 2ПС202-2; КПС202-2.
-------------------------------------------------------------------------------
n-p-n: КТ821-1.
-------------------------------------------------------------------------------
n-p-n: 2ТС3111-1.
-------------------------------------------------------------------------------
n-p-n: 2ТС398-1;КТС398-1.
-------------------------------------------------------------------------------
n-p-n+p-n-p:2ТС303-2;КТС3032.
-------------------------------------------------------------------------------
Полевой n– канальный2П305-2.
Корпуса компонентов для поверхностного монтажа.
Корпуса типа SOT(SOD) – Small Outline Transistor (Diode) – "Транзистор (диод) с маленькими выводами".
Несмотря на большое количество стандартов, регламентирующих требования к корпусам электронных компонентов для поверхностного монтажа (SMD), многие фирмы выпускают компоненты в корпусах, не соответствующих международным стандартам.
На современном этапе в корпуса типа SOT помещают не только транзисторы и диоды, но и транзисторы с резисторами, стабилитроны, стабилизаторы напряжения на базе операционного усилителя и многое другое, а количество выводов может быть больше трех. Органы стандартизации не успевают за разработками фирм, и те вынуждены вводить свои новые обозначения.
Наиболее распространенные допуски:
+ 0,05 мм – для корпуса длиной до 1 мм;
+ 0,1 мм – для корпуса длиной до 2 мм;
+ 0,2 мм – для корпуса длиной до 5 мм;
+ 0,5 мм – для корпуса длиной свыше 5 мм;
Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту. Это обусловлено: для конденсаторов – величиной емкости и рабочим напряжением, для резисторов – рассеиваемой мощностью и т.д.