ГУАП

КАФЕДРА №

ОТЧЕТ ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ

ПРЕПОДАВАТЕЛЬ

должность, уч. степень, звание		подпись, дата		инициалы, фамилия

ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

по курсу: Электроника и микропроцессорная техника

РАБОТУ ВЫПОЛНИЛИ

СТУДЕНТЫ ГР.	2231
			подпись, дата		инициалы, фамилия

Санкт-Петербург

1.Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.

2.Паспортные данные исследуемых транзисторов

2.1. КП103

КП103К1 / КП103Л1 - Кремниевые полевые транзисторы с управляющим P-N переходом и каналом P-типа. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты, усилителей постоянного тока и в ключевых схемах.

Условное обозначение транзистора КП103:

Основные характеристики КП103 (+25°C):

Параметр	КП103К1	КП103Л1
Максимальное напряжение сток-исток	10V	12V
Максимальное напряжение затвор-исток	10V
Ток утечки затвора	0,02µA
Начальный ток стока	1,0..5,5mA	1,8..6,6mA
Напряжение отсечки	1..4V	2..6V
Крутизна характеристики	1..3,3mA/V	1,8..3,8mA/V
Максимальная мощность	38mW	66mW
Входная ёмкость	< 20pF
Проходная ёмкость	< 8pF
Коэффициент шума	< 3dB
Максимальная рабочая частота	3MHz
Максимальная температура	+85°С

2.1. КП103

КП301Б - транзисторы КП301Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.

Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,7 г.

Основные характеристики КП301Б (+25°C):

Параметр	КП301Б
Максимальное напряжение сток-исток	20 В
Максимальное напряжение затвор-исток	30 В
Начальный ток стока	< 0,5 мкА
Крутизна характеристики	1... 2,6 мА/В
Максимальная мощность	200 мВт
Входная ёмкость	< 3,5 пФ
Проходная ёмкость	< 1 пФ
Коэффициент шума	< 9,5
Максимальная рабочая частота	100 МГц

3.Схемы измерения характеристик.

3.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

3.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором

4.Результаты измерений.

4.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

UСИ, В	IC, мА
	UЗИ=0 В	UЗИ=0,2 В	UЗИ=0,4 В	UЗИ=0,6 В	UЗИ=0,8 В
0	0,00	0,00	0,00	0,00	0,00
-1	0,82	0,42	0,20	0,05	0,00
-2	0,92	0,46	0,22	0,06	0,00
-3	0,96	0,48	0,24	0,07	0,00
-4	0,99	0,5	0,25	0,08	0,00
-5	1,02	0,53	0,25	0,08	0,00
-6	1,05	0,54	0,27	0,09	0,00
-7	1,06	0,55	0,28	0,10	0,00
-8	1,08	0,57	0,29	0,10	0,00

4.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором

UСИ, В	UЗИ ПОР=2,8 В	UЗИ=3,3 В	UЗИ=3,8 В	UЗИ=4,3 В	UЗИ=4,8 В	UЗИ=5,3 В	UЗИ=5,8 В
0	0,00	0,00	0,00	0,00	0,00	0,00	0,00
-1	0,20	0,40	0,70	1,00	1,15	1,50	1,60
-2	0,25	0,50	0,90	1,35	1,65	2,10	2,40
-3	0,25	0,60	1,00	1,60	2,00	2,50	3,00
-4	0,30	0,60	1,10	1,65	2,15	2,90	3,40
-5	0,30	0,65	1,15	1,70	2,30	3,00	3,60
-6	0,30	0,70	1,20	1,80	2,40	3,20	3,80
-7	0,30	0,70	1,20	1,90	2,45	3,30	3,95
-8	0,30	0,70	1,25	1,90	2,50	3,35	4,00

5. Графики по данным измерений

5.1.Измерение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

5.2. Измерение характеристик полевого транзистора с изолированным затвором

6.Результаты вычислений

6.1.Характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

6.2.Характеристики полевого транзистора с изолированным затвором

6.Выводы:

В результате работы были изучены принцип действия, измерены характеристики и определены основные параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.

2014