
Шумахер У. Полупроводниковая электроника
.pdf
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 562 из 590 (September 4, 2010, 19:48)
SPICE (Simulation Program for In-Circuit |
SSPC (Solid State Power Controller) |
||||
Emulation) |
|
Твердотельный контроллер питания. |
|||
Популярная программа моделирования с |
SSR |
|
|
||
ориентацией на интегральные схемы (для |
|
|
|||
1. Solid State Relay — твердотельное реле. |
|||||
применения совместно с внутрисхемными |
|||||
2. Sub-Mode Suppression Rate — коэффици- |
|||||
эмуляторами). |
|
||||
|
ент подавления субмоды (для лазеров). |
||||
|
|
||||
SPT (Siemens Power Technology) |
STI (Shallow Trench Isolation) |
||||
Специальная |
технология производства |
||||
Изоляция с неглубокими канавками. |
|||||
мощных полупроводниковых компонентов, |
|||||
|
|
|
|||
разработанная компанией Siemens. Позво- |
STR (SelfTime Refresh) |
||||
ляет реализовывать в одном кристалле би- |
Специальный цикл обновления данных (в |
||||
полярные, КМОП- и ДМОП-структуры. |
микросхемах DRAM). |
||||
SQUID (Superconducting Quantum |
TAB (Tape Automated Bonding) |
||||
Interference Detector) |
Технология (устаревшая) автоматизирован- |
||||
Сверхпроводящий квантовый интерферен- |
ного монтажа с использованием ленты-но- |
||||
ционный датчик. |
сителя. |
|
|
||
SRAM (Static RAM) |
Tag |
|
|
||
Статическое ОЗУ. Ячейка памяти такого |
Тег — специальный программный иденти- |
||||
ОЗУ состоит из нескольких транзисторов и |
фикатор (признак), используется для конт- |
||||
фактически представляет собой триггер с |
роля состояния заданного объекта (см. так- |
||||
двумя устойчивыми состояниями. После |
же Семафор, Флаг). |
|
|||
переключения в одно из логических состоя- |
TFBGA (Thin Fine Pitch BGA) |
||||
ний оно может быть сброшено лишь путём |
|||||
Тонкий корпус с малым шагом матрицы |
|||||
подачи специального управляющего сигна- |
|||||
шариковых выводов. |
|||||
ла либо выключения питания. Именно поэ- |
|||||
|
|
|
|||
тому структура памяти данного типа назы- |
TFEL (Thin Film Electroluminescent Display) |
||||
вается статической (это вовсе не говорит о |
Тонкоплёночный |
электролюминесцент- |
|||
её быстродействии, которая выше, чем у |
ный дисплей. |
|
|||
микросхем DRAM). Однако ИС статичес- |
TF-FET (Thin Film FET) |
||||
кой памяти сложнее и, соответственно, до- |
|||||
Тонкоплёночный полевой транзистор (см. |
|||||
роже, чем ИС динамической памяти. |
|||||
также TFTLC). |
|
||||
|
|
|
|||
SSD (Solid State Disk) |
TFTLC (Thin Film Transistor Liquid Crystal) |
||||
Твердотельный (полупроводниковый) диск. |
|||||
ЖК дисплей тонкоплёночной технологии. |
|||||
|
|
||||
SSI (Small Scale Integration) |
THC (Through Hole Contact) |
||||
Малая степень |
интеграции. Микросхемы |
||||
Сквозной |
контакт. |
Металлизированное |
|||
этого типа содержат не более 10 активных |
|||||
сквозное отверстие в печатной плате, в ко- |
|||||
элементов (см. также MSI, LSI). |
|||||
торое вставляется соответствующий вывод |
|||||
|
|
||||
SSL |
|
монтируемого на этой плате компонента. |
|||
1. Solid State Logic — ИС на основе твердо- |
TQFP (Thin Quad Flat Pack) |
||||
тельной логики (т.е. на основе полупровод- |
|||||
Тонкий квадратный плоский корпус. Тип |
|||||
никовых схем). |
|
||||
|
корпуса ИС, отличающийся очень малой |
||||
2. Solid State Laser — твердотельный лазер. |
|||||
толщиной, благодаря чему ИС может быть с |
|||||
|
|
||||
SSOP (Shrink Small Outline Package) |
лёгкостью размещена на пластиковой кар- |
||||
Миниатюрный |
(малогабаритный) корпус |
те или ленте. |
|
||
(типа SO) из усадочной плёнки. Уменьшен- |
TQM (Total Quality Management) |
||||
ный корпус интегральных микросхем с вы- |
|||||
Полный |
контроль |
качества. Концепция, |
|||
водами, расположенными по двум длин- |
|
|
|
||
562 16. Глоссарий |
|
|
|
ным сторонам. Разновидность SOP-корпуса |
ориентированная на то, чтобы путём после- |
|
довательных улучшений качества продук- |
||
микросхем, предназначенного для поверх- |
||
ции достичь её соответствия заданным кри- |
||
ностного монтажа. |
||
териям качества. |
||
|
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 563 из 590 (September 4, 2010, 19:48)
|
|
|
|
|
|
|
|
16. Глоссарий |
563 |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
TRAPATT (TRApped Plasma Avalanche |
UJT (UniJunction Transistor) |
|
|
|
|
||||||||
Triggered Transit) |
|
|
Однопереходный транзистор. |
|
|
|
|||||||
Структура, используемая в лавинно-ключе- |
ULA (Uncommitted Logic Array) |
|
|
|
|||||||||
вых диодах (см. также IMPATT). |
|
|
|
||||||||||
Нескоммутированная логическая матрица. |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
TRIAC (TRIode Alternating Current) |
Полузаказная логическая ИС, которая мо- |
||||||||||||
Триодный переключатель переменного то- |
жет быть окончательно запрограмирована |
||||||||||||
ка; симистор. См. также DIAC. |
|
под выполнение тех или иных функций пу- |
|||||||||||
TriCore |
|
|
|
тём использования шаблона (маски) меж- |
|||||||||
|
|
|
соединений (см. также PLA). |
|
|
|
|||||||
Перспективная 32-битная архитектура мик- |
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
роконтроллеров, разработанная компанией |
ULSI (Ultra Large Scale Integration) |
|
|
|
|||||||||
Infineon с целью удовлетворить растущим |
Сверхвысокая степень интеграции; термин, |
||||||||||||
требованиям к производительности микро- |
означающий, что в состав ИС входит более |
||||||||||||
контроллеров. |
|
|
1 миллиона транзисторов (см. также VLSI). |
||||||||||
TSL (Tunable Semiconductor Laser) |
UMTS (Universal Mobile Telephone System) |
||||||||||||
Перестраиваемый полупроводниковый ла- |
Универсальная система мобильной теле- |
||||||||||||
зер. |
|
|
|
|
фонной связи. |
|
|
|
|
|
|||
TSOJ (Thin Small Outline J-lead) |
|
UQFP (Ultra thin QFP) |
|
|
|
|
|||||||
Тонкий малогабаритный корпус с J-образ- |
Ультратонкий корпус типа QFP. |
|
|
|
|||||||||
ными выводами. |
|
|
USART (Universal Synchronous Asynchronous |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
TSOP (Thin Small Outline Package) |
Receiver Transmitter) |
|
|
|
|
||||||||
Тонкий малогабаритный корпус. |
Универсальный |
синхронно-асинхронный |
|||||||||||
TSSOP (Thin Shrink Small Outline Package) |
приёмопередатчик. Универсальный модуль |
||||||||||||
интерфейса, осуществляющий обмен пос- |
|||||||||||||
Малогабаритный корпус уменьшенной тол- |
|||||||||||||
ледовательными данными с периферийным |
|||||||||||||
щины. |
|
|
|
||||||||||
|
|
|
оборудованием как в синхронном, так и в |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
TTL (Transistor-to-Transistor Logic) |
асинхронном режимах (см. также UART). |
||||||||||||
Транзисторно-транзисторная логика. Ещё |
USB (Universal Serial Bus) |
|
|
|
|
||||||||
недавно — наиболее распространённый тип |
|
|
|
|
|||||||||
Универсальная |
последовательная |
шина. |
|||||||||||
логических |
интегральных схем, основан- |
||||||||||||
Периферийная |
шина, позволяющая |
осу- |
|||||||||||
ный на использовании биполярных тран- |
|||||||||||||
ществлять «горячее» (т.е. непосредственно в |
|||||||||||||
зисторов в качестве логических элементов |
|||||||||||||
процессе работы) подключение перифе- |
|||||||||||||
(вентилей). |
|
|
|
||||||||||
|
|
|
рийных устройств. В персональных ком- |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||
TWA (Traveling Wave semiconductor optical |
пьютерах интерфейс USB заменил такие |
||||||||||||
Amplifier) |
|
|
|
интерфейсы, как RS-232 и Centronics. |
|
|
|||||||
Полупроводниковый оптический усилитель |
VCD (Variable Capacitance Diode) |
|
|
|
|||||||||
на |
лампе |
бегущей |
волны |
(см. также |
|
|
|
||||||
Диод переменной емкости, варикап. |
|
|
|
||||||||||
TWSLA). |
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
TWSLA (Traveling Wave Semiconductor Laser |
VDE (Verband der Elektrotechnik, Elektronik |
||||||||||||
und Informationstechnik) |
|
|
|
|
|||||||||
Amplifier) |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
Германская |
ассоциация |
производителей |
||||||||
Полупроводниковый |
лазерный усилитель |
||||||||||||
электротехники, электроники и информа- |
|||||||||||||
на лампе бегущей волны (см. также SCLA, |
|||||||||||||
ционных технологий со штаб-квартирой во |
|||||||||||||
TWA). |
|
|
|
||||||||||
|
|
|
Франкфурте-на-Майне. |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
UART (Universal Asynchronous |
|
VDI (Verein Deuscher Ingcnieure) |
|
|
|
||||||||
Receiver/Transmitter) |
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
Германская |
ассоциация |
инженеров |
со |
||||||||
Универсальный асинхронный приёмопере- |
|||||||||||||
штаб-квартирой в Дюссельдорфе. |
|
|
|
||||||||||
датчик. Интерфейсный модуль периферий- |
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
ного |
оборудования, |
осуществляющий в |
VDL (Visible Diode Laser) |
|
|
|
|
||||||
асинхронном режиме операции по обмену |
Лазерный диод, излучающий в видимой |
||||||||||||
последовательными |
данными |
(см. также |
(красной) области спектра. |
|
|
|
|
||||||
USART, V.24). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 564 из 590 (September 4, 2010, 19:48)
564 16. Глоссарий
VDMOS (Vertical Double diffused MOS) |
Wafer |
|
|
|
|
|
Двухдиффузионная вертикальная МОП- |
Пластина или диск из полупроводникового |
|||||
структура. |
материала, на которой в процессе пошаго- |
|||||
VDR (Voltage Dependent Resistor) |
вой обработки формируется большое коли- |
|||||
чество одинаковых кристаллов (чипов). |
||||||
Нелинейный резистор (его сопротивление |
||||||
|
|
|
|
|
||
зависит от приложенного напряжения). |
WAP (Wireless Application Protocol) |
|||||
Verilog |
Протокол беспроводных приложений (бес- |
|||||
проводного доступа). |
|
|
||||
Язык описания технических средств, наи- |
|
|
||||
|
|
|
|
|
||
более широко распространённый в США |
WARC (World Administrative Radio |
|||||
(см. также HDL, VHDL). |
Conference) |
|
|
|
|
|
VFET (Vertical Field Effect Transistor) |
Всемирная |
административная |
конферен- |
|||
ция по радиочастотам. Международная ор- |
||||||
Полевой транзистор с вертикальной струк- |
||||||
ганизация, которая осуществляет распреде- |
||||||
турой (см. также VDMOS, VMOS). |
||||||
ление доступных радиочастот между раз- |
||||||
|
||||||
VHDL (VHSIC HDL) |
личными регионами мира и отдельными го- |
|||||
Алгоритмический язык описания аппарату- |
сударствами. |
|
|
|
||
ры сверхбыстродействующих интеграль- |
WE (Write Enable) |
|
|
|||
ных схем. Используется, главным образом, |
|
|
||||
Сигнал разрешения записи; управляет про- |
||||||
в Европе при разработке микросхем (см. |
||||||
цессом записи информации в микросхемы |
||||||
также Verilog, HDL, VHSIC). |
||||||
памяти (см. также W). |
|
|
||||
|
|
|
||||
VHSIC (Very High Speed Integrated Circuit) |
Whetstone |
|
|
|
|
|
Технология производства сверхбыстродейс- |
|
|
|
|
||
Тестовая программа, предназначенная для |
||||||
твующих ИС и язык их описания и разра- |
||||||
сравнения |
характеристик |
производитель- |
||||
ботки. |
||||||
ности различных компьютеров и получив- |
||||||
|
||||||
VLD (Visible Laser Diode) |
шая свой название по месту разработки — |
|||||
Лазерный диод, излучающий в видимой |
городу Уэтстон (Whetstone) в Великобрита- |
|||||
(красной) области спектра. |
нии. Программа написана на языках |
|||||
VLSI (Very Large Scale Integration) |
ALGOL и FORTRAN; поддерживаются вер- |
|||||
сии с одинарной (32-битной) |
и двойной |
|||||
Сверхвысокая степень интеграции, сверх- |
||||||
(64-битной) точностью. |
|
|
||||
большая ИС (СБИС), когда количество |
|
|
||||
|
|
|
|
|
||
элементов в одной ИС превышает (иногда |
WPB (Write per Bit) |
|
|
|||
во много раз) 1000 (см. также LSI, MSI). |
Режим побитовой записи данных в ОЗУ. |
|||||
VMOS (Vertical (также V-Groove) MOS) |
WSI (Wafer Scale Integration) |
|
||||
Вертикальная МОП-структура, МОП- |
Интеграция в масштабе (целой) пластины. |
|||||
структура с V-образной канавкой. Быстро- |
Технология |
разработки |
и производства |
|||
действуюшая MOSFET-структура с V-об- |
электронных устройств, полностью разме- |
|||||
разным, коротким каналом (см. также |
щаемых на |
одной полупроводниковой |
||||
VFET). |
пластине. |
|
|
|
|
|
VQFP (Very thin QFP) |
WSTS (World Semiconductor Trade Statistics) |
|||||
Сверхтонкий корпус типа QFP. |
Мировая статистика продаж полупровод- |
|||||
VRAM (Video RAM) |
никовых компонентов. |
|
|
|||
|
|
|
|
|
||
Собственное ОЗУ видеокарты компьютера, |
XDSL (X Digital Subscriber Line) |
|
||||
предназначенное для хранения графичес- |
Аббревиатура, |
обозначающая |
совокуп- |
|||
кой информации (изображений). В настоя- |
ность различных технологий |
реализации |
||||
щее время вместо модулей VRAM использу- |
систем цифровой абонентской линии, т.е. |
|||||
ется SGRAM. |
широкополосной передачи цифровых дан- |
|||||
VTL (Variable Threshold Logic) |
ных с использованием абонентских шлей- |
|||||
фов на основе стандартной витой пары мед- |
||||||
Логические схемы с переменным порогом. |
||||||
ных проводников. В зависимости от конфи- |
||||||
|
||||||
W (Write) |
гурации подобной системы, символ «X» за- |
|||||
Запись; см. WE. |
меняется |
на |
соответствующий символ |
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 565 из 590 (September 6, 2010, 18:33)
|
|
|
|
|
|
16. Глоссарий |
565 |
||
|
|
|
|
|
|
||||
(наиболее |
распространёнными |
являются |
компьютер и служит для сопряжения раз- |
||||||
стандарты ADSL и HDSL). |
|
|
личных интерфейсов или соединения с |
||||||
X-лучи (рентгеновское излучение) |
нестандартными устройствами. |
|
|
||||||
|
|
|
|
||||||
Самое коротковолновое электромагнитное |
Адаптивное управление |
|
|
||||||
излучение (длина волны менее 30 нм). От- |
Методика управления с использованием |
||||||||
крыто в конце XIX века Вильгельмом Кон- |
контрольных алгоритмов адаптации к теку- |
||||||||
радом Рентгеном, который дал ему назва- |
щим условиям среды. |
|
|
||||||
ние X-лучи, т.е. лучи, неизвестные науке |
Адресация |
|
|
|
|||||
(на момент своего открытия). |
|
|
|
|
|||||
|
Обращение (активация) к определённой |
||||||||
|
|
|
|
|
|||||
ZIP (Zigzag-In-line Package) |
|
|
ячейке или группе ячеек памяти. |
|
|
||||
Плоский корпус с зигзагообразно располо- |
Адресное пространство |
|
|
||||||
женными штырьковыми выводами. Высо- |
|
|
|||||||
Максимальный объём памяти, которая мо- |
|||||||||
кая плотность компоновки ИС достигается |
|||||||||
жет быть адресована в компьютере. |
|
|
|||||||
за счёт использования так называемой па- |
|
|
|||||||
|
|
|
|
||||||
нельной (push-through) технологии с верти- |
Адсорбция |
|
|
|
|||||
кальным размещением кристаллов. |
Физический процесс поглощения газов или |
||||||||
ZVEI (Zentralverband Elektrotechnik-und |
частиц вещества |
поверхностным |
слоем |
||||||
твёрдого тела. |
|
|
|
||||||
Elektronikindustrie) |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
Германская |
ассоциация |
производителей |
Аккумулятор |
|
|
|
|||
электроники со штаб-квартирой во Франк- |
1. Устройство, предназначенное для накоп- |
||||||||
фурте-на-Майне. |
|
|
ления энергии (в виде электрического заря- |
||||||
ZZF (Zentralamt fur Zulassungen im |
да) и её последующей передачи потребите- |
||||||||
лям. В отличие от первичных источников то- |
|||||||||
Fernmeldewesen) |
|
|
|||||||
|
|
ка (гальванических элементов), аккумулятор |
|||||||
Германское |
центральное |
аттестационное |
|||||||
рассчитан на большое количество циклов за- |
|||||||||
бюро по телекоммуникациям со штаб-квар- |
|||||||||
рядки/разрядки. В |
определённом смысле, |
||||||||
тирой в г. Саарбрюкен. Переименовано в |
|||||||||
любой конденсатор также можно рассматри- |
|||||||||
BZT. |
|
|
|
||||||
|
|
|
вать как аккумулятор. Однако на практике |
||||||
|
|
|
|
|
|||||
Автоматизация |
|
|
такие «аккумуляторы» оказываются неэф- |
||||||
Оснащение технической системы автома- |
фективными, поэтому повсеместно приме- |
||||||||
тическими устройствами. |
|
|
няются электрохимические устройства. |
||||||
Автоматическая тест-машина |
|
2. Регистр процессорного ядра, предназна- |
|||||||
|
ченный для осуществления арифметичес- |
||||||||
Устройство, |
которое автоматически осу- |
||||||||
ких или логических операций (например, |
|||||||||
ществляет испытания тех или иных образ- |
|||||||||
суммирования). |
|
|
|
||||||
цов полупроводниковых изделий, исполь- |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
||||||
зуя предварительно заданный набор пара- |
Активная область |
|
|
|
|||||
метров и процедур. |
|
|
В электронике — электрически или опти- |
||||||
Автоматическое устройство |
|
|
чески эффективная область компонента. |
||||||
|
|
|
|
|
|
||||
Устройство (робот), которое при поступле- |
Активный компонент |
|
|
|
|||||
нии соответствующей команды со схемы |
В отличие от пассивного компонента, дан- |
||||||||
управления |
(триггера) в |
автоматическом |
ный компонент может увеличивать полез- |
||||||
режиме выполняет заданную последова- |
ную электрическую мощность сигнала (см. |
||||||||
тельность операций. |
|
|
также Усиление). Активные компоненты — |
||||||
Адаптер |
|
|
|
это в основном полупроводниковые прибо- |
|||||
|
|
|
ры, но иногда (пока ещё) и электровакуум- |
||||||
Соединительное устройство (переходник), |
|||||||||
ные приборы. |
|
|
|
||||||
предназначенное для сопряжения систем, |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
||||||
отличающихся по уровням сигналов, синх- |
Активный фильтр |
|
|
|
|||||
ронизации, а также для механического со- |
Схема фильтра со встроенным усилителем, |
||||||||
пряжения и т.п. Примером такого устройс- |
что позволяет улучшить характеристики |
||||||||
тва является дополнительная |
(сменная) |
фильтра (ср. фильтр Баттерворта, фильтр |
|||||||
карта расширения, которая вставляется в |
Бесселя, фильтр Чебышева). |
|
|

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 566 из 590 (September 6, 2010, 18:33)
566 16. Глоссарий
АЛУ |
|
|
|
|
|
сываются в виде мнемонических кодов, |
||||
Арифметико-логическое устройство — один |
каждому из этих кодов соответствуют опре- |
|||||||||
из важнейших модулей электронного ком- |
делённые машинные коды (см. также Ас- |
|||||||||
пьютера. |
|
|
|
|
|
семблирование). Достоинствами языка ас- |
||||
Аналоговая схема |
|
|
|
|
семблера |
являются ускоренная |
обработка |
|||
|
|
|
|
последовательностей команд и непосредс- |
||||||
Электронный функциональный блок, гене- |
||||||||||
твенный доступ к аппаратным средствам |
||||||||||
рирующий или обрабатывающий аналого- |
||||||||||
системы. Однако он не столь интуитивно |
||||||||||
вые сигналы (см. также Логическая схема, |
||||||||||
понятен |
и удобен в использовании, как |
|||||||||
Память). |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
языки программирования высокого уровня. |
|||||
|
|
|
|
|
|
|||||
Аналого-цифровой преобразователь (АЦП) |
Ассемблирование |
|
|
|||||||
Преобразователь |
аналогового |
сигнала в |
|
|
||||||
В программировании — преобразование |
||||||||||
цифровой код (см. также ЦАП). |
|
|
||||||||
|
|
(компилирование) программы, написанной |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||
Анион |
|
|
|
|
|
на языке ассемблера, в последовательность |
||||
Отрицательно заряженный ион (см. также |
соответствующих машинных кодов. |
|||||||||
Катион). |
|
|
|
|
|
Ассоциативное ЗУ |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Анод |
|
|
|
|
|
Запоминающее устройство (память с адре- |
||||
Положительно заряженный электрод. |
|
сацией по содержанию), обращение к ячей- |
||||||||
Аппаратная ловушка |
|
|
|
кам которого осуществляется не по фикси- |
||||||
|
|
|
рованным адресам или позиции в адресном |
|||||||
Условие стопа, реализуемое в процессе тес- |
||||||||||
пространстве, а на основе анализа данных, |
||||||||||
тирования (отладки) микроконтроллерной |
||||||||||
содержащихся в этих ячейках. |
|
|||||||||
системы. |
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Аппаратная ошибка |
|
|
|
Аттестация |
|
|
||||
|
|
|
Результат испытаний, в ходе которых изме- |
|||||||
Постоянная (систематическая) ошибка, |
||||||||||
ряются и оцениваются все основные харак- |
||||||||||
вызванная |
неисправностью |
аппаратуры |
||||||||
теристики электронного компонента. Лишь |
||||||||||
(см. также Программная ошибка). |
|
|||||||||
|
после проведения этой процедуры можно с |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||
Аппаратное обеспечение |
|
|
|
достоверностью утверждать, что компо- |
||||||
Оборудование, |
«железо», |
материальная |
нент подходит для использования по назна- |
|||||||
часть компьютера. Сюда не относятся про- |
чению (см. также Сертификация). |
|||||||||
граммы и данные, для которых применяет- |
База |
|
|
|
||||||
ся термин «программное обеспечение». |
|
|
|
|||||||
Очень тонкий полупроводниковый слой в |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|||||
Аппаратный (Hard-wired) |
|
|
|
биполярном транзисторе с одним гранич- |
||||||
Постоянно |
подключённый |
процессорный |
ным слоем к коллектору и одним — к эмит- |
|||||||
блок на микроконтроллере. |
|
|
|
теру. |
|
|
|
|||
Аррениуса закон |
|
|
|
|
Байт |
|
|
|
||
Закон, в соответствии с которым интенсив- |
Единица измерения информации, а также |
|||||||||
ность отказов полупроводниковых компо- |
логически единая группа из 8 бит (обеспе- |
|||||||||
нентов увеличивается экспоненциально с |
чивает кодирование 256 комбинаций чи- |
|||||||||
ростом температуры. |
|
|
|
сел). Слово «байт» (byte) образовано как |
||||||
Аррениуса модель |
|
|
|
|
производное от |
английского |
выражения |
|||
|
|
|
|
«By Eight» («по |
8»); иногда используется |
|||||
Модель, используемая при испытаниях по- |
||||||||||
термин «октет» (см. также Полубайт). |
||||||||||
лупроводниковых компонентов на надёж- |
||||||||||
|
|
|
|
|||||||
ность. В данной модели повышение интен- |
Баркгаузена эффект |
|
||||||||
сивности |
отказов рассматривается |
как |
Одновременное и иногда слышимое свора- |
|||||||
следствие возрастания температуры компо- |
чивание молекулярных структур (ферро- |
|||||||||
нентов (см. также Эйринга модель, Пека мо- |
магнитных доменов), которое происходит, |
|||||||||
дель). |
|
|
|
|
|
когда определённые материалы подверга- |
||||
Ассемблер |
|
|
|
|
|
ются |
перемагничиванию. |
Открыт |
||
|
|
|
|
|
Г. Баркгаузеном в 1917 году. |
|
||||
Машинно-ориентированный |
язык |
про- |
|
|||||||
|
|
|
|
граммирования, в котором команды запи-

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 567 из 590 (September 6, 2010, 18:33)
16. Глоссарий 567
Барнета эффект |
|
|
же, как и единственное, т.е. «бит» (напри- |
|||||
Явление, наблюдаемое в некоторых ферро- |
мер, объём |
памяти составляет |
16 бит). |
|||||
магнитных материалах самопроизвольной |
В прочих же случаях слово «бит» пишется в |
|||||||
намагниченности при простом вращении в |
соответствии с правилами русского языка |
|||||||
отсутствии внешнего магнитного поля. |
(например, два последних бита в слове дан- |
|||||||
Безопасность данных |
|
|
ных). |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|||
Защита данных от несанкционированного |
Боде диаграмма |
|
|
|||||
доступа или от физических повреждений. |
Способ отображения частотной зависимос- |
|||||||
Бета-версия |
|
|
ти амплитуды и/или фазы в электрической |
|||||
|
|
цепи на круговой диаграмме. |
|
|||||
Предварительная версия аппаратного или |
|
|||||||
|
|
|
|
|||||
программного обеспечения. Обычно вы- |
Брак |
|
|
|
||||
пускается с целью тестирования («обкат- |
Продукция, качество которой не соответ- |
|||||||
ки») в реальных условиях. |
|
ствует заданным требованиям. |
|
|||||
Библиотека стандартных элементов (ASIC |
Булева алгебра |
|
|
|||||
library) |
|
|
|
Разработанная |
Джорджем Булем |
система |
||
Набор типовых схемотехнических реше- |
операций над |
логическими величинами, |
||||||
ний, позволяющих |
реализовывать такие |
которая особенно хорошо подходит для |
||||||
функции, как логические вентили, счётчи- |
применения в цифровых технологиях. |
|||||||
ки, мультиплексоры и т.д. |
|
Бута алгоритм |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|||
Бинарный файл |
|
|
Алгоритм, реализующий быстрое поэтап- |
|||||
Файл, который состоит из последователь- |
ное перемножение и деление двоичных чи- |
|||||||
ности 8-битных данных или исполняемых |
сел. Данный алгоритм часто используется |
|||||||
кодов. |
|
|
|
при обработке сигналов в микроконтролле- |
||||
Бинарный |
|
|
|
рах и DSP-процессорах. |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
||
Двоичный, состоящий из двух компонен- |
Варистор |
|
|
|
||||
тов. Работа всех современных цифровых |
Пассивный |
полупроводниковый |
компо- |
|||||
компьютеров основана на использовании |
нент. Величина его сопротивления электри- |
|||||||
двоичных кодов (см. также Троичный). |
ческому току зависит от приложенного на- |
|||||||
Биполярный |
|
|
пряжения (см. также VDR). Часто применя- |
|||||
|
|
ется в качестве ограничителя выбросов на- |
||||||
Свойство |
полупроводниковых |
компонен- |
||||||
пряжения (см. Выбросы). |
|
|||||||
тов, в которых используются как p-, так и n- |
|
|||||||
|
|
|
|
|||||
области. Простейшей структурой является |
Вентиль |
|
|
|
||||
p-n-диод (см. также Униполярный). |
Электронный логический элемент, реализу- |
|||||||
Бистабильный |
|
|
ющий ту или иную логическую операцию |
|||||
|
|
(например, И-НЕ, И, ИЛИ, и т.д.; см. также |
||||||
Данный термин относится к описанию сис- |
||||||||
Булева алгебра). |
|
|
||||||
тем или компонентов, имеющих два воз- |
|
|
||||||
|
|
|
|
|||||
можных |
рабочих |
состояния, |
например |
Вентильная матрица |
|
|||
«включено» и «выключено». |
|
Данный тип заказных интегральных микро- |
||||||
Бит переноса |
|
|
схем (при его описании употребляются так- |
|||||
|
|
же термины ASIC и логическая матрица) |
||||||
Позиция |
бита, который сигнализирует о |
|||||||
представляет собой размещённый на полу- |
||||||||
наличии переполнения (переноса) при вы- |
||||||||
проводниковом кристалле массив базовых |
||||||||
полнении операции сложения. |
|
|||||||
|
логических ячеек (вентилей). Связь между |
|||||||
|
|
|
|
|||||
Бит |
|
|
|
ними осуществляется через проводящие ка- |
||||
Минимальная единица измерения инфор- |
налы, проложенные в кристалле (так назы- |
|||||||
мации, соответствующая одному разряду |
ваемая канальная технология вентильной |
|||||||
двоичного числа, которая содержит инфор- |
матрицы). Каждый вентиль содержит от 2 |
|||||||
мацию об одном из двух возможных состоя- |
до 8 транзисторов. Лишь на самом послед- |
|||||||
ний. Множественное число для этого тер- |
нем этапе производства ИС на поверхность |
|||||||
мина, если речь идёт о количественном вы- |
кристалла наносится слой, предназначен- |
|||||||
ражении единиц информации, пишется так |
ный для коммутации вентилей с целью реа- |

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 568 из 590 (September 6, 2010, 18:33)
568 16. Глоссарий
лизации заданных логических функций. |
Встречно-параллельно |
|
|
|
|||
Единственный недостаток данной техноло- |
Тип схемы включения, при которой два ди- |
||||||
гии состоит в том, что большая часть чипа |
ода соединяются параллельно в противопо- |
||||||
остаётся незадействованной. |
ложных направлениях. |
|
|
||||
Вибростенд |
ВЧ (HF) |
|
|
|
|
|
|
Установка для испытаний полупроводнико- |
Высокие частоты. Не совсем чётко опреде- |
||||||
вых компонентов и оборудования на устой- |
лённый частотный диапазон, в нижней час- |
||||||
чивость к вибрациям. |
ти которого располагается область радио- |
||||||
Вложение программ |
частот, наиболее |
часто |
используемых на |
||||
практике. |
|
|
|
|
|
||
Вызов подпрограмм из уже выполняющей- |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
ся подпрограммы. |
Выборка и хранение |
|
|
|
|||
Восьмеричный |
Метод дискретизации, когда определяется |
||||||
мгновенное значение измеряемой перемен- |
|||||||
Термин относится к числам, представлен- |
|||||||
ной величины (например, напряжения) и |
|||||||
ным в системе счисления по основанию 8 |
|||||||
запоминается в аналоговом буфере. |
|||||||
(см. также Двоичный, Десятичный, Шест- |
|||||||
|
|
|
|
|
|
||
надцатеричный). |
Выборка с упреждением |
|
|
||||
Время нарастания |
Концепция работы с запоминающими уст- |
||||||
ройствами длительного хранения данных, |
|||||||
Период времени с момента инициации |
|||||||
когда содержимое ячеек памяти, к которым |
|||||||
процесса включения до его завершения, т.е. |
|||||||
вероятно вскоре будет производиться обра- |
|||||||
до того момента, когда ключ оказывается в |
|||||||
щение, заранее переписывается в кэш. |
|||||||
открытом состоянии (этот момент опреде- |
|||||||
|
|
|
|
|
|
||
ляется как параметрами самого ключа, так |
Выбраковка |
|
|
|
|
|
|
и требованиями к уровню входного сигна- |
Сортировка партии продукции и исключе- |
||||||
ла; как правило, ключ считается открытым |
ние из неё изделий с дефектами качества. |
||||||
при достижении 90% от уровня сигнала). |
Выбросы (spike) |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|||
Время предзаряда |
Неконтролируемые |
импульсы |
напряже- |
||||
Время, которое требуется запоминающему |
ния, возникающие при переключательных |
||||||
устройству, для обновления данных. |
и тому подобных процессах. Выбросы на- |
||||||
Время простоя |
пряжения могут привести к генерации зна- |
||||||
чительных электромагнитных помех. |
|||||||
Время (в абсолютном или процентном вы- |
|||||||
|
|
|
|
|
|
||
ражении), в течение которого устройство |
Выводная рамка |
|
|
|
|
||
или система находятся в нерабочем состоя- |
Прямоугольная |
металлическая |
рамка |
||||
нии (см. также Отказ). |
(кристаллодержатель) |
со |
смонтированны- |
||||
Время спада |
ми на ней выводами и соединительными |
||||||
элементами, представляющая собой основ- |
|||||||
Период времени с момента инициации |
|||||||
ной элемент |
корпуса ИС. При |
монтаже |
|||||
процесса выключения до его завершения, |
|||||||
корпуса кристалл соединяется с контактами |
|||||||
т.е. до того момента, когда ключ оказывает- |
|||||||
выводной рамки (которую иногда называют |
|||||||
ся в разомкнутом состоянии (этот момент |
|||||||
«пауком» из-за топологии выводов). |
|||||||
определяется как параметрами самого клю- |
|||||||
|
|
|
|
|
|
||
ча, так и требованиями к уровню входного |
Выводной монтаж |
|
|
|
|
||
сигнала; как правило, ключ считается за- |
Способ монтажа компонентов на печатной |
||||||
крытым при достижении 10% от исходного |
плате, когда штыревые выводы компонен- |
||||||
уровня сигнала). |
та вставляются в сквозные отверстия, про- |
||||||
Время хранения |
сверленные в печатной плате. |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
||
Интервал времени, в течение которого со- |
Выделенное аппаратное обеспечение |
||||||
держимое ячейки памяти DRAM всё ещё |
Аппаратные |
средства, |
предназначенные |
||||
является корректным, несмотря на процес- |
для выполнения узко специализированных |
||||||
сы утечки заряда (также используется тер- |
задач. |
|
|
|
|
|
|
мин «время обновления данных»). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 569 из 590 (September 6, 2010, 18:33) |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
16. Глоссарий 569 |
||
|
|
|
|
|
|
|
||||
Высокая производительность |
|
|
Гиратор |
|
|
|||||
Важный, хотя и не совсем чётко заданный |
1. Электронная схема, которая сдвигает фа- |
|||||||||
критерий, |
определяющий быстродействие |
зу сигнала на 180°. |
|
|
||||||
компьютерных систем и их отдельных ком- |
2. Схема, которая обеспечивает ток, про- |
|||||||||
понентов (см. также Whetstone). |
|
порциональный |
входному напряжению |
|||||||
Выход годных изделий |
|
|
|
(источник тока). |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|||||
Процент |
полупроводниковых |
устройств |
Гнездо (розетка) |
|
|
|||||
(микросхем), |
признанных |
годными (т.е. |
Разъём, установленный на печатной плате и |
|||||||
удовлетворяющих определённым критери- |
предназначенный для монтажа в него соот- |
|||||||||
ям), по отношению ко всему объёму произ- |
ветствующего электрического или элект- |
|||||||||
ведённой продукции. |
|
|
|
ронного компонента. |
||||||
Выход |
|
|
|
|
|
Горячие электроны |
|
|
||
Точка, откуда «снимается» выходной сигнал |
Свободные электроны, кинетическая (теп- |
|||||||||
той или иной схемы. |
|
|
|
ловая) энергия которых значительно боль- |
||||||
Гарвардская архитектура |
|
|
ше kT (k — постоянная Больцмана, Т— тем- |
|||||||
|
|
пература в градусах Кельвина). |
||||||||
Компьютерная |
архитектура, |
предусматри- |
||||||||
|
|
|
||||||||
вающая хранение данных и кода программ |
Гроува закон |
|
|
|||||||
в раздельных областях памяти (см. также |
Эндрю Гроув, один из из основателей кор- |
|||||||||
Фон-неймановская архитектура). |
|
порации Intel, выступая в 1999 году на кон- |
||||||||
Генератор |
|
|
|
|
|
ференции «Бизнес и технология в следую- |
||||
|
|
|
|
|
щем тысячелетии», обвинил боссов амери- |
|||||
Электронная схема, |
которая |
генерирует |
||||||||
канской телекоммуникационной индустрии |
||||||||||
(формирует) периодически изменяющийся |
||||||||||
в стремлении получать прибыль не путём |
||||||||||
выходной сигнал. На практике, почти все |
||||||||||
расширения рынка и объёмов предоставля- |
||||||||||
генераторы состоят из усилителя с положи- |
||||||||||
емых услуг, а путём банального повышения |
||||||||||
тельной обратной связью и частото-задаю- |
||||||||||
тарифов, что, в свою очередь, сдерживает |
||||||||||
щего элемента (см. также Кварц, VCO). |
||||||||||
развитие новых |
телекоммуникационных |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||
Герц |
|
|
|
|
|
технологий. В связи с этим он сформулиро- |
||||
Единица измерения частоты в международ- |
вал «закон Гроува»: «…полоса пропускания |
|||||||||
ной системе СИ. 1 Гц = 1 колебание в се- |
телекоммуникационных систем США удва- |
|||||||||
кунду. Названа в честь Генриха Герца, про- |
ивается каждые 100 лет». Гроув также доба- |
|||||||||
славившегося своими исследованиями ра- |
вил: «Если бы мы (компания Intel) действо- |
|||||||||
диоволн. |
|
|
|
|
|
вали подобным образом, то до сих пор про- |
||||
Гетеропереход (гетероструктура) |
|
давали бы процессоры 8086». |
||||||||
|
|
|
|
|||||||
Граничный слой между двумя полупровод- |
Групповое время задержки |
|||||||||
никовыми |
|
материалами, |
|
например |
Период времени, в течение которого в при- |
|||||
AlAs/GaAs. |
|
|
|
|
|
ёмное устройство по линии передачи посту- |
||||
Гибкий соединитель |
|
|
|
пают различные составляющие сигнала, пе- |
||||||
|
|
|
реданные в линию одновременно. В иде- |
|||||||
Волоконно-оптический соединитель, в ко- |
||||||||||
альном случае, групповое время задержки |
||||||||||
тором два сопрягаемых световода изогнуты |
||||||||||
должно быть равно нулю, однако на прак- |
||||||||||
под таким углом, чтобы свет выходил из |
||||||||||
тике сказывается влияние эффекта диспер- |
||||||||||
центра изгиба (см. также Паяный соедини- |
||||||||||
сии (зависимости скорости распростране- |
||||||||||
тель). |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
ния сигнала по линии передачи от частоты). |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
||||
Гибрид |
|
|
|
|
|
Таким образом, различные гармоники ис- |
||||
В общем смысле, это объединение двух раз- |
ходного сигнала «прибывают» в приёмное |
|||||||||
личных технологий. |
|
|
|
устройство не одновременно. Это приводит |
||||||
Гигабитный чип |
|
|
|
|
к искажению формы сигнала, фазовым |
|||||
|
|
|
|
сдвигам и вызванному этим снижению про- |
||||||
Микросхема памяти, в состав которой вхо- |
||||||||||
изводительности канала передачи. |
||||||||||
дит 1 миллиард и |
более |
ячеек памяти |
||||||||
|
|
|
||||||||
(230 = 109). |
|
|
|
|
|
|
|
|

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 570 из 590 (September 6, 2010, 18:33)
Дарлингтона схема |
|
|
Джампер (jumper) |
|
Последовательное |
включение транзисто- |
Съёмная перемычка между электрическими |
||
ров, при котором эмиттер первого транзис- |
контактами; устанавливая или снимая её, |
|||
тора обеспечивает базовый ток для второго. |
пользователь может задавать (выбирать) те |
|||
В результате получается чрезвычайно боль- |
или иные функции устройства. |
|||
шое усиление по току. |
|
Джиттер (jitter) |
||
|
|
|
||
Датчик положения |
|
|
Случайные непредсказуемые изменения |
|
Датчик, выходной сигнал которого содер- |
фазы периодического сигнала, выражаю- |
|||
жит информацию о текущем положении |
щиеся в «дрожании» точки перехода через |
|||
контролируемого |
объёкта |
(относительно |
нуль. В цифровых устройствах подобные |
|
некой опорной точки). По принципу дейс- |
флуктуации могут стать причиной наруше- |
|||
твия подобные датчики могут быть индук- |
ния синхронизации. |
|||
тивными, ёмкостными, резистивными, оп- |
Джоя закон |
|||
тическими или ультразвуковыми. |
||||
Открытый Биллом Джоем (Bill Joy), осно- |
||||
|
|
|
||
Двунаправленный |
|
|
вателем компании Sun Microsystems, этот |
|
1. В системах передачи данных — возмож- |
закон гласит, что вычислительная мощ- |
|||
ность передачи в обоих направлениях, од- |
ность процессоров имеет экспоненциаль- |
|||
новременно или в режиме разделения по |
ную зависимость от времени. Так, RISC- |
|||
времени (см. также Дуплекс). |
|
процессоры «соблюдают» эту закономер- |
||
2. В матричных принтерах — возможность |
ность вот уже с десяток лет (однако разви- |
|||
печати как на прямом, так и на обратном |
тие CISC-процессоров происходило не- |
|||
проходе печатающей головки. |
сколько медленнее). И ещё одна цитата из |
|||
3. В переключателях — возможность ком- |
Б. Джоя: «Лучшие игроки на поле всегда в |
|||
мутации тока в обоих (прямом и обратном) |
чужой команде». |
|||
направлениях. |
|
|
Дизассемблер |
|
|
|
|
||
Деградация |
|
|
Программа, которая преобразует (трансли- |
|
Для всех полупроводниковых электронных |
рует) машинные коды в последовательность |
|||
компонентов, являющихся |
источниками |
команд на языке ассемблера. |
||
электромагнитных излучений, с увеличени- |
Дисковая операционная система |
|||
ем срока службы |
наблюдается снижение |
|||
Наиболее хорошо известна MS-DOS, кото- |
||||
выходной мощности; причины этого до сих |
||||
рая была разработана компанией Microsoft |
||||
пор не вполне объяснимы. |
|
|||
|
и с 1981 года использовалась в качестве опе- |
|||
|
|
|
||
Декодер |
|
|
рационной системы в компьютерах IBM |
|
Устройство, предназначенное для декоди- |
PC. Дисковая операционная система цели- |
|||
рования сигналов. |
|
|
ком располагается на внешнем носителе |
|
Декрементирование |
|
|
данных и загружается с него. |
|
|
|
|
||
Уменьшение значения числа на 1 (см. также |
Дискретизация |
|||
Инкрементирование). |
|
В системах обработки аналоговых сигна- |
||
570 16. Глоссарий |
|
лов — периодическая выборка (измерение) |
||
|
|
Демодуляция |
значения сигнала, как правило, с целью |
|
Процесс восстановления исходного сигна- |
||
последующего его преобразования в циф- |
||
ла из модулированного сигнала (см. также |
||
ровой сигнал (см. также Частота дискрети- |
||
Модуляция). |
||
зации). |
||
|
||
Десятичная система счисления |
Дифференциальный детектор |
|
Международная стандартизированная сис- |
||
Детектор, который реагирует на изменение |
||
тема счисления с основанием десять. |
||
сигнала. |
||
|
||
Детектор |
Диффузия |
|
Устройство, предназначенное для обнару- |
||
Спонтанное распределение молекул и/или |
||
жения, распознавания и фиксирования (за- |
||
носителей заряда внутри полупроводнико- |
||
писи) электрических сигналов или других |
||
вого материала. |
||
физических явлений; чаще всего представ- |
||
|
||
ляет собой электронную схему. |
|
|
|
INFSEMI_2-Text.fm, стр. 571 из 590 (September 6, 2010, 18:33) |
||
|
|
16. Глоссарий 571 |
||
|
|
|
|
|
Драйвер |
Затухание |
|||
Схема, к выходу которой подключается, как |
Снижение уровня сигнала (потери) в элект- |
|||
минимум, одно внешнее устройство (схема) |
рической схеме или в линии передачи; |
|||
или которая управляет, как минимум, од- |
обычно выражается в дБ. |
|||
ним внешним устройством (см. также На- |
Защёлка |
|||
грузочная способность по выходу). |
||||
Регистр, предназначенный для временного |
||||
|
|
|||
Дробовой шум |
сохранения (удержания) данных. |
|||
Шум, связанный с дискретностью носите- |
Защита данных |
|||
лей заряда и проявляющийся в виде флук- |
||||
Законодательно регулируемая процедура, |
||||
туации токов и напряжений. Его уровень |
||||
ограничивающая возможность некоррект- |
||||
возрастает с увеличением амплитуды сигна- |
||||
ного использования персональной инфор- |
||||
ла и не зависит от температуры (см. также |
||||
мации, например несанкционированного |
||||
Шум). |
||||
доступа к ней сторонних лиц. |
||||
|
|
|||
Дуплекс |
Защита файлов |
|||
Возможность передачи информации по ка- |
||||
Меры по защите файлов в компьютере от |
||||
налу связи в обоих направлениях. Дуплекс- |
||||
несанкционированного доступа или пов- |
||||
ный режим означает, что информация пере- |
||||
реждения. |
||||
даётся одновременно и в прямом, и в обрат- |
||||
|
|
|||
ном направлениях. В полудуплексных сис- |
Зона локального перегрева (hot spot) |
|||
темах информация поочерёдно передаётся в |
Некоторая точка на поверхности полупро- |
|||
одном или в другом направлении. |
водникового кристалла, температура в ко- |
|||
Ёмкость (объём) памяти |
торой очень сильно повышается вследс- |
|||
твие концентрации тепловой энергии, рас- |
||||
Общий объём памяти модуля памяти или |
||||
сеиваемой в процессе работы микросхемы. |
||||
иного носителя информации; выражается в |
||||
Производители полупроводниковых ком- |
||||
битах или байтах. |
||||
понентов всегда сталкиваются с необходи- |
||||
|
|
|||
Зависание (блокировка) |
мостью предсказывать и предотвращать по- |
|||
Ситуация, которая возникает, когда две |
явление таких зон; поэтому обычно пред- |
|||
программы или два взаимодействующих |
принимаются соответствующие меры по |
|||
между собой устройства ожидают друг от |
оптимизации разводки соединений внутри |
|||
друга ответа (отклика), либо некое устройс- |
микросхемы. Существует немало симуля- |
|||
тво ожидает наступления некоторого задан- |
ционных программ, предназначенных для |
|||
ного события (условия). Поскольку даже |
этой цели (см. также FEM). |
|||
при самом тщательном программировании |
И2Л (I2L) |
|||
существует вероятность того, что в какой-то |
||||
Интегральная инжекционная логика (извес- |
||||
момент зависание системы всё-таки про- |
||||
тна также как логическая схема с «совме- |
||||
изойдёт, должны быть предусмотрены аппа- |
||||
щёнными» транзисторами). Тип цифровых |
||||
ратные механизмы, надёжно распознающие |
||||
логических микросхем, в которых использу- |
||||
ситуацию зависания (см. также Стороже- |
||||
ется совмещение в одной области полупро- |
||||
вой таймер). |
||||
водникового кристалла токозадающего (ин- |
||||
|
|
|||
Загрузка |
жекционного) p-n-p-транзистора и пере- |
|||
Процесс переписывания данных, храня- |
ключающего n-p-n-транзистора (их базы |
|||
щихся на внешнем носителе, в рабочую па- |
совмещены между собой). Микросхемы |
|||
мять компьютера, с тем чтобы они могли |
И2Л характеризуются относительно высо- |
|||
быть прочитаны и обработаны процессо- |
кой скоростью переключения и малым |
|||
ром. |
энергопотреблением, а также высокой плот- |
|||
Запоминающее устройство |
ностью интеграции (площадь, приходящая- |
|||
ся на один логический элемент И2Л, почти |
||||
Электронный функциональный блок, пред- |
||||
в 10 раз меньше, чем в микросхемах ТТЛ). |
||||
назначенный для сохранения информации |
||||
|
|
|||
и последующей «выдачи» её в неизменном |
Избыточность |
|||
виде (см. также Аналоговая схема, Логичес- |
Дублирование функций в электронных уст- |
|||
кая схема). |
ройствах. Смысл этого состоит в том, чтобы |
|||
|
|
предотвратить возможные сбои в работе |