- •Вариант 2
- •Вариант 3
- •Вариант 4
- •А) сульфид цинка б) арсенид индия в) арсенид галлия
- •Вариант 5
- •Вариант 6
- •А) арсенид галлия б) оксид цинка в) фосфид индия
- •Вариант 8
- •Вариант 9
- •Вариант 10
- •Вариант 11
- •Вариант 12
- •А) сульфид цинка б) арсенид индия в) арсенид галлия
- •Вариант 13
- •Вариант 14
- •Вариант 15
- •Вариант 16
- •Вариант 17
- •Вариант 18
- •Вариант 19
- •А) арсенид галлия б) оксид цинка в) фосфид индия
- •Вариант 20
- •Вариант 21
- •Вариант 22
- •А) сульфид цинка б) арсенид индия в) арсенид галлия
- •Вариант 23
- •А) арсенид галлия б) оксид цинка в) фосфид индия
- •Вариант 24
- •Вариант 25
Вариант 12
От чего зависит «степень переохлаждения» расплава?
а) от температуры начала кристаллизации б) от температуры окончания кристаллизации
в) от температуры плавления г) от температурного интервала кристаллизации
д) от скорости охлаждения
Структура каких материалов характеризуется ближним порядком?
а) стекла б) металлы с ОЦК решеткой в) металлы с ГЦК решеткой
г) металлы с ГПУ решеткой д) металлы и сплавы
Чему равно координационное число гексагональной плотноупакованной структуры?
а) 6 б) 8 в) 10 г) 12 д) 14
Условия образования твердого раствора замещения?
а) атомные радиусы компонентов отличается не больше чем на 15%
б) наличие полиморфных превращений у двух компонентов
в) компоненты имеют один тип кристаллической решетки
г) наличие полиморфных превращений у одного компонента
д) высокая температура плавления
Какими магнитными свойствами обладают сверхпроводники?
а) ферромагнетики б) парамагнетики в) диамагнетики
г) магнитодиэлектрики д) магнитопласты
Какие из перечисленных соединений относятся к полупроводниковым бинарным соединениям А//ВY/
А) сульфид цинка б) арсенид индия в) арсенид галлия
г) селенид кадмия д) сульфид кадмия
Как изменяется диэлектрическая проницаемость диэлектриков с дипольно-релаксационной поляризацией при увеличении температуры?
а) уменьшается б) увеличивается в) не изменяется
г) сначала увеличивается, а затем уменьшается д) зависит от материала
Как зависит мощность потерь на вихревые токи в ферромагнетике от удельного электрического сопротивления материала?
а) увеличивается при увеличении электрического сопротивления б) не зависит
в) уменьшается при уменьшении сопротивления г) не изменяется
д) увеличивается при уменьшении электрического сопротивления
От каких характеристик полупроводникового материала зависит быстродействие полупроводниковых приборов?
а) температура точки Кюри б) тип носителей заряда
в) подвижность основных носителей заряда г) плотность дефектов структуры
д) тип кристаллической решетки
К каким материалам по электрическим свойствам относятся ковалентные кристаллы?
а) проводники б) полупроводники в) диэлектрики
г) сверхпроводники д) магнитомягкие материалы
Вариант 13
На какие свойства материалов влияют дефекты кристаллической структуры?
а) температура точки Кюри б) прочность в) температура плавления
г) магнитная проницаемость д) удельное электрическое сопротивление
Как вводится понятие кристаллографического направления?
а) индексами Миллера б) направлением диффузии в) видом деформации
г) направлением деформации д) относительной деформацией
Как изменяется растворимость компонентов сплава при повышении температуры?
а) уменьшается б) не изменяется в) не зависит от температуры
г) увеличивается д) линейно уменьшается
Какие из перечисленных требований предъявляются к материалам для скользящих контактов?
а) высокая диэлектрическая проницаемость б) высокая удельная проводимость
в) износостойкость г) пластичность д) низкое переходное сопротивление
Сколько электронов в атоме могут находиться на одном энергетическом уровне?
а) один б) два в) три г) четыре д) пять
Как изменяется диэлектрическая проницаемость диэлектриков с электронной поляризацией при увеличении температуры?
а) увеличивается б) уменьшается в) не изменяется
г) не зависит д) зависит от материала
Чем вызваны потери в диэлектрике в постоянном электрическом поле?
а) упругими поляризациями б) неупругими поляризациями
в) доменной структурой г) сквозной проводимостью
д) диэлектрической проницаемостью
При какой температуре сегнетоэлектрик переходит в параэлектрическое состояние?
а) при температуре плавления б) при температуре кипения
в) при температуре «солидус» г) при температуре «ликвидус»
д) при температуре точки Кюри
Чем характеризуется намагниченность материала?
а) магнитным гистерезисом б) магнитной проницаемостью
в) коэрцитивной силой г) остаточной магнитной индукцией
д) магнитными потерями
Какие параметры, характеризующие механические свойства материалов определяются при деформации растяжения?
а) предел прочности б) ударная вязкость в) предел текучести
г) пластичность д) твердость
