Электронный учебно- методический комплекс
Физика
конденсированного
состояния
Презентации к лекционному курсу
Контактные явления
МОСКВА |
2012 |
НИУ «МЭИ» |
Барьер на границе металла с
полупроводником (барьер Шоттки)
Eвак Ec
Eвак F
Работа выхода равна разности между энергией покоящегося электрона в вакууме у поверхности образца полупроводника и уровнем Ферми в данном полупроводнике.
Контакт металл-
q Φ полупроводникΦ
k ме п/п
Контакт металл-
q полупроводник
k М П
Контакт металл-собственный полупроводник
Контакт металл- электронный полупроводник
Z |
2 0 k |
|
q Nd |
||
|
Контакт металл-дырочный полупроводник
Дебаевская длина экранирования
•Количественной характеристикой эффекта поля, характеризующей глубину проникновения поля в полупроводник, является дебаевская длина экранирования.
•Рассмотрим случай, когда полупроводник внесен во внешнее слабое поле.
kT
k Т q
Дебаевская длина экранирования
•Воспользуемся для нахождения распределения электростатического потенциала в ОПЗ уравнением Пуассона, при этом будем считать, что ось z направлена перпендикулярно
поверхности полупроводника:
d 2 |
|
z |
dz2 |
0 S |
– плотность заряда в ОПЗ, S – относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника