Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

ФТЭ / Задачи

.doc
Скачиваний:
21
Добавлен:
29.03.2015
Размер:
3.53 Mб
Скачать

282

Магнитная восприимчивость при температуре , определить магнитную восприимчивость, если температуру увеличили на 80 .

283

Определить магнитную восприимчивость, если известно, что константа Кюри и температура .

284

Магнитная восприимчивость при температуре , определить насколько, измениться температура, если магнитная восприимчивость .

285

Магнитная восприимчивость при температуре , определить насколько, измениться температура, если магнитная восприимчивость .

286

Определить магнитный момент атома, если количество движения и полный спиновый момент атома равен нулю, полный орбитальный момент равен моменту атома в целом.

287

Определить магнитный момент атома, если количество движения и полный орбитальный момент атома равен нулю, полный спиновый момент равен моменту атома в целом.

288

Определить массу ферромагнетика, если , а магнитомеханическое отношение , магнитный момент атома .

289

Определить массу ферромагнетика, если , а магнитомеханическое отношение , магнитный момент атома .

290

Определить магнитный момент атома, если количество движения и полный орбитальный момент атома равен нулю, полный спиновый момент равен моменту атома в целом.

291

Определить магнитный момент атома, если количество движения и полный спиновый момент атома равен нулю, полный орбитальный момент равен моменту атома в целом.

292

Определить массу ферромагнетика, если , а магнитомеханическое отношение , магнитный момент атома .

293

Определить магнитный момент атома, если количество движения и полный орбитальный момент атома равен нулю, полный спиновый момент равен моменту атома в целом.

294

Определить магнитный момент атома, если количество движения и магнитомеханическое отношение равно .

295

Определить количество движения , если магнитный момент атома и магнитомеханическое отношение равно .

296

Сильным электрическим полем воздействуют на дисперсную систему (например, растительное масло), при этом время истечения при наложении электрического поля сек. Определить изменение вязкости. Если динамическая вязкость до наложения электрического поля и время истечения без электрического поля .

297

Динамическая вязкость дисперсной системы (например, керосина) до наложения электрического поля , а время истечения без электрического поля . Сильным электрическим полем воздействуют на данную дисперсную систему, при этом воздействии вязкость изменилась на . Определить время истечения при наложении электрического поля .

298

Сильным электрическим полем воздействуют на дисперсную систему (например, растительное масло), при этом вязкость изменяется на . Определить вязкость до наложения электрического поля. Если время истечения без электрического поля , а время истечения при наложении электрического поля .

299

Сильным электрическим полем воздействуют на дисперсную систему (например, касторовое масло), при этом время истечения при наложении электрического поля сек. Определить изменение вязкости. Если динамическая вязкость до наложения электрического поля и время истечения без электрического поля .

300

Динамическая вязкость дисперсной системы (например, керосина) до наложения электрического поля , а время истечения без электрического поля . Сильным электрическим полем воздействуют на данную дисперсную систему, при этом воздействии вязкость изменилась на . Определить время истечения при наложении электрического поля .

301

Сильным электрическим полем воздействуют на дисперсную систему (например, растительное масло), при этом вязкость изменяется на . Определить вязкость до наложения электрического поля. Если время истечения без электрического поля , а время истечения при наложении электрического поля .

302

Сильным электрическим полем воздействуют на дисперсную систему (например, касторовое масло), при этом время истечения при наложении электрического поля сек. Определить изменение вязкости. Если динамическая вязкость до наложения электрического поля и время истечения без электрического поля .

303

Динамическая вязкость дисперсной системы (например, керосина) до наложения электрического поля , а время истечения без электрического поля . Сильным электрическим полем воздействуют на данную дисперсную систему, при этом воздействии вязкость изменилась на . Определить время истечения при наложении электрического поля .

304

Сильным электрическим полем воздействуют на дисперсную систему (например, растительное масло), при этом вязкость изменяется на . Определить вязкость до наложения электрического поля. Если время истечения без электрического поля , а время истечения при наложении электрического поля .

305

Сильным электрическим полем воздействуют на дисперсную систему (например, растительное масло), при этом время истечения при наложении электрического поля сек. Определить изменение вязкости. Если динамическая вязкость до наложения электрического поля и время истечения без электрического поля .

306

Оценить плотность тока термоэлектронной эмиссии системы при 800 К, если значения ричардсоновских постоянных известных и равны: .

307

Определить значения ричардсоновских постоянных , если известно, что эффективная работа выхода электронов при , температурный коэффициент работы выхода .

Во сколько раз увеличится ток насыщения вакуумного термоэлектронного диода, если катод, с работой выхода заменить на катод с работой выхода , а температуру уменьшить с 3100 К до 1400 К?

309

Оценить плотность тока термоэлектронной эмиссии системы при 650 К, если значения ричардсоновских постоянных известных и равны: .

310

Определить значения ричардсоновской постоянной и плотность тока термоэлектронной эмиссии, если известно, что эффективная работа выхода электронов при . Температурный коэффициент работы выхода .

311

Оценить плотность тока термоэлектронной эмиссии системы при 1000 К, если значения ричардсоновских постоянных известных и равны: .

312

Во сколько раз увеличится ток насыщения вакуумного термоэлектронного диода, если катод, с работой выхода заменить на катод с работой выхода , а температуру уменьшить с 3100 К до 1400 К?

313

Определить значения ричардсоновской постоянной , если известно, что эффективная работа выхода электронов при , температурный коэффициент работы выхода .

314

Оценить плотность тока термоэлектронной эмиссии системы при 900 К, если значения ричардсоновских постоянных равны: .

315

Во сколько раз увеличится ток насыщения вакуумного термоэлектронного диода, если катод, с работой выхода заменить на катод с работой выхода , а температуру уменьшить с 4000 К до 2000 К?

316

В металлической пластине, помещенной в магнитное поле, j, между ее гранями, параллельными направлениям тока и магнитного поля, возникает разность потенциалов, равная Определить силу тока I, если известны индукция магнитного поля и толщина пластины

317

В металлической пластинке с током плотностью j, помещенном в магнитное поле H, появляется электрическое поле, перпендикулярное j и H. Определить ЭДС Холла, если известно, что , и толщина пластинки 2 мм.

318

Определить напряженность электрического поля Холла в металлической пластинке, если известно, что ширина этой пластинки 1,8 мм и напряжение Холла 2 мВ.

319

Металлическая пластинка толщиной 0,1 см помещена в магнитное поле с индукцией В=0,1 Тл. По образцу протекает ток I = 1 мА. Определить напряжение Холла.

320

Пластинка полупроводника толщиной в 1 мм помещена в магнитное поле перпендикулярно вектору индукции, равному 0,6 Тл. Вдоль образца протекает ток в при этом ЭДС Холла равна Определить коэффициент Холла.

321

Металлическая пластинка толщиной 5 мм помещена в магнитное поле с индукцией В=0,92 Тл. По образцу протекает ток I = 0,9 мА. Определить ЭДС Холла.

322

Определить значение тока I в металлической пластинке толщиной 4 мм, помещенной в магнитное поле с индукцией В= 2,1 Тл. ЭДС Холла в пластинке 200 мВ. Коэффициент Холла для металлов считать .

323

Металлическая пластинка помещена в магнитное поле с индукцией В = 2 Тл. По образцу протекает ток I = 2,3 мА. Определить ЭДС Холла, если известно, что толщина пластинки 7 мм.

324

В металлической пластинке с током плотностью j, помещенном в магнитное поле H, появляется электрическое поле, перпендикулярное j и H. Определить ЭДС Холла, если известно, что , и толщина пластинки 1 см.

325

Металлическая пластинка толщиной 0,85 см помещена в магнитное поле с индукцией В=1,14 Тл. По образцу протекает ток I = 3 мА. Определить напряжение Холла.

326

В твердом проводнике с током I под действием магнитного поля Н, перпендикулярного I, возникает разность температур Т. Найти эту разность, если известно, что сила тока равна 2 А, а напряженность магнитного поля Коэффициент Эттинсгаузена считать равным

327

Проводник с током поместили в магнитное поле, и под его действием возник градиент Напряженность магнитного поля равна 7, коэффициент Эттинсгаузена равен Найти силу тока.

328

Проводник с током, равным 3 А поместили в магнитное поле, и под его действием возник градиент Найти напряженность магнитного поля. Коэффициент Эттинсгаузена считать равным

329

Проводник с током поместили в магнитное поле, и под его действием возник градиент Т. Определить Т, если известно, что . Коэффициент Эттинсгаузена считать равным

330

В магнитное поле с магнитной индукцией B = 10 Тл поместили твердый проводник с током, вследствие чего возник градиент Т, равный 800 К. Определить значение тока.

Коэффициент Эттинсгаузена равен

331

В твердом проводнике с током I под действием магнитного поля Н, перпендикулярного I, возникает разность температур Т, равная 300 К. Определить индукцию магнитного поля, если известно, что сила тока равна 3 А, а коэффициент Эттинсгаузена .

Ответ:

332

В твердом проводнике с током I под действием магнитного поля Н возникает разность температур Т. Определить коэффициент Эттинсгаузена, если известно, что градиент температур 750 К, ток равен 1,1 А, а напряженность магнитного поля .

333

Проводник с током, равным 3,6 А поместили в магнитное поле с B = 12 Тл. Определить разность температур, при .

334

В магнитное поле с магнитной индукцией B = 7 Тл поместили твердый проводник с током, вследствие чего возник градиент Т, равный 550 К. Определить значение тока.

Коэффициент Эттинсгаузена равен

335

В твердом проводнике с током I под действием магнитного поля Н, перпендикулярного I, возникает разность температур Т, равная 1000 К. Определить индукцию магнитного поля, если известно, что сила тока равна 5 А, а коэффициент Эттинсгаузена 6 .

336

При облучении светом полупроводниковой пластины германия длины l под действием квантов света возникает электрическое поле. Определить его напряженность, если известно, что l=10 см, а градиент концентрации равен 1 при температуре в 300 К.

337

При облучении светом полупроводниковой пластины кремния длины l под действием квантов света возникает электрическое поле. Определить его напряженность, если известно, что l=10 см, а градиент концентрации равен 1 при температуре в 300 К.

338

Под действием квантов света на поверхности пластинки германия длиной 15 см образовались избыточные электроны и дырки, и в полупроводнике возникло электрическое поле, равное . Определить температуру. Градиент концентрации считать равным 1.

339

Под действием квантов света на поверхности пластинки кремния длиной 15 см образовались избыточные электроны и дырки, и в полупроводнике возникло электрическое поле, равное . Определить температуру. Градиент концентрации считать равным 1.

340

При облучении светом пластины германия длиной 5 см под действием квантов света возникает электрическое поле. Определить его напряженность при температуре в 500 К. Градиент концентрации считать равным 1.

341

При облучении светом пластины кремния длиной 8 см под действием квантов света возникает электрическое поле. Определить его напряженность при температуре в 800 К. Градиент концентрации считать равным 1.

342

Под действием квантов света на поверхности пластинки германия образовались избыточные электроны и дырки, и в полупроводнике возникло электрическое поле, равное при Т = 400 К. Найти длину пластинки. Градиент концентрации считать равным 1.

343

Под действием квантов света на поверхности пластинки кремния образовались избыточные электроны и дырки, и в полупроводнике возникло электрическое поле, равное при Т = 500 К. Найти длину пластинки. Градиент концентрации считать равным 1.

344

При облучении светом полупроводниковой пластины германия под действием квантов света возникает электрическое поле. Определить напряженность этого поля, если известно, что l = 250 мм, а градиент концентрации равен 1 при температуре в 900 К.

345

При облучении светом полупроводниковой пластины кремния под действием квантов света возникает электрическое поле. Определить напряженность этого поля, если известно, что l = 150 мм, а градиент концентрации равен 1 при температуре в 800 К.

346

Полупроводник поместили в магнитное поле с напряженностью и одновременно осветили. Интенсивность света при этом равна 15. Определить ток короткого замыкания, который появится, если замкнуть два электрода.

347

При помещении полупроводника в магнитное поле его осветили светом с интенсивностью равной 9,1. При замыкании двух электродов на малое сопротивление, возник ток короткого замыкания равный 1,2 А. Определить напряженность магнитного поля.

348

В магнитное поле с магнитной индукцией В = 10 Тл поместили полупроводник и осветили его светом с интенсивностью . Определить ток короткого замыкания, который возникнет при замыкании двух электродов.

349

Полупроводник поместили в магнитное поле и осветили. Интенсивность света при этом равна 20. Определить магнитную индукцию поля, если известно, что при замыкании электродов возник ток короткого замыкания, равный 1,9 А.

350

При помещении полупроводника в магнитное поле его осветили. При замыкании двух электродов на малое сопротивление, возник ток короткого замыкания 1,2 А. Напряженность магнитного поля . Найти интенсивность света.

351

Полупроводник поместили в магнитное поле с напряженностью и одновременно осветили. Интенсивность света при этом равна 25. Определить ток короткого замыкания, который появится, если замкнуть два электрода.

352

При помещении полупроводника в магнитное поле его осветили светом с интенсивностью равной 5. При замыкании двух электродов на малое сопротивление, возник ток короткого замыкания равный 3 А. Определить напряженность магнитного поля.

353

В магнитное поле с магнитной индукцией В = 9 Тл поместили полупроводник и осветили его светом с интенсивностью . Определить ток короткого замыкания, который возникнет при замыкании двух электродов.

354

Полупроводник поместили в магнитное поле и осветили. Интенсивность света при этом равна 17. Определить магнитную индукцию поля, если известно, что при замыкании электродов возник ток короткого замыкания, равный 2,9 А.

355

При помещении полупроводника в магнитное поле его осветили. При замыкании двух электродов на малое сопротивление, возник ток короткого замыкания А. Напряженность магнитного поля . Найти интенсивность света.

356

Какое минимальное изменение температуры можно провести с помощью железо-константановой термопары, если сопротивление гальванометра равно Rg=20 Ом, его чувствительность , а чувствительность и сопротивление термопары равны α=50 мкВ/К и Rt=5 Ом соответственно.

357

Какое минимальное изменение температуры можно провести с помощью железо-константановой термопары, если сопротивление гальванометра равно Rg=15 Ом, его чувствительность , а чувствительность и сопротивление термопары равны α=64 мкВ/К и Rt=4 Ом соответственно.

358

Какое минимальное изменение температуры можно провести с помощью железо-константановой термопары, если сопротивление гальванометра равно Rg=32 Ом, его чувствительность , а чувствительность и сопротивление термопары равны α=54 мкВ/К и Rt=5 Ом соответственно.

Соседние файлы в папке ФТЭ