Руководства к лабам и др физика / Методички_Общая физика / Электромагнетизм
.pdf
91
MCD = FA a2 sin α = IBb a2 sin α, M AE = FA a2 sin α = IBb a2 sin α .
Суммарный вращательный момент, действующий на рамку:
M = M CD + M AE = IBba sin α .
Площадь рамки S = ab, тогда:
M = IBS sin α |
(3.8) |
Введем характеристикуG рамки с током, называемую магнитным моментом рамки pm , направленным вдоль нормали n и равным
pm = IS . |
(3.9) |
Направление нормали к плоскости рамки определяется направлением движения буравчика при вращении его по току.
Момент сил, действующих на рамку с током можно представить в виде:
Или в векторном виде: |
|
M = pmBsin α |
(3.8,а) |
||
|
M = [pGm × B] |
|
|
||
|
|
|
(3.8,б) |
||
Рамка будет находиться в равновесии, когда момент сил равен нулю. Это |
|||||
возможно, |
если α = 0 |
или |
α =1800 . В первом случае момент рамки |
pm |
|
параллелен |
вектору BG. |
Это |
устойчивое положение равновесия |
рамки |
(при |
небольших отклонениях рамка будет стремиться вернуться в положение равновесия). Во втором случае вектора pm и B антипараллельны. Это
неустойчивое положение равновесия (малейшее отклонение от этого положения приведет к развороту рамки на 1800).
Отметим, что полученные выражения (3.8,а) и (3.8,б) справедливы и для катушки с током (соленоида) во внешнем магнитном поле. В этом случае pm = NIS − магнитный момент катушки, где N − число витков катушки.
Поведение рамки с током в магнитном поле аналогично поведению магнитной стрелки компаса. Магнитное поле ориентируетG северный полюс
стрелки вдоль направления вектора магнитной индукции B . Это устойчивое положение равновесия стрелки. В случае рамки с током по направлению B ориентируется магнитный момент pm (или нормаль к плоскости рамки n ).
92
Если проводить параллели с электричеством, то свойства рамки с током во многом аналогичны свойствам электрического диполя (см. п. 1.8 и рис. 1.18 и 1.19). Напомним, что диполь – это система из двух точечных зарядов + q и
− q , находящихся на расстоянии l друг от друга. Дипольным моментом
называется векторная величина pG = ql . Вектор l , а вместе с ним и p,
направлены от отрицательного заряда к положительному. Можно легко доказать, что на электрический диполь, находящийся в однородном
электрическом поле с напряженностью E , действует вращательный момент:
M = qEl sin α = pE sin α .
ВGустойчивом положении равновесия дипольный момент p параллелен вектору E , а в неустойчивом положении равновесия вектора p и E антипараллельны.
Аналогия между дипольным и магнитным моментом играет важную роль при описании диэлектрических и магнитных свойств вещества. При помещении диэлектрика в электрическое поле (см. п. 1.8) дипольные моменты молекул ориентируются в направлении поля. Этот процесс называется поляризацией диэлектрика и объясняет уменьшение напряженности электрического поля в диэлектрике по сравнению с полем в вакууме. Похожим образом происходит процесс намагничивания парамагнетиков, приводящий к усилению магнитного поля в веществе. Нужно немного воображения для того, чтобы молекулы или атомы рассматривать как маленькие рамки с токами. Токи создаются движением электронов вокруг ядер. Таким образом, молекулы и атомы могут обладать собственными магнитными моментами, которые ориентируются по внешнему магнитному полю. Этот процесс и есть намагничивание. Мы еще будем рассматривать его в п.п. 3.16 - 3.18.
В неоднородном магнитном поле на виток с током, помимо момента, будет действовать еще и результирующая сила. Приведем выражение для этой силы без вывода:
FG = p |
∂B |
(3.9) |
|
m ∂x |
|
Предполагается, что ось x направлена вдоль вектора pm .
3.5. Эффект Холла
Поместим проводник с током в магнитное поле B , перпендикулярное направлению тока. На движущиеся упорядоченно со средней скоростью v свободные электроны внутри проводника действуют силы Лоренца. Эти силы
93
Лоренца, как нам уже известно, в совокупности дают силу Ампера. Внутри проводника, однако, возникает еще одно любопытное явление.
Поскольку на электроны действует сила Лоренца (рис. 3.7, а), они начинают смещаться к верхней границе проводника. В результате на верхней границе проводника накапливается отрицательный электрический заряд. Соответственно на нижней границе будет накапливаться положительный электрический заряд, поскольку проводник в целом электронейтрален. Процесс накопления зарядов быстро прекратиться, так что очень малая часть всех свободных электронов успеет скопиться на границе. Действительно, накопление зарядов на границе проводника приводит к появлению внутри
проводника поперечного электрического поля E (рис. 3.7, б). Со стороны
этого поля на электроны будет действовать сила Fэл, противоположная по
направлению силе Лоренца. Когда две силы станут равными по величине, движение электронов к границе проводника прекратится. Электроны будут двигаться вдоль проводника.
а |
|
I |
|
|
|
б |
|
|
|
I |
|
|
|
в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
v |
|
FЛ |
|
|
|
|
|
|
|
|
v |
|
|
|
|
FЛ |
|
|
|
FЛ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
E |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
v EG |
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Fэл |
|
|
|
F |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
эм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BG |
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
Рис. 3.7. Схема к эффекту Холла |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||
Итак: при помещении проводника с током в магнитное поле внутри проводника возникает электрическое поле, направленное перпендикулярно направлению тока и магнитному полю. Это явление и называется эффектом Холла. Отметим, что явление накопления электрических зарядов на границе проводника с током в магнитном поле, в сущности, объясняет происхождение или механизм действия силы Ампера на проводник с током. В п. 3.3 сила Ампера рассматривалась как сумма всех сил Лоренца, действующих на отдельные свободные электроны проводника. Но как эта сила передается самому проводнику, его кристаллической решетке? Ведь электроны свободные и не взаимодействуют с кристаллической решеткой, а значит, не могут оказать на нее никакого воздействия! По сути «передатчиком» силы Ампера и служит ничтожная доля электронов, скапливающихся на границе проводника.
Вычислим разность потенциалов, возникающую между боковыми границами проводника UХ − холловскую разность потенциалов. Процесс
94
накопления зарядов прекращается, когда электрическая сила уравновесит силу Лоренца:
FЛ = Fэл evB = eE E = vB .
Тогда получаем: UX = E d = vBd , где d − толщина проводника.
Среднюю скорость упорядоченного движения электронов (дрейфовую скорость) можно выразить через силу тока I , концентрацию свободных электронов n и площадь поперечного сечения проводника S (см. уравнение
(2.23)):
I = envS |
v = |
I |
. |
|
|
|
|
||||
|
|
|
enS |
|
|
Тогда холловская разность потенциалов: |
|
|
|
||
UX = |
d |
IB |
. |
|
(3.10) |
enS |
|
||||
|
|
|
|
|
|
Анализируя эту формулу, можно понять основные возможности применения эффекта Холла.
Эффект Холла можно использовать для измерения индукции магнитного поля. В этом случае изготавливают проводник небольшого размера, который
называется датчиком Холла. Измеряют зависимость между UХ и произведением (IB) для какого-то известного (эталонного) магнитного поля,
определяя тем самым коэффициент пропорциональности d
(enS) между этими величинами для данного датчика. Затем, помещая датчик Холла в различные точки исследуемого поля, измеряют ток, холловскую разность потенциалов UХ , и по этим данным вычисляют индукцию магнитного поля B .
Важнейшую роль эффект Холла играет при исследовании физических свойств проводящих материалов. Измеряя величины U Х , B и I , можно вычислить такую важную характеристику, как концентрация свободных зарядов n. Оказалось, что у металлических проводников примерно на один атом приходится один электрон проводимости. У полупроводников концентрация свободных зарядов значительно меньше – примерно на миллион атомов приходится один свободный электрон. Кроме того, оказалось, что заряд свободных носителей некоторых полупроводников положительный! Такое впечатление, что в таких полупроводниках ток обусловлен движением «положительно заряженных электронов». Эффект Холла в таких полупроводниках называется аномальным. На самом деле, оказалось, что аномальный эффект Холла соответствует случаю дырочной проводимости.
95
Каким образом удается определить знак свободных носителей? Если бы все носители тока были бы положительно заряженными (см. рис. 3.7, в), то при том же направлении силы тока I на верхней грани проводника скапливался бы не отрицательный, а положительный заряд, и величина U Х оказывается противоположного знака. Это и есть
q 
vG
α
r
B
Рис. 3.8.
Магнитное поле движущегося заряда
аномальный эффект Холла. Отметим, что многие другие проявления электрического тока (тепловое,
магнитное) не позволяют определить знак заряда свободных носителей, поскольку не зависят от него, а определяются только величиной тока.
3.6. Вычисление магнитной индукции. Закон Био-Савара-Лапласа
Итак, мы научились рассчитывать силы, действующие на заряженные частицы и токи, находящиеся в магнитном поле. Сами магнитные поля тоже создаются какими-то движущимися зарядами. В этом параграфе мы начинаем обсуждение методов вычисления индукции магнитного поля.
Начнем с магнитного поля, создаваемого в пространстве единственным
движущимся со скоростью v зарядом |
q . Этот закон является обобщением |
||||
опытных фактов и выражается формулой: |
|
|
|
||
G |
μ0 q[v ×r ] |
|
|||
B = |
|
|
|
|
(3.11) |
4π r |
3 |
|
|||
|
|
|
|||
где rG − это вектор, проведенный от заряда q к точке, в которой вычисляется
магнитное поле BG (точке наблюдения). Постоянная величина μ0 = 4π×10−7 , Гн/м, называется магнитной постоянной.
Движущийся заряд создаёт магнитное поле во всём окружающем пространстве. Направление и модуль вектора B зависят от точкиG наблюдения. В случае положительного заряда направление вектора B совпадает с направлением векторного произведения [v ×r ], т.е. определяется правилом левой руки (рис. 3.8).
Раскрывая векторное произведение, для модуля вектора магнитной индукции получим:
B = |
μ |
0 |
qv |
sin α , |
(3.11,а) |
|
4π r 2 |
||||||
|
|
|
||||
96
где α − угол между направлением движения заряда и вектором rG.
Для магнитного поля так же, как и для поля электрического, справедлив принцип суперпозиции. Зная магнитное поле, создаваемое одним движущимся точечным зарядом, можно определить магнитное поле, создаваемое произвольным количеством движущихся зарядов, или поле, создаваемое элементом тока. Для этогоGполя, создаваемые каждым зарядом в отдельности,
B = B1 + B2 + B3 +....
Пусть по проводнику течет ток I . Вычислим магнитное поле,
создаваемое малым элементом тока |
l (рис. 3.9). |
Если v − средняя скорость |
упорядоченного |
движения электронов, тогда согласно уравнению (3.11,а) магнитное поле, создаваемое в точке наблюдения одним электроном из элемента тока:
B |
= |
μ0 |
ev |
sin α |
. |
|
|||||
1 |
|
4π r 2 |
|||
|
|
|
|||
Все свободные электроны элемента тока создают поля, направленные за плоскость чертежа (рис. 3.9), поэтому по принципу суперпозиции величина суммарного поля элемента тока: B = NB1 , где N −
l
α
I r
B
Рис. 3.9.
Магнитное поле элемента тока
число свободных электронов в элементе проводника
l . Величину N можно выразить через концентрацию свободных электронов: N = nV = nS l , где V − объем элемента проводника, S − сечение проводника. Таким образом:
B = nS l ×B |
= |
μ0 |
|
envS l |
sin α |
. |
|
|
|||||
1 |
|
4π |
|
r 2 |
||
|
|
|
|
|||
Учитывая, что сила тока I = envS (см. уравнение (2.23)), получим:
B = |
μ0 |
I l |
sin α . |
(3.12) |
|
||||
|
4π r2 |
|
||
Уравнение (3.12) определяет магнитное поле, создаваемое элементом тока, и представляет собой закон Био-Савара-Лапласа. Оно было впервые получено французскими физиками Био и Саваром на основании экспериментального материала при содействии математика Лапласа.
Закон Био-Савара-Лапласа можно записать в дифференциальной форме (переходя от малого к бесконечно малому элементу тока l → dl ):
|
97 |
|
|
|
|
|
|
dB = μ0 |
Idl |
sinα |
|
(3.12,а) |
|||
2 |
|
||||||
и в векторной форме: |
4π r |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
G |
μ0 I[dl ×rG] |
|
|
||||
dB = |
|
|
|
|
. |
(3.12,б) |
|
4π |
r3 |
|
|||||
Вектор dl направлен вдоль тока.
Рассмотрим примеры расчета магнитных полей при помощи закона Био- Савара-Лапласа.
Пример 3.3 Поле прямого тока. Найти магнитное, создаваемое прямолинейным отрезком провода с током I в произвольной точке пространства.
Решение. Зададим положение точки наблюдения при помощи углов α1 , α2 и расстояния R от точки наблюдения до проводника (см. рис. 3.10).
Разобьем весь отрезок провода на малые элементы длины dx . Поле одного малого элемента dx с координатой x определяется согласно уравнению
(3.12,а):
dB = μπ0 Id2x sinα. 4 r
dx α1
αr
I |
β |
B |
|
R |
|||
|
|||
|
|
α2
Рис. 3.10.
Магнитное поле прямого тока
Поле в точке наблюдения – есть векторная сумма полей, создаваемых каждым элементом. Поля всех элементов направлены за плоскость чертежа. Следовательно, для того, чтобы определить величину поля, надо просуммировать поля всех элементов, или, «на языке математики»: проинтегрировать уравнение (3.12,а). Для этого в уравнении (3.12) нужно перейти к одной переменной величине (переменной интегрирования). Удобнее всего в качестве переменной интегрирования взять угол β (рис. 3.10). Выразим все переменные
величины в уравнении (3.12) через β .
Во-первых, |
sin α = sin(900 −β)= cosβ. |
Далее, tgβ = x
R . Берем дифференциалы от обеих частей этого равенства:
98
d(tg β)= R1 dx cosdβ2β = R1 dx dx = cosRd2ββ .
Таким образом, для поля элемента dx получим:
|
|
I |
Rdβ |
|
|
|
|
|
|
cos2β |
|
|
μ0 IRdβ |
||||
dB = |
μ0 |
|
cosβ = |
|||||
|
|
|
4π |
|
. |
|||
4π |
|
r2 |
|
r2cosβ |
||||
Осталось выразить через β переменную r : r = R
cosβ. Следовательно:
dB = |
μ0 |
I cosβ dβ |
. |
|
|||
|
4π |
R |
|
Теперь интегрируем, учитывая, что все элементы находятся в пределах углов β от −β1 (крайний нижний элемент) до β2 (крайний верхний элемент):
B = |
μ0 I |
β2 cosβdβ = |
μ0 I |
(sinβ +sinβ ) |
. |
||||||
|
|
||||||||||
|
4πR −β∫ |
|
|
4πR |
|
1 |
|
2 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Переходя вновь к углам α1 = 900 −β1 и α2 = 900 +β2 , получим ответ: |
|||||||||||
|
|
B = |
μ0I |
(cos α −cos α |
2 |
) |
. |
|
(3.13) |
||
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
4πR |
1 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Частным случаем формулы (3.13) является поле бесконечно длинного прямого провода на расстоянии R от него ( α1 → 0 , α2 →1800 ):
B = |
μ0I |
(1−(−1))= |
μ0I |
. |
(3.14) |
4πR |
2πR |
Пример 3.4. Магнитное поле в центре кругового тока. Найти магнитную индукцию, создаваемую круговым витком радиуса R с током I в центре витка.
Решение. Разобьем виток на малые элементы dl (рис. 3.11). Длину каждого элемента выразим через радиус витка R и соответствующий
центральный угол dϕ: dl = Rdϕ. Тогда, согласно уравнению (3.12, а),
99
магнитное поле, создаваемое одним элементом тока в центре витка ( r = R ,
α = 900 ):
dB = |
μ0 |
IRd2ϕsin900 |
= |
μ0 I |
dϕ. |
|
4πR |
||||||
|
4π |
R |
|
|
Индукция магнитного поля от каждого элемента в центре витка направлена вверх. Значит, для того, чтобы найти результирующее магнитное поле, нужно сложить величины полей всех элементов или проинтегрировать полученное выражение в пределах углов от 0 до
|
|
y |
G |
2π : |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
dBGy |
|
μ0 I |
2π |
|
μ0 I |
|
μ0 I |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
dB |
|
B = 4πR ∫0 dϕ = |
4πR |
2π = |
2R . (3.15) |
||||||
|
|
β |
|
|
Пример 3.5. Магнитное поле на |
||||||||
|
|
rG |
|
оси кругового тока. Найти магнитную |
|||||||||
|
|
|
индукцию, |
создаваемую |
круговым |
||||||||
|
|
|
BG |
витком |
радиуса |
R |
с током |
I в |
|||||
|
|
|
произвольной точке на оси витка. |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
Решение. Разобьем виток на |
||||||||
|
G |
dϕ |
dB |
малые элементы dl (рис. 3.11). Длину |
|||||||||
|
каждого |
|
элемента |
выражаем |
через |
||||||||
|
|
О |
|
||||||||||
dl |
R |
радиус витка R и соответствующий |
|||||||||||
|
|||||||||||||
|
|
|
|
центральный |
угол |
dϕ : dl = Rdϕ. |
|||||||
IСогласно уравнению (3.12,а) магнитное поле, создаваемое одним элементом
Рис. 3.11. Магнитное поле на оси |
тока в некоторой точке на оси витка, |
кругового тока. |
удаленной на расстояние y от центра |
|
витка, ( α = 900 ): |
|
d B = |
μ 0 IR d ϕ |
sin 90 |
0 |
= |
μ 0 IR d ϕ |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
. |
||||
|
4 π |
|
r 2 |
|
4 π |
r 2 |
|||||
Вектор dBG |
перпендикулярен плоскости векторов dl |
|
и r (рис. 3.11). Вклады в |
||||||||
общее магнитное поле от отдельных элементов направлены в разные стороны, поэтому суммировать модули векторов dB нельзя.
100
Поскольку результирующий вектор B будет направлен вдоль оси y , он
представляет собой сумму |
проекций |
векторов dB на ось y : B = ∫dBy . |
||||||
Проекция вектора dB на ось y : |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
dBy = |
μ0 |
IRd2 |
ϕsinβ. |
|
|||
|
|
|
4π |
r |
|
|
|
|
Интегрируем по переменной ϕ : |
|
|
|
|
|
|
|
|
dBy = |
μ |
IRsinβ 2π |
|
μ |
IRsinβ |
|||
0 |
|
2 |
∫dϕ = |
0 |
2r |
2 . |
||
|
4πr |
|
0 |
|
|
|
||
Учитывая, что |
|
|
|
|
|
|
|
|
r = R2 + y2 , sin β = R r = R |
|
R2 + y 2 , |
||||||
ответ можно представить в виде:
|
|
B = |
|
|
μ0 IR2 |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
. |
|
(3.16) |
|||||||
|
|
2(R2 + y2 )3 2 |
|
|||||||||
Используя результат примера 3.5, можно |
|
R |
||||||||||
определить магнитное поле на оси соленоида – |
|
|||||||||||
|
||||||||||||
катушки с током. Предоставляем читателям |
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|||||||||
самостоятельно поупражняться с интегрированием и |
ϕ1 |
|
|
|
||||||||
приведем лишь ответ для поля в произвольной точке |
|
А |
|
|
||||||||
А на оси (рис. 3.12): |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
l |
||
|
μ0i |
(cosϕ +cosϕ |
|
) |
|
|
|
ϕ2 |
|
|
|
|
B = |
2 |
. |
|
(3.17) |
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|||||||
2 |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Величина i называется поверхностной плотностью тока. Она определяется для токов, текущих по некоторым поверхностям. Поверхностная плотность тока − это сила тока, приходящаяся на единицу длины
отрезка, перпендикулярного направлению тока. В нашем случае можно считать,
что ток идет по боковой поверхности соленоида. Пусть |
соленоид имеет длину |
l , состоит из N витков, и по его обмотке течет ток |
I . Тогда полный ток, |
текущий по боковой поверхности соленоида, равен |
N I , а поверхностная |
плотность тока i = NI
l . Формулу (3.17) можно переписать в виде:
