Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Шумахер У. Полупроводниковая электроника

.pdf
Скачиваний:
229
Добавлен:
28.03.2015
Размер:
8.01 Mб
Скачать

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 562 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

SPICE (Simulation Program for In-Circuit

SSPC (Solid State Power Controller)

Emulation)

 

Твердотельный контроллер питания.

Популярная программа моделирования с

SSR

 

 

ориентацией на интегральные схемы (для

 

 

1. Solid State Relay — твердотельное реле.

применения совместно с внутрисхемными

2. Sub-Mode Suppression Rate — коэффици-

эмуляторами).

 

 

ент подавления субмоды (для лазеров).

 

 

SPT (Siemens Power Technology)

STI (Shallow Trench Isolation)

Специальная

технология производства

Изоляция с неглубокими канавками.

мощных полупроводниковых компонентов,

 

 

 

разработанная компанией Siemens. Позво-

STR (SelfTime Refresh)

ляет реализовывать в одном кристалле би-

Специальный цикл обновления данных (в

полярные, КМОП- и ДМОП-структуры.

микросхемах DRAM).

SQUID (Superconducting Quantum

TAB (Tape Automated Bonding)

Interference Detector)

Технология (устаревшая) автоматизирован-

Сверхпроводящий квантовый интерферен-

ного монтажа с использованием ленты-но-

ционный датчик.

сителя.

 

 

SRAM (Static RAM)

Tag

 

 

Статическое ОЗУ. Ячейка памяти такого

Тег — специальный программный иденти-

ОЗУ состоит из нескольких транзисторов и

фикатор (признак), используется для конт-

фактически представляет собой триггер с

роля состояния заданного объекта (см. так-

двумя устойчивыми состояниями. После

же Семафор, Флаг).

 

переключения в одно из логических состоя-

TFBGA (Thin Fine Pitch BGA)

ний оно может быть сброшено лишь путём

Тонкий корпус с малым шагом матрицы

подачи специального управляющего сигна-

шариковых выводов.

ла либо выключения питания. Именно поэ-

 

 

 

тому структура памяти данного типа назы-

TFEL (Thin Film Electroluminescent Display)

вается статической (это вовсе не говорит о

Тонкоплёночный

электролюминесцент-

её быстродействии, которая выше, чем у

ный дисплей.

 

микросхем DRAM). Однако ИС статичес-

TF-FET (Thin Film FET)

кой памяти сложнее и, соответственно, до-

Тонкоплёночный полевой транзистор (см.

роже, чем ИС динамической памяти.

также TFTLC).

 

 

 

 

SSD (Solid State Disk)

TFTLC (Thin Film Transistor Liquid Crystal)

Твердотельный (полупроводниковый) диск.

ЖК дисплей тонкоплёночной технологии.

 

 

SSI (Small Scale Integration)

THC (Through Hole Contact)

Малая степень

интеграции. Микросхемы

Сквозной

контакт.

Металлизированное

этого типа содержат не более 10 активных

сквозное отверстие в печатной плате, в ко-

элементов (см. также MSI, LSI).

торое вставляется соответствующий вывод

 

 

SSL

 

монтируемого на этой плате компонента.

1. Solid State Logic — ИС на основе твердо-

TQFP (Thin Quad Flat Pack)

тельной логики (т.е. на основе полупровод-

Тонкий квадратный плоский корпус. Тип

никовых схем).

 

 

корпуса ИС, отличающийся очень малой

2. Solid State Laser — твердотельный лазер.

толщиной, благодаря чему ИС может быть с

 

 

SSOP (Shrink Small Outline Package)

лёгкостью размещена на пластиковой кар-

Миниатюрный

(малогабаритный) корпус

те или ленте.

 

(типа SO) из усадочной плёнки. Уменьшен-

TQM (Total Quality Management)

ный корпус интегральных микросхем с вы-

Полный

контроль

качества. Концепция,

водами, расположенными по двум длин-

 

 

 

562 16. Глоссарий

 

 

 

ным сторонам. Разновидность SOP-корпуса

ориентированная на то, чтобы путём после-

довательных улучшений качества продук-

микросхем, предназначенного для поверх-

ции достичь её соответствия заданным кри-

ностного монтажа.

териям качества.

 

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 563 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

 

 

 

 

 

 

 

 

16. Глоссарий

563

 

 

 

 

 

 

 

TRAPATT (TRApped Plasma Avalanche

UJT (UniJunction Transistor)

 

 

 

 

Triggered Transit)

 

 

Однопереходный транзистор.

 

 

 

Структура, используемая в лавинно-ключе-

ULA (Uncommitted Logic Array)

 

 

 

вых диодах (см. также IMPATT).

 

 

 

Нескоммутированная логическая матрица.

 

 

 

 

 

 

TRIAC (TRIode Alternating Current)

Полузаказная логическая ИС, которая мо-

Триодный переключатель переменного то-

жет быть окончательно запрограмирована

ка; симистор. См. также DIAC.

 

под выполнение тех или иных функций пу-

TriCore

 

 

 

тём использования шаблона (маски) меж-

 

 

 

соединений (см. также PLA).

 

 

 

Перспективная 32-битная архитектура мик-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

роконтроллеров, разработанная компанией

ULSI (Ultra Large Scale Integration)

 

 

 

Infineon с целью удовлетворить растущим

Сверхвысокая степень интеграции; термин,

требованиям к производительности микро-

означающий, что в состав ИС входит более

контроллеров.

 

 

1 миллиона транзисторов (см. также VLSI).

TSL (Tunable Semiconductor Laser)

UMTS (Universal Mobile Telephone System)

Перестраиваемый полупроводниковый ла-

Универсальная система мобильной теле-

зер.

 

 

 

 

фонной связи.

 

 

 

 

 

TSOJ (Thin Small Outline J-lead)

 

UQFP (Ultra thin QFP)

 

 

 

 

Тонкий малогабаритный корпус с J-образ-

Ультратонкий корпус типа QFP.

 

 

 

ными выводами.

 

 

USART (Universal Synchronous Asynchronous

 

 

 

 

 

 

TSOP (Thin Small Outline Package)

Receiver Transmitter)

 

 

 

 

Тонкий малогабаритный корпус.

Универсальный

синхронно-асинхронный

TSSOP (Thin Shrink Small Outline Package)

приёмопередатчик. Универсальный модуль

интерфейса, осуществляющий обмен пос-

Малогабаритный корпус уменьшенной тол-

ледовательными данными с периферийным

щины.

 

 

 

 

 

 

оборудованием как в синхронном, так и в

 

 

 

 

 

 

TTL (Transistor-to-Transistor Logic)

асинхронном режимах (см. также UART).

Транзисторно-транзисторная логика. Ещё

USB (Universal Serial Bus)

 

 

 

 

недавно — наиболее распространённый тип

 

 

 

 

Универсальная

последовательная

шина.

логических

интегральных схем, основан-

Периферийная

шина, позволяющая

осу-

ный на использовании биполярных тран-

ществлять «горячее» (т.е. непосредственно в

зисторов в качестве логических элементов

процессе работы) подключение перифе-

(вентилей).

 

 

 

 

 

 

рийных устройств. В персональных ком-

 

 

 

 

 

 

TWA (Traveling Wave semiconductor optical

пьютерах интерфейс USB заменил такие

Amplifier)

 

 

 

интерфейсы, как RS-232 и Centronics.

 

 

Полупроводниковый оптический усилитель

VCD (Variable Capacitance Diode)

 

 

 

на

лампе

бегущей

волны

(см. также

 

 

 

Диод переменной емкости, варикап.

 

 

 

TWSLA).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

TWSLA (Traveling Wave Semiconductor Laser

VDE (Verband der Elektrotechnik, Elektronik

und Informationstechnik)

 

 

 

 

Amplifier)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Германская

ассоциация

производителей

Полупроводниковый

лазерный усилитель

электротехники, электроники и информа-

на лампе бегущей волны (см. также SCLA,

ционных технологий со штаб-квартирой во

TWA).

 

 

 

 

 

 

Франкфурте-на-Майне.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UART (Universal Asynchronous

 

VDI (Verein Deuscher Ingcnieure)

 

 

 

Receiver/Transmitter)

 

 

 

 

 

 

 

Германская

ассоциация

инженеров

со

Универсальный асинхронный приёмопере-

штаб-квартирой в Дюссельдорфе.

 

 

 

датчик. Интерфейсный модуль периферий-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ного

оборудования,

осуществляющий в

VDL (Visible Diode Laser)

 

 

 

 

асинхронном режиме операции по обмену

Лазерный диод, излучающий в видимой

последовательными

данными

(см. также

(красной) области спектра.

 

 

 

 

USART, V.24).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 564 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

564 16. Глоссарий

VDMOS (Vertical Double diffused MOS)

Wafer

 

 

 

 

Двухдиффузионная вертикальная МОП-

Пластина или диск из полупроводникового

структура.

материала, на которой в процессе пошаго-

VDR (Voltage Dependent Resistor)

вой обработки формируется большое коли-

чество одинаковых кристаллов (чипов).

Нелинейный резистор (его сопротивление

 

 

 

 

 

зависит от приложенного напряжения).

WAP (Wireless Application Protocol)

Verilog

Протокол беспроводных приложений (бес-

проводного доступа).

 

 

Язык описания технических средств, наи-

 

 

 

 

 

 

 

более широко распространённый в США

WARC (World Administrative Radio

(см. также HDL, VHDL).

Conference)

 

 

 

 

VFET (Vertical Field Effect Transistor)

Всемирная

административная

конферен-

ция по радиочастотам. Международная ор-

Полевой транзистор с вертикальной струк-

ганизация, которая осуществляет распреде-

турой (см. также VDMOS, VMOS).

ление доступных радиочастот между раз-

 

VHDL (VHSIC HDL)

личными регионами мира и отдельными го-

Алгоритмический язык описания аппарату-

сударствами.

 

 

 

ры сверхбыстродействующих интеграль-

WE (Write Enable)

 

 

ных схем. Используется, главным образом,

 

 

Сигнал разрешения записи; управляет про-

в Европе при разработке микросхем (см.

цессом записи информации в микросхемы

также Verilog, HDL, VHSIC).

памяти (см. также W).

 

 

 

 

 

VHSIC (Very High Speed Integrated Circuit)

Whetstone

 

 

 

 

Технология производства сверхбыстродейс-

 

 

 

 

Тестовая программа, предназначенная для

твующих ИС и язык их описания и разра-

сравнения

характеристик

производитель-

ботки.

ности различных компьютеров и получив-

 

VLD (Visible Laser Diode)

шая свой название по месту разработки —

Лазерный диод, излучающий в видимой

городу Уэтстон (Whetstone) в Великобрита-

(красной) области спектра.

нии. Программа написана на языках

VLSI (Very Large Scale Integration)

ALGOL и FORTRAN; поддерживаются вер-

сии с одинарной (32-битной)

и двойной

Сверхвысокая степень интеграции, сверх-

(64-битной) точностью.

 

 

большая ИС (СБИС), когда количество

 

 

 

 

 

 

 

элементов в одной ИС превышает (иногда

WPB (Write per Bit)

 

 

во много раз) 1000 (см. также LSI, MSI).

Режим побитовой записи данных в ОЗУ.

VMOS (Vertical (также V-Groove) MOS)

WSI (Wafer Scale Integration)

 

Вертикальная МОП-структура, МОП-

Интеграция в масштабе (целой) пластины.

структура с V-образной канавкой. Быстро-

Технология

разработки

и производства

действуюшая MOSFET-структура с V-об-

электронных устройств, полностью разме-

разным, коротким каналом (см. также

щаемых на

одной полупроводниковой

VFET).

пластине.

 

 

 

 

VQFP (Very thin QFP)

WSTS (World Semiconductor Trade Statistics)

Сверхтонкий корпус типа QFP.

Мировая статистика продаж полупровод-

VRAM (Video RAM)

никовых компонентов.

 

 

 

 

 

 

 

Собственное ОЗУ видеокарты компьютера,

XDSL (X Digital Subscriber Line)

 

предназначенное для хранения графичес-

Аббревиатура,

обозначающая

совокуп-

кой информации (изображений). В настоя-

ность различных технологий

реализации

щее время вместо модулей VRAM использу-

систем цифровой абонентской линии, т.е.

ется SGRAM.

широкополосной передачи цифровых дан-

VTL (Variable Threshold Logic)

ных с использованием абонентских шлей-

фов на основе стандартной витой пары мед-

Логические схемы с переменным порогом.

ных проводников. В зависимости от конфи-

 

W (Write)

гурации подобной системы, символ «X» за-

Запись; см. WE.

меняется

на

соответствующий символ

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 565 из 590 (September 6, 2010, 18:33)

 

 

 

 

 

 

16. Глоссарий

565

 

 

 

 

 

 

(наиболее

распространёнными

являются

компьютер и служит для сопряжения раз-

стандарты ADSL и HDSL).

 

 

личных интерфейсов или соединения с

X-лучи (рентгеновское излучение)

нестандартными устройствами.

 

 

 

 

 

 

Самое коротковолновое электромагнитное

Адаптивное управление

 

 

излучение (длина волны менее 30 нм). От-

Методика управления с использованием

крыто в конце XIX века Вильгельмом Кон-

контрольных алгоритмов адаптации к теку-

радом Рентгеном, который дал ему назва-

щим условиям среды.

 

 

ние X-лучи, т.е. лучи, неизвестные науке

Адресация

 

 

 

(на момент своего открытия).

 

 

 

 

 

Обращение (активация) к определённой

 

 

 

 

 

ZIP (Zigzag-In-line Package)

 

 

ячейке или группе ячеек памяти.

 

 

Плоский корпус с зигзагообразно располо-

Адресное пространство

 

 

женными штырьковыми выводами. Высо-

 

 

Максимальный объём памяти, которая мо-

кая плотность компоновки ИС достигается

жет быть адресована в компьютере.

 

 

за счёт использования так называемой па-

 

 

 

 

 

 

нельной (push-through) технологии с верти-

Адсорбция

 

 

 

кальным размещением кристаллов.

Физический процесс поглощения газов или

ZVEI (Zentralverband Elektrotechnik-und

частиц вещества

поверхностным

слоем

твёрдого тела.

 

 

 

Elektronikindustrie)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Германская

ассоциация

производителей

Аккумулятор

 

 

 

электроники со штаб-квартирой во Франк-

1. Устройство, предназначенное для накоп-

фурте-на-Майне.

 

 

ления энергии (в виде электрического заря-

ZZF (Zentralamt fur Zulassungen im

да) и её последующей передачи потребите-

лям. В отличие от первичных источников то-

Fernmeldewesen)

 

 

 

 

ка (гальванических элементов), аккумулятор

Германское

центральное

аттестационное

рассчитан на большое количество циклов за-

бюро по телекоммуникациям со штаб-квар-

рядки/разрядки. В

определённом смысле,

тирой в г. Саарбрюкен. Переименовано в

любой конденсатор также можно рассматри-

BZT.

 

 

 

 

 

 

вать как аккумулятор. Однако на практике

 

 

 

 

 

Автоматизация

 

 

такие «аккумуляторы» оказываются неэф-

Оснащение технической системы автома-

фективными, поэтому повсеместно приме-

тическими устройствами.

 

 

няются электрохимические устройства.

Автоматическая тест-машина

 

2. Регистр процессорного ядра, предназна-

 

ченный для осуществления арифметичес-

Устройство,

которое автоматически осу-

ких или логических операций (например,

ществляет испытания тех или иных образ-

суммирования).

 

 

 

цов полупроводниковых изделий, исполь-

 

 

 

 

 

 

 

зуя предварительно заданный набор пара-

Активная область

 

 

 

метров и процедур.

 

 

В электронике — электрически или опти-

Автоматическое устройство

 

 

чески эффективная область компонента.

 

 

 

 

 

 

Устройство (робот), которое при поступле-

Активный компонент

 

 

 

нии соответствующей команды со схемы

В отличие от пассивного компонента, дан-

управления

(триггера) в

автоматическом

ный компонент может увеличивать полез-

режиме выполняет заданную последова-

ную электрическую мощность сигнала (см.

тельность операций.

 

 

также Усиление). Активные компоненты —

Адаптер

 

 

 

это в основном полупроводниковые прибо-

 

 

 

ры, но иногда (пока ещё) и электровакуум-

Соединительное устройство (переходник),

ные приборы.

 

 

 

предназначенное для сопряжения систем,

 

 

 

 

 

 

 

отличающихся по уровням сигналов, синх-

Активный фильтр

 

 

 

ронизации, а также для механического со-

Схема фильтра со встроенным усилителем,

пряжения и т.п. Примером такого устройс-

что позволяет улучшить характеристики

тва является дополнительная

(сменная)

фильтра (ср. фильтр Баттерворта, фильтр

карта расширения, которая вставляется в

Бесселя, фильтр Чебышева).

 

 

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 566 из 590 (September 6, 2010, 18:33)

566 16. Глоссарий

АЛУ

 

 

 

 

 

сываются в виде мнемонических кодов,

Арифметико-логическое устройство — один

каждому из этих кодов соответствуют опре-

из важнейших модулей электронного ком-

делённые машинные коды (см. также Ас-

пьютера.

 

 

 

 

 

семблирование). Достоинствами языка ас-

Аналоговая схема

 

 

 

 

семблера

являются ускоренная

обработка

 

 

 

 

последовательностей команд и непосредс-

Электронный функциональный блок, гене-

твенный доступ к аппаратным средствам

рирующий или обрабатывающий аналого-

системы. Однако он не столь интуитивно

вые сигналы (см. также Логическая схема,

понятен

и удобен в использовании, как

Память).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

языки программирования высокого уровня.

 

 

 

 

 

 

Аналого-цифровой преобразователь (АЦП)

Ассемблирование

 

 

Преобразователь

аналогового

сигнала в

 

 

В программировании — преобразование

цифровой код (см. также ЦАП).

 

 

 

 

(компилирование) программы, написанной

 

 

 

 

 

 

Анион

 

 

 

 

 

на языке ассемблера, в последовательность

Отрицательно заряженный ион (см. также

соответствующих машинных кодов.

Катион).

 

 

 

 

 

Ассоциативное ЗУ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Анод

 

 

 

 

 

Запоминающее устройство (память с адре-

Положительно заряженный электрод.

 

сацией по содержанию), обращение к ячей-

Аппаратная ловушка

 

 

 

кам которого осуществляется не по фикси-

 

 

 

рованным адресам или позиции в адресном

Условие стопа, реализуемое в процессе тес-

пространстве, а на основе анализа данных,

тирования (отладки) микроконтроллерной

содержащихся в этих ячейках.

 

системы.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Аппаратная ошибка

 

 

 

Аттестация

 

 

 

 

 

Результат испытаний, в ходе которых изме-

Постоянная (систематическая) ошибка,

ряются и оцениваются все основные харак-

вызванная

неисправностью

аппаратуры

теристики электронного компонента. Лишь

(см. также Программная ошибка).

 

 

после проведения этой процедуры можно с

 

 

 

 

 

 

Аппаратное обеспечение

 

 

 

достоверностью утверждать, что компо-

Оборудование,

«железо»,

материальная

нент подходит для использования по назна-

часть компьютера. Сюда не относятся про-

чению (см. также Сертификация).

граммы и данные, для которых применяет-

База

 

 

 

ся термин «программное обеспечение».

 

 

 

Очень тонкий полупроводниковый слой в

 

 

 

 

 

 

Аппаратный (Hard-wired)

 

 

 

биполярном транзисторе с одним гранич-

Постоянно

подключённый

процессорный

ным слоем к коллектору и одним — к эмит-

блок на микроконтроллере.

 

 

 

теру.

 

 

 

Аррениуса закон

 

 

 

 

Байт

 

 

 

Закон, в соответствии с которым интенсив-

Единица измерения информации, а также

ность отказов полупроводниковых компо-

логически единая группа из 8 бит (обеспе-

нентов увеличивается экспоненциально с

чивает кодирование 256 комбинаций чи-

ростом температуры.

 

 

 

сел). Слово «байт» (byte) образовано как

Аррениуса модель

 

 

 

 

производное от

английского

выражения

 

 

 

 

«By Eight» («по

8»); иногда используется

Модель, используемая при испытаниях по-

термин «октет» (см. также Полубайт).

лупроводниковых компонентов на надёж-

 

 

 

 

ность. В данной модели повышение интен-

Баркгаузена эффект

 

сивности

отказов рассматривается

как

Одновременное и иногда слышимое свора-

следствие возрастания температуры компо-

чивание молекулярных структур (ферро-

нентов (см. также Эйринга модель, Пека мо-

магнитных доменов), которое происходит,

дель).

 

 

 

 

 

когда определённые материалы подверга-

Ассемблер

 

 

 

 

 

ются

перемагничиванию.

Открыт

 

 

 

 

 

Г. Баркгаузеном в 1917 году.

 

Машинно-ориентированный

язык

про-

 

 

 

 

 

граммирования, в котором команды запи-

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 567 из 590 (September 6, 2010, 18:33)

16. Глоссарий 567

Барнета эффект

 

 

же, как и единственное, т.е. «бит» (напри-

Явление, наблюдаемое в некоторых ферро-

мер, объём

памяти составляет

16 бит).

магнитных материалах самопроизвольной

В прочих же случаях слово «бит» пишется в

намагниченности при простом вращении в

соответствии с правилами русского языка

отсутствии внешнего магнитного поля.

(например, два последних бита в слове дан-

Безопасность данных

 

 

ных).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Защита данных от несанкционированного

Боде диаграмма

 

 

доступа или от физических повреждений.

Способ отображения частотной зависимос-

Бета-версия

 

 

ти амплитуды и/или фазы в электрической

 

 

цепи на круговой диаграмме.

 

Предварительная версия аппаратного или

 

 

 

 

 

программного обеспечения. Обычно вы-

Брак

 

 

 

пускается с целью тестирования («обкат-

Продукция, качество которой не соответ-

ки») в реальных условиях.

 

ствует заданным требованиям.

 

Библиотека стандартных элементов (ASIC

Булева алгебра

 

 

library)

 

 

 

Разработанная

Джорджем Булем

система

Набор типовых схемотехнических реше-

операций над

логическими величинами,

ний, позволяющих

реализовывать такие

которая особенно хорошо подходит для

функции, как логические вентили, счётчи-

применения в цифровых технологиях.

ки, мультиплексоры и т.д.

 

Бута алгоритм

 

 

 

 

 

 

 

 

Бинарный файл

 

 

Алгоритм, реализующий быстрое поэтап-

Файл, который состоит из последователь-

ное перемножение и деление двоичных чи-

ности 8-битных данных или исполняемых

сел. Данный алгоритм часто используется

кодов.

 

 

 

при обработке сигналов в микроконтролле-

Бинарный

 

 

 

рах и DSP-процессорах.

 

 

 

 

 

 

 

 

Двоичный, состоящий из двух компонен-

Варистор

 

 

 

тов. Работа всех современных цифровых

Пассивный

полупроводниковый

компо-

компьютеров основана на использовании

нент. Величина его сопротивления электри-

двоичных кодов (см. также Троичный).

ческому току зависит от приложенного на-

Биполярный

 

 

пряжения (см. также VDR). Часто применя-

 

 

ется в качестве ограничителя выбросов на-

Свойство

полупроводниковых

компонен-

пряжения (см. Выбросы).

 

тов, в которых используются как p-, так и n-

 

 

 

 

 

области. Простейшей структурой является

Вентиль

 

 

 

p-n-диод (см. также Униполярный).

Электронный логический элемент, реализу-

Бистабильный

 

 

ющий ту или иную логическую операцию

 

 

(например, И-НЕ, И, ИЛИ, и т.д.; см. также

Данный термин относится к описанию сис-

Булева алгебра).

 

 

тем или компонентов, имеющих два воз-

 

 

 

 

 

 

можных

рабочих

состояния,

например

Вентильная матрица

 

«включено» и «выключено».

 

Данный тип заказных интегральных микро-

Бит переноса

 

 

схем (при его описании употребляются так-

 

 

же термины ASIC и логическая матрица)

Позиция

бита, который сигнализирует о

представляет собой размещённый на полу-

наличии переполнения (переноса) при вы-

проводниковом кристалле массив базовых

полнении операции сложения.

 

 

логических ячеек (вентилей). Связь между

 

 

 

 

Бит

 

 

 

ними осуществляется через проводящие ка-

Минимальная единица измерения инфор-

налы, проложенные в кристалле (так назы-

мации, соответствующая одному разряду

ваемая канальная технология вентильной

двоичного числа, которая содержит инфор-

матрицы). Каждый вентиль содержит от 2

мацию об одном из двух возможных состоя-

до 8 транзисторов. Лишь на самом послед-

ний. Множественное число для этого тер-

нем этапе производства ИС на поверхность

мина, если речь идёт о количественном вы-

кристалла наносится слой, предназначен-

ражении единиц информации, пишется так

ный для коммутации вентилей с целью реа-

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 568 из 590 (September 6, 2010, 18:33)

568 16. Глоссарий

лизации заданных логических функций.

Встречно-параллельно

 

 

 

Единственный недостаток данной техноло-

Тип схемы включения, при которой два ди-

гии состоит в том, что большая часть чипа

ода соединяются параллельно в противопо-

остаётся незадействованной.

ложных направлениях.

 

 

Вибростенд

ВЧ (HF)

 

 

 

 

 

Установка для испытаний полупроводнико-

Высокие частоты. Не совсем чётко опреде-

вых компонентов и оборудования на устой-

лённый частотный диапазон, в нижней час-

чивость к вибрациям.

ти которого располагается область радио-

Вложение программ

частот, наиболее

часто

используемых на

практике.

 

 

 

 

 

Вызов подпрограмм из уже выполняющей-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ся подпрограммы.

Выборка и хранение

 

 

 

Восьмеричный

Метод дискретизации, когда определяется

мгновенное значение измеряемой перемен-

Термин относится к числам, представлен-

ной величины (например, напряжения) и

ным в системе счисления по основанию 8

запоминается в аналоговом буфере.

(см. также Двоичный, Десятичный, Шест-

 

 

 

 

 

 

надцатеричный).

Выборка с упреждением

 

 

Время нарастания

Концепция работы с запоминающими уст-

ройствами длительного хранения данных,

Период времени с момента инициации

когда содержимое ячеек памяти, к которым

процесса включения до его завершения, т.е.

вероятно вскоре будет производиться обра-

до того момента, когда ключ оказывается в

щение, заранее переписывается в кэш.

открытом состоянии (этот момент опреде-

 

 

 

 

 

 

ляется как параметрами самого ключа, так

Выбраковка

 

 

 

 

 

и требованиями к уровню входного сигна-

Сортировка партии продукции и исключе-

ла; как правило, ключ считается открытым

ние из неё изделий с дефектами качества.

при достижении 90% от уровня сигнала).

Выбросы (spike)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Время предзаряда

Неконтролируемые

импульсы

напряже-

Время, которое требуется запоминающему

ния, возникающие при переключательных

устройству, для обновления данных.

и тому подобных процессах. Выбросы на-

Время простоя

пряжения могут привести к генерации зна-

чительных электромагнитных помех.

Время (в абсолютном или процентном вы-

 

 

 

 

 

 

ражении), в течение которого устройство

Выводная рамка

 

 

 

 

или система находятся в нерабочем состоя-

Прямоугольная

металлическая

рамка

нии (см. также Отказ).

(кристаллодержатель)

со

смонтированны-

Время спада

ми на ней выводами и соединительными

элементами, представляющая собой основ-

Период времени с момента инициации

ной элемент

корпуса ИС. При

монтаже

процесса выключения до его завершения,

корпуса кристалл соединяется с контактами

т.е. до того момента, когда ключ оказывает-

выводной рамки (которую иногда называют

ся в разомкнутом состоянии (этот момент

«пауком» из-за топологии выводов).

определяется как параметрами самого клю-

 

 

 

 

 

 

ча, так и требованиями к уровню входного

Выводной монтаж

 

 

 

 

сигнала; как правило, ключ считается за-

Способ монтажа компонентов на печатной

крытым при достижении 10% от исходного

плате, когда штыревые выводы компонен-

уровня сигнала).

та вставляются в сквозные отверстия, про-

Время хранения

сверленные в печатной плате.

 

 

 

 

 

 

 

Интервал времени, в течение которого со-

Выделенное аппаратное обеспечение

держимое ячейки памяти DRAM всё ещё

Аппаратные

средства,

предназначенные

является корректным, несмотря на процес-

для выполнения узко специализированных

сы утечки заряда (также используется тер-

задач.

 

 

 

 

 

мин «время обновления данных»).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 569 из 590 (September 6, 2010, 18:33)

 

 

 

 

 

 

 

 

16. Глоссарий 569

 

 

 

 

 

 

 

Высокая производительность

 

 

Гиратор

 

 

Важный, хотя и не совсем чётко заданный

1. Электронная схема, которая сдвигает фа-

критерий,

определяющий быстродействие

зу сигнала на 180°.

 

 

компьютерных систем и их отдельных ком-

2. Схема, которая обеспечивает ток, про-

понентов (см. также Whetstone).

 

порциональный

входному напряжению

Выход годных изделий

 

 

 

(источник тока).

 

 

 

 

 

 

 

 

Процент

полупроводниковых

устройств

Гнездо (розетка)

 

 

(микросхем),

признанных

годными (т.е.

Разъём, установленный на печатной плате и

удовлетворяющих определённым критери-

предназначенный для монтажа в него соот-

ям), по отношению ко всему объёму произ-

ветствующего электрического или элект-

ведённой продукции.

 

 

 

ронного компонента.

Выход

 

 

 

 

 

Горячие электроны

 

 

Точка, откуда «снимается» выходной сигнал

Свободные электроны, кинетическая (теп-

той или иной схемы.

 

 

 

ловая) энергия которых значительно боль-

Гарвардская архитектура

 

 

ше kT (k — постоянная Больцмана, Т— тем-

 

 

пература в градусах Кельвина).

Компьютерная

архитектура,

предусматри-

 

 

 

вающая хранение данных и кода программ

Гроува закон

 

 

в раздельных областях памяти (см. также

Эндрю Гроув, один из из основателей кор-

Фон-неймановская архитектура).

 

порации Intel, выступая в 1999 году на кон-

Генератор

 

 

 

 

 

ференции «Бизнес и технология в следую-

 

 

 

 

 

щем тысячелетии», обвинил боссов амери-

Электронная схема,

которая

генерирует

канской телекоммуникационной индустрии

(формирует) периодически изменяющийся

в стремлении получать прибыль не путём

выходной сигнал. На практике, почти все

расширения рынка и объёмов предоставля-

генераторы состоят из усилителя с положи-

емых услуг, а путём банального повышения

тельной обратной связью и частото-задаю-

тарифов, что, в свою очередь, сдерживает

щего элемента (см. также Кварц, VCO).

развитие новых

телекоммуникационных

 

 

 

 

 

 

 

Герц

 

 

 

 

 

технологий. В связи с этим он сформулиро-

Единица измерения частоты в международ-

вал «закон Гроува»: «…полоса пропускания

ной системе СИ. 1 Гц = 1 колебание в се-

телекоммуникационных систем США удва-

кунду. Названа в честь Генриха Герца, про-

ивается каждые 100 лет». Гроув также доба-

славившегося своими исследованиями ра-

вил: «Если бы мы (компания Intel) действо-

диоволн.

 

 

 

 

 

вали подобным образом, то до сих пор про-

Гетеропереход (гетероструктура)

 

давали бы процессоры 8086».

 

 

 

 

Граничный слой между двумя полупровод-

Групповое время задержки

никовыми

 

материалами,

 

например

Период времени, в течение которого в при-

AlAs/GaAs.

 

 

 

 

 

ёмное устройство по линии передачи посту-

Гибкий соединитель

 

 

 

пают различные составляющие сигнала, пе-

 

 

 

реданные в линию одновременно. В иде-

Волоконно-оптический соединитель, в ко-

альном случае, групповое время задержки

тором два сопрягаемых световода изогнуты

должно быть равно нулю, однако на прак-

под таким углом, чтобы свет выходил из

тике сказывается влияние эффекта диспер-

центра изгиба (см. также Паяный соедини-

сии (зависимости скорости распростране-

тель).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ния сигнала по линии передачи от частоты).

 

 

 

 

 

 

 

Гибрид

 

 

 

 

 

Таким образом, различные гармоники ис-

В общем смысле, это объединение двух раз-

ходного сигнала «прибывают» в приёмное

личных технологий.

 

 

 

устройство не одновременно. Это приводит

Гигабитный чип

 

 

 

 

к искажению формы сигнала, фазовым

 

 

 

 

сдвигам и вызванному этим снижению про-

Микросхема памяти, в состав которой вхо-

изводительности канала передачи.

дит 1 миллиард и

более

ячеек памяти

 

 

 

(230 = 109).

 

 

 

 

 

 

 

 

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 570 из 590 (September 6, 2010, 18:33)

Дарлингтона схема

 

 

Джампер (jumper)

Последовательное

включение транзисто-

Съёмная перемычка между электрическими

ров, при котором эмиттер первого транзис-

контактами; устанавливая или снимая её,

тора обеспечивает базовый ток для второго.

пользователь может задавать (выбирать) те

В результате получается чрезвычайно боль-

или иные функции устройства.

шое усиление по току.

 

Джиттер (jitter)

 

 

 

Датчик положения

 

 

Случайные непредсказуемые изменения

Датчик, выходной сигнал которого содер-

фазы периодического сигнала, выражаю-

жит информацию о текущем положении

щиеся в «дрожании» точки перехода через

контролируемого

объёкта

(относительно

нуль. В цифровых устройствах подобные

некой опорной точки). По принципу дейс-

флуктуации могут стать причиной наруше-

твия подобные датчики могут быть индук-

ния синхронизации.

тивными, ёмкостными, резистивными, оп-

Джоя закон

тическими или ультразвуковыми.

Открытый Биллом Джоем (Bill Joy), осно-

 

 

 

Двунаправленный

 

 

вателем компании Sun Microsystems, этот

1. В системах передачи данных — возмож-

закон гласит, что вычислительная мощ-

ность передачи в обоих направлениях, од-

ность процессоров имеет экспоненциаль-

новременно или в режиме разделения по

ную зависимость от времени. Так, RISC-

времени (см. также Дуплекс).

 

процессоры «соблюдают» эту закономер-

2. В матричных принтерах — возможность

ность вот уже с десяток лет (однако разви-

печати как на прямом, так и на обратном

тие CISC-процессоров происходило не-

проходе печатающей головки.

сколько медленнее). И ещё одна цитата из

3. В переключателях — возможность ком-

Б. Джоя: «Лучшие игроки на поле всегда в

мутации тока в обоих (прямом и обратном)

чужой команде».

направлениях.

 

 

Дизассемблер

 

 

 

Деградация

 

 

Программа, которая преобразует (трансли-

Для всех полупроводниковых электронных

рует) машинные коды в последовательность

компонентов, являющихся

источниками

команд на языке ассемблера.

электромагнитных излучений, с увеличени-

Дисковая операционная система

ем срока службы

наблюдается снижение

Наиболее хорошо известна MS-DOS, кото-

выходной мощности; причины этого до сих

рая была разработана компанией Microsoft

пор не вполне объяснимы.

 

 

и с 1981 года использовалась в качестве опе-

 

 

 

Декодер

 

 

рационной системы в компьютерах IBM

Устройство, предназначенное для декоди-

PC. Дисковая операционная система цели-

рования сигналов.

 

 

ком располагается на внешнем носителе

Декрементирование

 

 

данных и загружается с него.

 

 

 

Уменьшение значения числа на 1 (см. также

Дискретизация

Инкрементирование).

 

В системах обработки аналоговых сигна-

570 16. Глоссарий

 

лов — периодическая выборка (измерение)

 

 

Демодуляция

значения сигнала, как правило, с целью

Процесс восстановления исходного сигна-

последующего его преобразования в циф-

ла из модулированного сигнала (см. также

ровой сигнал (см. также Частота дискрети-

Модуляция).

зации).

 

Десятичная система счисления

Дифференциальный детектор

Международная стандартизированная сис-

Детектор, который реагирует на изменение

тема счисления с основанием десять.

сигнала.

 

Детектор

Диффузия

Устройство, предназначенное для обнару-

Спонтанное распределение молекул и/или

жения, распознавания и фиксирования (за-

носителей заряда внутри полупроводнико-

писи) электрических сигналов или других

вого материала.

физических явлений; чаще всего представ-

 

ляет собой электронную схему.

 

 

 

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 571 из 590 (September 6, 2010, 18:33)

 

 

16. Глоссарий 571

 

 

 

 

Драйвер

Затухание

Схема, к выходу которой подключается, как

Снижение уровня сигнала (потери) в элект-

минимум, одно внешнее устройство (схема)

рической схеме или в линии передачи;

или которая управляет, как минимум, од-

обычно выражается в дБ.

ним внешним устройством (см. также На-

Защёлка

грузочная способность по выходу).

Регистр, предназначенный для временного

 

 

Дробовой шум

сохранения (удержания) данных.

Шум, связанный с дискретностью носите-

Защита данных

лей заряда и проявляющийся в виде флук-

Законодательно регулируемая процедура,

туации токов и напряжений. Его уровень

ограничивающая возможность некоррект-

возрастает с увеличением амплитуды сигна-

ного использования персональной инфор-

ла и не зависит от температуры (см. также

мации, например несанкционированного

Шум).

доступа к ней сторонних лиц.

 

 

Дуплекс

Защита файлов

Возможность передачи информации по ка-

Меры по защите файлов в компьютере от

налу связи в обоих направлениях. Дуплекс-

несанкционированного доступа или пов-

ный режим означает, что информация пере-

реждения.

даётся одновременно и в прямом, и в обрат-

 

 

ном направлениях. В полудуплексных сис-

Зона локального перегрева (hot spot)

темах информация поочерёдно передаётся в

Некоторая точка на поверхности полупро-

одном или в другом направлении.

водникового кристалла, температура в ко-

Ёмкость (объём) памяти

торой очень сильно повышается вследс-

твие концентрации тепловой энергии, рас-

Общий объём памяти модуля памяти или

сеиваемой в процессе работы микросхемы.

иного носителя информации; выражается в

Производители полупроводниковых ком-

битах или байтах.

понентов всегда сталкиваются с необходи-

 

 

Зависание (блокировка)

мостью предсказывать и предотвращать по-

Ситуация, которая возникает, когда две

явление таких зон; поэтому обычно пред-

программы или два взаимодействующих

принимаются соответствующие меры по

между собой устройства ожидают друг от

оптимизации разводки соединений внутри

друга ответа (отклика), либо некое устройс-

микросхемы. Существует немало симуля-

тво ожидает наступления некоторого задан-

ционных программ, предназначенных для

ного события (условия). Поскольку даже

этой цели (см. также FEM).

при самом тщательном программировании

И2Л (I2L)

существует вероятность того, что в какой-то

Интегральная инжекционная логика (извес-

момент зависание системы всё-таки про-

тна также как логическая схема с «совме-

изойдёт, должны быть предусмотрены аппа-

щёнными» транзисторами). Тип цифровых

ратные механизмы, надёжно распознающие

логических микросхем, в которых использу-

ситуацию зависания (см. также Стороже-

ется совмещение в одной области полупро-

вой таймер).

водникового кристалла токозадающего (ин-

 

 

Загрузка

жекционного) p-n-p-транзистора и пере-

Процесс переписывания данных, храня-

ключающего n-p-n-транзистора (их базы

щихся на внешнем носителе, в рабочую па-

совмещены между собой). Микросхемы

мять компьютера, с тем чтобы они могли

И2Л характеризуются относительно высо-

быть прочитаны и обработаны процессо-

кой скоростью переключения и малым

ром.

энергопотреблением, а также высокой плот-

Запоминающее устройство

ностью интеграции (площадь, приходящая-

ся на один логический элемент И2Л, почти

Электронный функциональный блок, пред-

в 10 раз меньше, чем в микросхемах ТТЛ).

назначенный для сохранения информации

 

 

и последующей «выдачи» её в неизменном

Избыточность

виде (см. также Аналоговая схема, Логичес-

Дублирование функций в электронных уст-

кая схема).

ройствах. Смысл этого состоит в том, чтобы

 

 

предотвратить возможные сбои в работе

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]