Шумахер У. Полупроводниковая электроника

выбрасываются из кэша и заменяются вос-

MCBF (Mean Cycles Between Failures)

требованными в текущий момент данными.

Среднее количество рабочих циклов до от-

LSB (Least Significant Bit)

каза компонента (см. также MTBF).

Младший значащий бит двоичного числа

MCM (Multi-Chip Module)

(см. также LSD, MSB, MSD).

Многокристальный модуль (тип гибрид-

LSD (Least Significant Digit)

ной ИС).

Младший значащий разряд числа. В пози-

MCP (Multi-Chip Package)

ционной системе счисления — разряд с

Несколько чипов в одном корпусе (тип гиб-

наименьшим весовым коэффициентом (см.

ридной ИС).

также LSB, MSB, MSD).

MCT (MOS Controlled Thyristor)

LSI (Large Scale Integration)

МОП-управляемый тиристор.

Интегральная

схема с

большой

степенью

MCU (MicroController Unit)

интеграции

(БИС),

которая

содержит

Микроконтроллер.

100…1000 транзисторов или других элемен-

тов (см. также ELSI, GLSI, MSI, VLSI, ULSI).

MCVD (Modified Chemical Vapor Deposition)

LSL (Low Speed Logic)

Усовершенствованный процесс химическо-

го осаждения из газовой фазы. Технология

ИС низкоскоростной логики; характеризу-

покрытия для оптоэлектронных полупро-

ется малым быстродействием, но повышен-

водниковых компонентов (см. также CVD).

ной помехозащищённостью.

LSTTL (Low power Schottky TTL)

MDA

1. Monolithic Diode Array — монолитная ди-

Маломощные

транзисторно-транзистор-

одная сборка (матрица).

ные логические схемы с диодами Шотки.

2. Monochrome Display Adapter — адаптер

Семейство быстродействующих маломощ-

монохромного дисплея. Графическая кар-

ных TTL-микросхем с использованием ди-

та, не поддерживающая возможность рабо-

одов Шотки.

ты с цветом. Предшественник графических

LTT (Light Triggered Thyristor)

карт Hercules, выпускавшихся

компанией

Тиристор с прямым управлением светом

IBM начиная с 1981 года.

(фототиристор).

MEMS (Micro Electro Mechanical System)

LVC (Low Voltage CMOS)

Микроэлектромеханическая система.

Низковольтная (с

напряжением

питания

MESC (Modular Equipment Standards

3.3 В) КМОП ИС.

Committee)

LVTTL (Low Voltage TTL)

Комитет

по стандартизации

модульного

Низковольтная TTL-логика. Интерфейс,

оборудования. Подразделение SEMI, зани-

предназначенный

для преобразования

мающееся

стандартизацией

инструмен-

стандартного

уровня

питания микросхем

тальных интерфейсов для оборудования по

TTL (5 В) к пониженному напряжению пи-

производству полупроводниковых компо-

тания 3.3 В.

нентов. До сих пор предпринималось очень

MBE

мало попыток реальной стандартизации в

данной области, хотя она представляет со-

1. Molecular Beam Epitaxy — молекулярная

бой огромный интерес для исследований.

(молекулярно-пучковая) эпитаксия.

2. Multi-Board Emulator — эмулятор, пред-

MESFET (Metal Semiconductor FET)

назначенный для работы с системными

Полевой транзистор с затвором (барьером)

платами различных типов.

Шотки.

MC (Memory Controller)

MFLOPS (Million FLoating point OPerations

Контроллер памяти. Представляет собой

per Second)

набор интегрированных в чип программи-

Миллион операций над числами с плаваю-

руемых контроллеров и разгружает ЦПУ от

щей точкой в секунду.

выполнения ряда специфических опера-

ций при обращении к модулям DRAM.

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 553 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

16. Глоссарий 553

MIC

MMU

1. Media Interface Connector — разъём опто-

1. Mass Memory Unit — массовая память, за-

волоконного сетевого интерфейса (FDDI);

поминающее устройство (сверх)большой

обеспечивает дуплексное соединение в со-

ёмкости.

ответствии со стандартом физического под-

2. Memory Management Unit — диспетчер

уровня (PMD). Разъём MIC снабжён меха-

памяти.

ническим ключом для защиты от случайно-

MNOS (Metal Nitride Oxide Semiconductor)

го неправильного соединения (переполю-

Структура типа металл — нитрид — оксид —

полупроводник, МНОП-структура. Полу-

2. Microwave Integrated Circuit — ИС диапа-

проводниковая структура с двойным изоли-

зона СВЧ. Обычно, гибридная или много-

рующим слоем, выполненным из нитрида

кристальная ИС (см. также MMIC).

кремния и оксида кремния (см. также

SNOS/SONOS).

Предназначенный для военного примене-

MNOS FET (Metal Nitride Oxide

ния.

Semiconductor FET)

MIM (Metal Insulator Metal)

Полевой транзистор со структурой металл —

Структура типа металл — диэлектрик — ме-

нитрид — оксид — полупроводник,

МНОП-транзистор.

MIPS (Million Instructions Per Second)

MNS FET (Metal Nitride Semiconductor

Параметр (миллионов команд в секунду),

FET)

производительность

Полевой транзистор металл — нитрид —

процессора. В качестве команд при расчёте

полупроводник, МНП-транзистор.

значения этого параметра для конкретного

MNS

процессора берутся его наиболее употреби-

1. Metal Nitride Semiconductor — полупро-

тельные

водниковая структура, состоящая из слоёв

команды. Отсутствие стандартизации при

металла и нитрида кремния. В отличие от

расчёте

ограничивает

реальную

ценность

MNOS, не содержит оксидного слоя.

этого параметра. С его помощью можно

2. Multi-Numbering Scheme — многономер-

адекватно оценивать лишь производитель-

ная схема. Использование одним абонен-

ность процессоров одного семейства или

том телефонной сети нескольких телефон-

имеющих схожую архитектуру.

ных номеров для различных сервисов.

MIS (Metal conductor Insulator

MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor

Deposition)

Структура типа металл — диэлектрик — по-

Химическое осаждение из паровой (газо-

лупроводник, МДП-структура.

вой) фазы металлоорганических соедине-

MISFET (Metal conductor Insulator

ний (см. также MOVPE).

MODFET (MOdulation Doped FET)

Полевой транзистор со структурой металл —

Полевой транзистор, изготовленный по

диэлектрик — полупроводник, МДП-тран-

технологии с переменным (модулируемым)

зистор.

См. также

MOSFET,

MESFET,

профилем примесей. Обладает чрезвычай-

но высоким быстродействием (см. также

MISS (Metal conducting Insulator

HEMT, H1GFET, MESFET, TEGFET, SDHT).

MOS (Metal Oxide Semiconductor)

Переключатель на МДП-транзисторе.

Структура типа металл — оксид — полупро-

водник, МОП-структура.

MOSC (MOS Capacitor)

MMIC

МОП-конденсатор.

1. Millimeter Wave Integrated Circuit — ИС

миллиметрового диапазона (СВЧ).

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)

Полевой транзистор с МОП (металл — ок-

2. Monolithic Microwave IC — монолитная

сид — полупроводник) структурой затвора.

ИС диапазона СВЧ.

MOST (MOS Transistor)

полярных транзисторов, с многоколлектор-

МОП-транзистор (см. также MOSFET).

ными n-p-n-транзисторами и боковыми p-

MOV (Metal Oxide Varistor)

n-p-транзисторами (см. также I2L).

Металлооксидный варистор.

MTNS (Metal Thick Nitride Semiconductor)

MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)

Кремниевая МОП-структура с изоляцией

нитридом кремния.

Процесс эпитаксии металлоорганических

соединений из паровой фазы.

MTOS

MPU (MicroProcessing Unit)

1. Metal/Tunnel Oxide/Semiconductor — тун-

нельный элемент, состоящий из слоя окси-

Блок микропроцессора. Центральное про-

да, обеспечивающий туннелирование элек-

цессорное устройство на базе микросхемы

тронов, который с одной стороны граничит

микропроцессора.

с металлом, а с другой — с полупроводни-

MQFP (Metric Quad Flat Pack)

ком.

Плоский корпус ИС с четырёхсторонним

2. Metal Thick Oxide Semiconductor — крем-

расположением выводов, шаг которых со-

ниевая МОП-структура с толстым изолиру-

ответствует метрическим (а не американс-

ющим слоем.

ким) единицам длины.

MTTF (Mean Time to Failure)

MQW (Multiple Quantum Well)

Средняя наработка на отказ (см. также

Структура с несколькими квантовыми яма-

MTBF).

ми. Полупроводниковая структура, исполь-

MTTR (Mean Time to Repair)

зующаяся для полупроводниковых лазеров

Средний срок службы до ремонта (или до

(см. также SQW).

утилизации).

MRAM (Magnetic RAM)

Multiuser operation

Магнитное ОЗУ. Запоминающее устройство

Многопользовательская операция. Обеспе-

на магнитном носителе.

чение нескольким рабочим станциям (або-

MSB (Most Significant Bit)

нентам) возможности сетевого доступа к та-

Старший значащий бит. Разряд двоичного

ким ресурсам, как данные или периферий-

числа с наибольшим весовым коэффициен-

ное оборудование.

том (см. также LSB, LSD, MSD).

MVL (Multi-Valued Logic)

MSD (Most Significant Digit)

Многозначная логика. Не двоичная, а, как

Старший значащий разряд числа. В пози-

минимум, троичная.

ционной системе счисления — разряд с

NA (Numerical Aperture)

наибольшим весовым коэффициентом (см.

Числовая апертура. Входная угловая апер-

также LSB, LSD, MSB).

тура световода.

MSI (Medium Scale Integration)

NEP (Noise Equivalent Power)

ИС средней степени интеграции, кристалл

Эквивалентная мощность шумов. Мощ-

которой содержит от 10 до 100 активных

ность на выходе усилителя или детектора,

элементов (см. также LSI, VLSI).

генерируемая входным сигналом, эквива-

MSM (Metal Semiconductor Metal)

лентная внутренним шумам усилителя или

Металл — полупроводник — металл. После-

детектора.

довательность слоёв в специальном фото-

Nesting

диоде.

Вложенная структура; чередование про-

MTBF (Mean Time Between Failures)

грамм.

Среднее время между отказами (среднее

NF (Noise Figure)

время безотказной работы). Статистическая

Коэффициент шума, шум-фактор.

характеристика надёжности технического

оборудования (см. также MTTF, MCBF).

NMOS (N-channel Metal Oxide

MTL (Merged Transistor Logic)

Semiconductor)

МОП-структура с каналом n-типа.

Совмещённая транзисторная логика. Ин-

тегральные логические схемы на основе би-

2. Phase Alternating Line — построчное изме-

применяется термин «электронная плата»

нение фазы. Метод передачи цветового сиг-

или просто «плата».

нала в телевидении. Система цветного теле-

PCD (Plasma Coupled Device)

видения PAL (см. также NTSC, SECAM).

Прибор с плазменной связью.

Parity (чётность)

PCMCIA (Personal Computer Memory Card

Равенство, однородность. При дистанцион-

International Association)

ной передаче данных необходимость про-

Международная ассоциация производите-

верки данных на чётность устанавливается

лей карт памяти для персональных компью-

предварительным «соглашением» между от-

теров. Объединяет производителей и диле-

правителем и получателем данных; в наибо-

ров, заинтересованных в создании и совер-

лее простом варианте вместе с данными пе-

шенствовании типовых стандартов для пе-

редаётся дополнительный

бит чётности.

риферийного оборудования на базе PC-

Однако существуют и более сложные мето-

карт и соответствующих разъёмов для пор-

ды контроля целостности данных (см. так-

тативных компьютеров и т.п. Подобный

же CRC).

стандарт для PCMCIA-карт в версии 1 был

Patch (патч)

принят в 1990 году.

В программировании

— небольшая

про-

PCT (Photon Coupled Transistor)

грамма («заплатка»), предназначенная для

Оптрон.

исправления

программной

ошибки

(см.

также Bug, Отладчик).

PCVD (Plasma activated Chemical Vapor

PBGA (Plastic BGA)

Deposition)

Химическое осаждение из плазменной фа-

Пластиковый корпус типа BGA.

зы. Технология покрытия, используемая

PC

для световодов.

1. Parity Check — контроль чётности.

PD

2. Peak Clipping — ограничение по максиму-

1. PhotoDiode — фотодиод.

му. Ограничение максимальных (пиковых)

2. Public Domain — государственная соб-

значений тока или напряжения.

ственность; общедоступный.

3. PentaConta (Пентаконта) — координат-

ная (коммутаторная)

АТС

производства

PDA (PhotoDiode Array)

компании ITT.

Матрица фотодиодов.

4. Personal Communicator —

персональное

Peak-to-peak

устройство связи, коммуникатор.

См. Размах.

5. Personal Computer — персональный ком-

пьютер. Термин, введённый в обращение

PEEL (Programmable Electrically Erasable Logic)

компанией

IBM. Первый

персональный

Программируемая электрически стираемая

компьютер поступил в продажу в 1981 году.

логическая схема.

6. PhotoConductor — материал с фотопрово-

PGA

димостью, фоторезистор.

1. Pin Grid Array — матрица штыревых вы-

7. Physical Contact — физический контакт.

водов. Тип корпуса ИС, предназначенный

8. Pocket Calculator — карманный калькулятор.

для монтажа микросхем на печатных платах

9. Printed Circuit — печатная плата (см. так-

с большим количеством требуемых соеди-

же PCB).

нений.

10. Program Counter — счётчик команд.

2. Programmable Gate Array — программиру-

11. Programmable Controller — программи-

емая вентильная матрица. Интегральная

руемый (микро)контроллер.

схема, представляющая собой матрицу ло-

12. Protocol

Converter

— преобразователь

гических элементов, каждый из которых

протоколов.

может быть запрограммирован для выпол-

13. Pulsating Current — пульсирующий ток.

нения функций И или И-НЕ (см. также

PCB (Printed Circuit Board)

PAL, PLA).

Печатная плата, на которой монтируются

PIC (Power Integrated Circuit)

компоненты

электронной

схемы;

часто

Силовая интегральная схема.

данное соединение работает как постоян-

Ramp-up

ная выделенная линия.

Запуск продукции в производство (вывод

2. PolyVinylChloride — поливинилхлорид.

производственного оборудования на рабо-

Пластик, который относительно дёшев в

чий режим).

производстве и широко применяется в ка-

Random

честве изоляционного материала и/или для

Произвольный — независимый; выбороч-

оплётки кабелей.

ный (доступ к ячейкам памяти).

PVD

RAS (Row Address Strobe)

1. PhotoVoltaic Diode — фотодиод с запира-

Строб адреса строки — управляющий сиг-

ющим слоем.

нал, разрешающий приём адреса строки

2. Physical Vapor Deposition — конденсация

при адресации микросхем DRAM (см. так-

из паровой (газовой) фазы.

же RE).

PZT (PieZoelectric Transducer)

RCEEA (Radio Communication and

Пьезоэлектрический измерительный пре-

Electronic Engineering Association)

образователь.

Британская ассоциация радиосвязи и элек-

QA (Quality Assurance)

тронной техники.

Контроль (гарантия) качества.

RCTL (Resistance Capacitance Transistor

QCCN (Quad Chip Carrier Non leaded)

Logic)

Бессвинцовый корпус для поверхностного

Резистивно-ёмкостная транзисторная логи-

монтажа с четырёхсторонним расположе-

ка. Архитектура логических ИС, в которой

нием выводов.

связь между транзисторными каскадами

QE (Quantum Efficiency)

осуществляется с использованием резисто-

ров и конденсаторов. Обладает б¢ольшим

Квантовая эффективность, квантовый вы-

быстродействием, чем резисторно-транзис-

ход.

торная логика (RTL).

QW (Quantum Well)

RE (Row Enable)

Квантовая яма.

Выбор строки. Управляющий сигнал для

Race condition

микросхем памяти (вместо сигнала RAS).

Состояние гонок. Неустойчивое состояние

Read only

логического элемента, когда данные посту-

Доступный только для чтения. Параметр,

пают на соответствующие входы быстрее

относящийся, например, к атрибутам фай-

(раньше), чем управляющий синхросигнал.

лов, правам доступа или защищённым уст-

RADAR (Radio Detection and Ranging)

ройствам.

Радар — устройство радиообнаружения и

RHET (Resonance tunneling Hot Electron

измерения расстояния до объекта.

Transistor)

RAM (Random Access Memory)

Транзистор на горячих электронах с резо-

Память с произвольным доступом для запи-

нансным туннелированием.

си и чтения данных. Как правило, исполь-

RIBE (Reactive Ion Beam Etching)

зуется в качестве ОЗУ в компьютерных сис-

Реактивное травление пучком ионов (ион-

темах. Основным недостатком устройств

но-лучевое травление).

памяти этого типа является их энергозави-

симость, т.е. при отключении напряжения

RIE (Reactive Ion Etching)

питания содержимое памяти теряется (см.

Реактивное ионное травление (см. также

также Память, ROM, DRAM).

RIBE).

Ramp-down

RIN (Relative Intensity Noise)

Свёртывание производства продукции;

Относительная интенсивность шума.

снятие с производства.

RISC (Reduced Instruction Set Computer)

Архитектура компьютера с сокращённым

набором команд. Данный тип компьютеров

не обеспечивает особой гибкости програм-

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 559 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

16. Глоссарий 559

мирования, зато характеризуется повышен-

SCEW

ным быстродействием (см. также CISC).

Тестовый сигнал, позволяющий определить

RMOS (Refractory MOS)

разность времени распространения сигна-

ла в различных направлениях вдоль полу-

МОП-структура с затвором из тугоплавкого

проводникового кристалла.

металла (молибдена, вольфрама).

ROM (Read Only Memory)

SCFL (Source Coupled FET Logic)

Истоково-связанная логика на полевых

Память, доступная только

для

чтения

транзисторах.

(ПЗУ). Запись информации в память, в за-

висимости от типа ПЗУ, может осущест-

SCH (Separate Confinement Heterostructure)

вляться на этапе его производства, с ис-

Гетероструктура с раздельным удержанием.

пользованием механических,

магнитных,

SCL (Source Coupled Logic)

электрических или оптических методов.

Истоково-связанная логика. Аналог ECL,

ROR (RAS Only Refresh)

использующейся в биполярной технологии.

Построчная регенерация. Метод обновле-

SCLA (SemiConductor Laser Amplifier)

ния (регенерации) данных в ячейках памя-

Усилитель сигнала полупроводникового ла-

ти DRAM с использованием только сигнала

зера (см. также TWSLA).

RAS.

RPC (Rigid Printed Circuit)

SCLC (Space Charge Limited Current)

Ограничение тока пространственного заряда.

Жёсткая печатная плата (см. также FPC).

RTD (Resonant Tunneling Diode)

SCOS (Smart Card Operating System)

Операционная система смарт-карты.

Резонансный туннельный диод (см. также

RTT, TSRAM).

SCR (Silicon Controlled Rectifier)

RTL (Resistor Transistor Logic)

Кремниевый управляемый диод (тиристор),

тринистор.

Резисторно-транзисторная логика. Тип ло-

гических ИС, в которых связь между тран-

SCSOA (Short Circuit Safe Operating Area)

зисторными каскадами (инверторами) осу-

Область безопасной работы для режима ко-

ществляется с помощью резисторов.

роткого замыкания. В силовой электронике

RTT

данный параметр описывает значения ос-

новных характеристик полупроводниково-

1. Resonant Tunnel Transistor — быстродейс-

го компонента (напряжения, тока, мощнос-

твующий транзистор с резонансным тун-

ти рассеяния), при которых в режиме ко-

нельным эффектом (см. также RTD).

роткого замыкания компонент сохраняет

2. Road Transport Telematics — система цент-

свою работоспособность без риска выходя

рализованного управления движением ав-

из строя.

тотранспорта.

SAGMOS (Self Aligning Gate MOS)

SCT (Surface Charge Transistor)

Транзистор с поверхностным зарядом.

МОП-структура с самосовмещёнными за-

творами.

SDFL (Schottky Diode FET Logic)

SAMOS (Stacked gate Avalanche injection

Логические схемы на полевых транзисторах

с диодами Шотки. Семейство ИС на GaAs

MOS)

MESFET.

Лавинно-инжекционная МОП-структура с

многоуровневыми затворами

(см.

также

SDHT (Selectively Doped Heterojunction

SIMOS).

Transistor)

Селективно легированный (полевой) тран-

SBD (Schottky Barrier Diode)

зистор на гетеропереходе.

Диод Шоттки.

SCCD (Surface Charge Coupled Device)

SDRAM (Synchronous DRAM)

Синхронная DRAM. Архитектура микро-

ПЗС с поверхностным каналом (см. также

схем ОЗУ, в которой запись и считывание

CCD).

информации осуществляются в синхрон-

ном режиме с использованием тактовых

импульсов. Таким образом, при обращении