Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Презентации ФКС / 7. Контактные явления.ppt
•В случае приложения к контакту металл- полупроводник внешнего напряжения
толщина слоя объемного заряда будет определяться соотношением:
|
|
|
|
|
|
|
Z |
2 0 k Vсм |
|||||
|
|
|
|
|
q Nd |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
m |
|
2 q Nd k V |
||
|
||||||
|
|
|
|
|
0 |
|
Прямое и обратное
смещение перехода металл- полупроводник
Расчет ВАХ барьера Шоттки
(4.1) |
(4.2) |
|
(4.3)
(4.4)
(4.5)
Важно подчеркнуть, что внешнее напряжение может только выпрямить границы разрешенных зон .
Другими словами, при приложении больших прямых смещений электроны начнут «убегать» от батареи смещения и все зоны будут наклоняться.
Контакт электронного и дырочного полупроводников
барьера. Контактная разность потенциалов
Контакт электронного и дырочного полупроводников
Образование p-n-перехода
np) нет
Перераспределение носителей, образовавшееся при контакте, и формирование потенциального барьера высотой q kприводит к тому, что диффузионный поток основных носителей ( nn и p p ) прекращается.
Энергетический барьер существует именно для основных носителей, потенциального барьера для неосновных носителей ( pn и