
- •Список исполнителей
- •Введение
- •1 Обоснование путей создания технологий формирования элементов свч на основе жидкокристаллического полимера lcp
- •2 Исследование возможностей реализации свч устройств на основе жидкокристаллического полимера lcp
- •2.1.1.2 Щелевая и связанные линии передачи
- •2.1.1.3 Компланарные линии передачи
- •2.2.2 Свч элементы с сосредоточенными параметрами
- •2.3 Свч устройства на основе сосредоточенных элементов
- •2.3.1 Фильтры нижних частот
- •2.3.2 Полосовые фильтры
- •2.4 Свч фильтры на основе распределенных элементов
- •3.5 Направленные ответвители на основе распределенных элементов
- •2.6 Фазовращатели свч диапазона
- •3 Выбор материалов плат для реализации свч устройств на основе жидкокристаллического полимера lcp
- •4 Исследование методов изготовления плат свч устройств на основе жидкокристаллического полимера lcp
- •4.1.2 Химическая очистка
- •4.2 Нанесение фоторезиста
- •4.2.1 Нанесение покрытия методом накатывания
- •4.2.2 Покрытие методом полива
- •4.3 Экспонирование
- •4.4 Проявление травление и удаление фоторезиста
- •4.5 Активация адгезии
- •4.7.1.1 Протравливание
- •4.7.2 Прямая металлизация
- •5 Экспериментальные результаты
- •Заключение
- •Список использованных источников
2.1.1.2 Щелевая и связанные линии передачи
Обеспечить более высокое волновое сопротивление позволяет щелевая линия (рисунок 2.4). Волновое сопротивление такой линии зависит от ширины щели и определяется соотношениями (2.3, 2.4) [3, 24]:
|
Рисунок 2.4 - Щелевая линия |
(2.3)
(2.4)
Предварительные расчеты показали, что щелевые линии с высоким волновым сопротивлением вполне реализуемы на диэлектрических подложках из жидкокристаллических полимеров.
При создании ряда СВЧ устройств, таких, как фильтры, направленные ответвители, линии задержки, элементы согласования и т.д. широкое применение находят связанные полосковые и микрополосковые линии (рисунок 2.5 а и б соответственно). Свойства таких линий определяются значениями собственных и взаимных емкостей и индуктивностей.
|
|
а |
б |
Рисунок 2.5 - Связанные полосковые (а) и микрополосковые (б) линии |
Расчеты, проведенные на основе выражений (2.5), показали, что связанные линии также могут быть реализованы при использовании жидкокристаллических полимеров.
,
(2.5)
Где
,
,
,
.
2.1.1.3 Компланарные линии передачи
Наряду с рассмотренными выше линиями передачи, в технике СВЧ находят применение и компланарные линии передачи, использование которых в ряде случаев позволяет повысить гибкость конструирования и упростить реализацию некоторых устройств. На рисунке 2.6 а и б соответственно изображен компланарный волновод и компланарная полосковая линия.
|
|
а |
б |
Рисунок 2.6 - компланарный волновод (а) и компланарная полосковая линия (б) |
Волновые сопротивления компланарного волновода и полосковой линии описываются выражениями (2.6) и (2.7) соответственно [3, 24].
,
(2.6)
.
(2.7)
Здесь К
– полный эллиптический интеграл первого
рода, а К/
– дополнительная функция, определяемая
уравнением:
,
,
.
Для получения более простого соотношения, позволяющего определить волновое сопротивление рассматриваемых линий при расчетах часто используют следующую аппроксимацию для соотношения К/ К/:
Использование приведенных выше соотношений и известных в настоящее время электрических и конструктивных параметров жидкокристаллических полимеров, показывает возможность практической реализации компланарных линий на их основе.
2.2 СВЧ элементы
2.2.1 СВЧ элементы с распределенными параметрами
Использование отрезков рассмотренных в предыдущих разделах линий передач позволяет создавать основные элементы СВЧ устройств, такие как емкости, индуктивности и резонаторы для реализации более сложных функциональных устройств, например, фильтры, направленные ответвители, кольцевые мосты, сумматоры, и т.д.
Такие элементы СВЧ устройств могут быть как с квазисосредоточенными, так и распределенными параметрами [11, 27]. К элементам с квазисосредоточенными параметрами принято относить элементы, геометрические размеры которых не превышают 1/8 длины волны, а к элементам с распределенными параметрами – полуволновые или четвертьволновые отрезки линий передач.
При расчете и проектировании этих элементов по LCР технологии могут быть использованы результаты, полученные для хорошо известной планарной технологии. Так последовательная (незаземленная) емкость образуется зазором в линии передачи, который может быть любой формы: прямолинейным, пилообразным, в виде меандра и т.д. Один из вариантов такого конденсатора показан на рисунке 2.7 а. Параллельная же емкость выполняется в виде короткого отрезка линии с низким волновым сопротивлением (рисунок 2.7 б).
|
|
а |
б |
Рисунок 2.7 – Последовательная (а) и параллельная (б) емкости |
Необходимо отметить, что при использовании традиционной планарной технологии не всегда оказывается практически удобным реализация ряда элементов схем, например, заземленной (последовательной индуктивности). Если последовательная индуктивность может быть достаточно просто выполнена в виде короткого отрезка линии с высоким волновым сопротивлением как это показано на рисунке 2.8 а, то необходимость введения короткозамыкателя для параллельной индуктивности (рисунок 2.8 б) является в ряде случаев затруднительным. Использование многослойных структур на основе жидкокристаллических полимеров позволяет при помощи межслойных соединений устранить этот недостаток [24, 25].
|
|
а |
б |
Рисунок 2.8 – Последовательная (а) и параллельная (б) индуктивности |
Аналогичные преимущества многослойных структур на основе жидкокристаллических полимеров проявляются и при практической реализации таких распространенных элементов СВЧ - устройств, как резонаторы на квазисосредоточенных элементах, представляющие собой последовательные и параллельные резонансные контуры, образованные сочетанием емкостей и индуктивностей (рисунок 2.9).
|
|
а |
б |
Рисунок 2.9 – Последовательный (а) и параллельный (б) резонансные контуры |
На более высоких частотах, когда геометрические размеры квазисосредоточенных элементов становятся сопоставимыми с длиной волны, в них начинает проявляться распределенный характер, что приводит к и возникновению побочных полос [24, 25]. Кроме того, уменьшение геометрических размеров элементов с ростом частоты ведет трудностям их физической реализации и росту в них диссипативных потерь [24, 25]. Поэтому в верхней части СВЧ - диапазона широкое применение находят распределенные элементы, обладающие большей добротностью и имеющие в данном диапазоне частот небольшие размеры.
В качестве таких элементов достаточно часто используются полуволновые или четвертьволновые резонаторы, выполненные на отрезках линий передачи. В настоящее время известно достаточно большое число подобных резонаторов [6], некоторые из которых приведены на рисунке 2.10.
|
|
|
|
а |
б |
в |
г |
Рисунок 2.10 - Полуволновые или четвертьволновые резонаторы на отрезках линий передачи |