Шумахер У. Полупроводниковая электроника

Depletion-type (mode) FET

DIFET (Dielectrically Isolated FET)

Полевой транзистор, работающий в режиме

Полевой транзистор

с диэлектрической

обеднения; обеднённый полевой транзис-

изоляцией.

тор.

DIL (Dual In-line)

DFB (Distributed FeedBack)

Двухрядное расположение выводов. Техно-

Распределённая обратная связь. Метод уве-

логия размещения

полупроводниковых

личения когерентности и уменьшения дли-

компонентов в корпусе ИС с двумя парал-

ны волны для лазерных диодов.

лельными рядами выводов.

DFM (Design for Manufacturability)

DIMM (Dual In-line Memory Module)

Проектирование с учётом требований про-

Микросхема памяти в корпусе с двухряд-

изводства.

ным расположением выводов (с обеих сто-

DFT

рон корпуса).

1. Design for Testability — проектирование с

DIMOS (Double Diffused Ion Implanted

учётом тестопригодности.

MOS)

2. Discrete Fourier Transform — дискретное

Ионно-имплантированная МОП-структу-

преобразование Фурье (ДПФ). Математи-

ра с двойной диффузией.

ческая операция, используемая при цифро-

DIN (Deutsches Institut fur Normung)

вой обработке сигналов (см. также FFT и

Германский институт стандартизации.

IFDT).

DG (Diode Gate)

DIP (Dual In-line Package)

Корпус с двухрядным расположением вы-

Диодный вентиль.

водов.

DH (Double Heterostructure)

Disable

Двойная гетероструктура. Используется в

Отключено, запрещено, заблокировано, на-

оптических полупроводниковых приборах.

ходится в неактивном состоянии.

DIAC (DIode Alternating Current switch)

DKE (Deutsche Elektrotechnische

Диодный переключатель переменного тока;

Kommission)

динистор. Четырёхслойный диод или ти-

Германская комиссия по стандартизации в

ристор (см. также TRIAC).

области электротехнических, электронных

Die bonder

и информационных технологий (подразде-

Автоматизированная установка, предназна-

ление DIN и VDE).

ченная для монтажа (посадки) полупровод-

DL (Diode Logic)

никовых кристаллов электронных компо-

Диодная логика.

нентов в корпус компонента или на печат-

ную плату (см. также Bonding).

DMA (Direct Memory Access)

Die shrink

Прямой доступ к памяти. Контроллер DMA

берёт на себя управление работой систем-

Совершенствование процесса производства

ной шины и осуществляет пересылку дан-

полупроводниковых чипов (уменьшение

ных между модулями памяти и/или пери-

технологической нормы). При проектиро-

ферийными устройствами с большей эф-

вании электронных устройств часто необ-

фективностью, чем это делалось бы с ис-

ходимо уменьшить размеры уже существу-

пользованием центрального процессорно-

ющего модуля. Такую

задачу

можно ре-

го устройства.

шить, если полупроводниковые компонен-

ты будут иметь меньшие габариты. Одним

D-MESFET (Depletion Mode Metal

из апробированных

методов

является

Semiconductor FET)

уменьшение размеров отдельных структур

Полевой транзистор с затвором Шоттки,

кристалла, что с технологической точки

работающий в режиме обеднения (см. так-

зрения является далеко не тривиальной за-

же E-MESFET).

дачей.

DMF (Dielectric Multilayer Filter)

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 543 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

16. Глоссарий 543

DMOS

аудио, коммуникационных системах и в

1. Diffusion

Metal Oxide Semiconductor —

системах обработки изображений, а также

диффузионная МОП-структура.

для записи, хранения и управления данны-

2. Double Diffused MOS — МОП-структура,

ми. Применение DSP-процессоров позво-

изготовленная методом двойной диффузии.

ляет упростить выполнение операций, ко-

DPL (Diode Pumped Solid State Laser)

торые невозможно или очень сложно вы-

полнить с использованием аналоговых тех-

Твердотельный лазер с диодной накачкой.

нологий.

DPPM (Defective Parts per Million)

DTL (Diode Transistor Logic)

Дефектных частиц на миллион.

Диодно-транзисторная логика. Логическая

DRAM (Dynamic RAM)

схема, при которой логические операции

Динамическая память с произвольным до-

осуществляются с использованием диодных

ступом. Ячейка памяти DRAM фактически

вентилей, а транзисторные каскады служат

представляет собой очень маленький кон-

для усиления и инвертирования уровней

денсатор, сформированный в полупровод-

напряжений.

никовом кристалле и управляемый через

DTZL (Diode Transistor with Zener Diode

МОП-транзистор. Состояние заряда кон-

Logic)

денсатора определяет открытое или закры-

Диодно-стабилитронно-транзисторная ло-

тое состояние

транзистора (что соответ-

гика. Вариант диодно-транзисторной логи-

ствует логическим 1 и 0). В случае спонтан-

ки, в котором для снижения уровня помех

ного разряда конденсатора информация,

используются стабилитроны.

хранящаяся в ячейке памяти, будет потеря-

на. Следовательно, содержимое ячеек па-

Dummy

мяти должно регулярно обновляться («реге-

Макет, имитация.

нерироваться»),

поэтому память данного

DVB (Digital Video Broadcasting)

типа и называется динамической. Главным

Цифровое ТВ вещание.

достоинством технологии DRAM является

высокая плотность ячеек памяти (т.е. малая

DWV (Dielectric Withstanding Voltage)

площадь кристалла, приходящаяся на 1 бит

Напряжение пробоя диэлектрика.

хранимой

информации), благодаря чему

E/O (Electrical to Optical)

стоимость ОЗУ этого типа оказывается са-

Электронно-оптический преобразователь.

мой низкой. К недостаткам следует отнести

необходимость

использования

специаль-

E2PROM

ных логических схем регенерации памяти, а

См. EEPROM.

также большее, нежели у микросхем ОЗУ

EACEM (European Association of Consumer

других типов, время доступа к памяти.

Electronics Manufacturers)

DRC (Design Rule Check)

Европейская ассоциация производителей

Контроль

(за

соблюдением)

проектных

бытовой электроники со штаб-квартирой в

норм. Проверка соответствия

проектным

Брюсселе, Бельгия.

нормам в

системах автоматизированного

EAM (Electroabsorption Modulator)

проектирования (см. также CAD, ERC).

Электроадсорбционный модулятор.

DRTL (Diode Resistor Transistor Logic)

EAP (Electroabsorption Avalanche

Диодно-резисторно-транзисторная логика.

Photodiode)

Одна из архитектур, используемых при со-

Электроадсорбционный лавинный фото-

здании логических микросхем (см. также

диод.

TTL, DTL).

DSL (Digital Subscriber Line)

EAPLA (Electrically Erasable Programmable

Logic Array)

Цифровая абонентская линия.

Электрически стираемая программируемая

DSP (Digital Signal Processor)

логическая матрица.

Процессор цифровой обработки сигналов.

Интегральная схема, предназначенная для

EAROM (Electrically Alterable ROM)

Электрически перепрограммируемое ПЗУ

быстрой обработки аналоговых сигналов в

(ЭППЗУ). В отличие от EEPROM (ЭСП-

ПЗУ), позволяет осуществлять не полное, а

ется более надёжное считывание данных.

постраничное стирание данных (подобно

Режим EDO

фактически

использовался

тому, как это делается в микросхемах флэш-

только в микросхемах FPM DRAM.

памяти); некоторые типы ЭППЗУ обеспе-

EECA (European Electronic Component

чивают управление доступом к отдельным

ячейкам памяти.

Европейская

EBCDIC (Extended Binary Coded Decimal

Interchange Code)

EEPROM (Electrically Erasable

Расширенный двоично-десятичный код, в

котором для представления каждого деся-

Электрически стираемое программируемое

тичного разряда используются не 4, а 8 бит.

ПЗУ (ЭСППЗУ). Операция стирания дан-

EBIC (Electron Beam Induced Current)

ных воздействует на весь массив данных в

Ток, индуцированный электронным лучом.

целом.

ECIL (Emitter Coupled Injection Logic)

Эмиттерно-связанная инжекционная логика.

Логические схемы на эмиттерных повтори-

ECL (Emitter Coupled Logic)

телях.

Интегральные схемы на основе эмиттерно-

EFQM (European Foundation for Quality)

связанной логики (ЭСЛ). Их применение

Европейский фонд управления качеством.

наиболее эффективно там,

где требуется

EI (Electron Impact Ionization)

высокая нагрузочная способность драйвера

Электронная ударная ионизация.

(например, в качестве драйверов шинных

интерфейсов). При данной технологии тре-

EIA (Electronic Industries Association of

буемая нагрузочная способность достигает-

America)

ся за счёт использования дополнительных

Американская

ассоциация

электронной

эмиттерных повторителей на биполярных

промышленности со штаб-квартирой в Ва-

транзисторах.

шингтоне.

ECMA (European Computer Manufactures

EIAJ (Electronic Industries Association of Japan)

Association)

Ассоциация электронной промышленности

Европейская ассоциация производителей

Японии.

компьютеров.

EICTA (European Information and Communi-

ECTF (Enterprise Computer Telephony Forum)

cations Technology Industry Association)

Форум по

корпоративной компьютерной

Европейская промышленная ассоциация в

телефонии

(международный

консорциум

области информационных и коммуникаци-

производителей в области компьютерной

телефонии).

ECTL (Emitter Coupled Transistor Logic)

Лазер с инжекцией электронов.

Эмиттерно-связанная транзисторная логика.

ELD (Electroluminescent Diode)

EDA (Electronic Design Automation)

Электролюминесцентный диод.

Автоматизация проектирования электрон-

ELPC (Electroluminescent Photoconductive)

ных устройств. Программа автоматизиро-

фотопроводи-

ванного проектирования печатных плат и

мость.

полупроводниковых микросхем (см. также

CAE, CAD).

ELSI (Extremely Large Scale Integration)

EDO (Extended Data Out)

Данный термин по отношению к электрон-

ным компонентам означает сверхвысокую

Архитектура ОЗУ с расширенными (по вре-

степень интеграции (см. также ULSI, VLSI).

мени) возможностями вывода данных. Сиг-

нал на выходе данных удерживается в тече-

EMC (ElectroMagnetic Compatibility)

ние более длительного (по сравнению с

Электромагнитная совместимость. Комп-

первыми

модификациями

микросхем

лексное понятие, включающее в себя как

DRAM) периода времени, чем обеспечива-

способность электрической схемы проти-

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 545 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

16. Глоссарий 545

востоять воздействию внешних электромаг-

нитных излучений, так и её характеристики

с точки

зрения

собственных

электромаг-

ERA (Electrically Reconfigurable Array)

нитных

излучений в окружающую

среду

Электрически реконфигурируемая матрица

(см. также Экранирование, EMS).

элементов.

E-MESFET (Enhancement-Mode Metal

В системах автоматизированного проекти-

Полевой транзистор с затвором Шоттки,

рования — проверка соответствия разраба-

работающий в режиме обогащения (см. так-

тываемой схемы правилам проектирования

же D-MESFET).

электрических цепей (см. также DRC).

EMI (ElectroMagnetic Interference)

Электромагнитное излучение (помехи) (см.

Европейский

стандарт

(см.

также CEN,

также EMC).

CENELEC).

EMR (ElectroMagnetic Radiation)

ESD

Электромагнитное излучение (см. также EMC).

1. ElectroStatic

Discharge

—

электростати-

EMS (Electromagnetic Susceptibility)

ческий разряд. Процесс быстрого «перете-

Восприимчивость к воздействию электро-

кания» электростатического заряда с одно-

магнитных помех (см. также EMC).

го объекта на другой. Даже если этот заряд

Enable

невелик, существует значительный риск

повреждения отличающихся малыми раз-

Разрешено, разблокировано, переведено в

мерами полупроводниковых структур, осо-

бенно МОП-структур. Поэтому при работе

Enhancement-type FET (Enhancement-mode

с незащищёнными от ESD полупроводни-

ковыми компонентами очень важно соблю-

Полевой транзистор, работающий в режиме

обогащения; обогащённый полевой тран-

2. Electrostatic Sensitive Device — устройс-

зистор.

тво, чувствительное к воздействию электро-

EOL (End of Life)

Окончание срока службы (см. также

ESDS (Electrostatic Discharge Sensitive Devices)

Bathtub-кривая).

Устройства, чувствительные к воздействию

EOLM (Electro-Optic Light Modulation)

ESD.

ESIA (European Semiconductor Industry

Association)

Европейская ассоциация полупроводнико-

Электрическое перенапряжение.

EPLD (Erasable (также Electrically)

ETOM (Electron Trapping Optical Memory)

Оптическая память на захваченных элект-

логическое

ронах.

устройство или логическое устройство с

электрическим

программированием

(см.

ETSI (European Telecommunication

также PLD).

EPROM (Erasable Programmable ROM)

Европейский институт стандартов в облас-

Стираемое программируемое ПЗУ (СП-

ПЗУ). Модуль (микросхема) постоянной

EVO (Elektrotechnischer Verein Oster-reichs)

памяти с возможностью стирания данных

Австрийское электротехническое общество

путём ультрафиолетового облучения крис-

талла через специальное кварцевое окошко

в корпусе ИС. При этом стиранию подвер-

FAMOS (Floating Gate Avalanche MOS)

МОП-транзистор с «плавающим» затвором

гаются все данные; выборочное стирание

и лавинной инжекцией заряда. Основной

информации (в отдельных ячейках) невоз-

компонент флэш-памяти.

можно.

FC (Flip Chip)

FIFO (First In, First Out)

Монтаж методом «перевёрнутого кристал-

«Первым пришёл — первым вышел». Спо-

ла», предусматривающий установку моно-

соб обработки потоковых данных, когда

литной безвыводной ИС в гибридной схеме

первый элемент в очереди ожидания обслу-

с помощью специальной технологии меж-

живается первым (см. также FILO).

соединений.

FILO (First In, Last Out)

FCHI (Flip Chip Hybrid Integration)

«Первым вошёл — последним вышел». Ос-

Гибридная ИС с использованием техноло-

новополагающий принцип обработки пото-

гии «перевёрнутого кристалла» (Flip Chip).

ковых данных, в соответствии с которым

FCT (Fast Cosine Transform)

элемент данных, первым поступивший в ус-

тройство (например, в стек), отправляется в

Быстрое косинусное

преобразование (см.

конец очереди ожидания и обслуживается

также FFT).

последним (см. также FIFO).

FDDI (Fiber Distributed Data Interface)

Fine pitch

Распределённый интерфейс передачи дан-

Технология корпусирования ИС, позволя-

ных

по волоконно-оптическим каналам.

ющая уменьшить расстояние между выво-

При

использовании протокола

ANSI

дами (шаг выводов) до величины менее чем

X3T9.5 в сети с кольцевой топологией ско-

0.1 мм.

рость

передачи

данных

составляет

100 Мбит/с (см. также CDDI).

Firmware

FEFET (FerroElectric FET)

Микропрограммное

обеспечение — про-

грамма, предназначенная для управления

Полевой транзистор с сегнетоэлектричес-

тем или иным аппаратным средством и пос-

ким затвором.

тоянно находящаяся («прошитая») в его

FEL (Free Electron Laser)

встроенной памяти (например, BIOS).

Лазер на свободных электронах.

Fit (Failures in Time)

FEM (Finite Element Method)

Единица измерения интенсивности отказов

Метод конечных элементов. Алгоритмичес-

компонентов («число отказов в единицу

кий метод численного анализа сложных

времени»). 1 fit = 1 отказ / 109 часов (см.

систем, использующий их разделение на

также Интенсивность отказов).

большое количество

элементарных

моду-

Flake

лей. Каждый из них затем анализируется

Фрагмент полупроводникового чипа.

отдельно, а результаты комбинируются в

соответствии с определёнными правилами.

FM (Frequency Modulation)

Реализация данного метода требует приме-

Частотная

нения больших вычислительных мощнос-

путём изменения частоты сигнала несу-

тей,

однако

возможности

современных

щей. Это изменение частоты прямо про-

компьютеров этому вполне соответствуют.

порционально амплитуде модулирующего

FET (Field Effect Transistor)

сигнала (см. также AM, PM, Модуляция).

Полевой транзистор.

Foundry

FFC (Flexible Flat Conductor)

Компания-субподрядчик. Ситуация, когда

компания-разработчик

полупроводнико-

Гибкий плоский проводник.

вых компонентов размещает заказ на изго-

FFT (Fast Fourier Transform)

товление

готовых

полупроводниковых

Быстрое преобразование Фурье (БПФ).

пластин у стороннего производителя.

Математическая операция,

предложенная

FPC (Flexible Printed Circuit)

знаменитым

французским

математиком

Гибкая печатная плата (см. также RPC).

Фурье, которая позволяет «разложить» лю-

бую периодическую функцию в ряд отдель-

FPGA (Field Programmable Gate Array)

ных гармоник основной частоты. Подобная

Вентильная

матрица

с

эксплуатационным

операция в процессорах цифровой обработ-

программированием. Логический модуль, ко-

ки сигналов (DSP) осуществляется в режи-

торый может быть запрограммирован пользо-

ме реального времени (см. также DFT).

вателем самостоятельно (см. также FPLA).

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 547 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

16. Глоссарий 547

FPLA (Field (или Fuse) Programmable Logic

Full-custom IC

Array)

Полностью заказная ИС. Интегральная

программируемая

микросхема, разработанная по заказу поль-

пользователем путём пережигания плавких

зователя; весь цикл производства такой ИС

осуществляется на заводе компании-произ-

водителя полупроводниковых компонен-

тов.

Быстрый

постраничный

режим.

Режим

быстрого постраничного обращения к мик-

Fuzzy logic

росхеме динамического ОЗУ, обеспечиваю-

Нечёткая логика. Концепция, в основе ко-

щий высокую производительность при пе-

торой лежит принцип использования при-

редаче потоков данных.

Необходимость

близительных правил управления инфор-

осуществлять последовательный опрос (об-

мационными потоками, т.е. в зависимости

ращение) к содержимому целой страницы

от обстоятельств.

противоречит принципу произвольного до-

GaAs (Gallium Arsenide)

ступа к памяти, однако на практике это ска-

Химическое обозначение арсенида галлия.

зывается не сильно, так как обычно данные

Полупроводниковый материал с высокой

записываются в последовательные ячейки

подвижностью носителей заряда, который

памяти.

хорошо подходит для применения в услови-

ях ВЧ полей и в датчиках Холла.

Математический сопроцессор для операций

GAL (Generic Array Logic)

с плавающей точкой. Входит в состав ЦПУ и

Типовая матричная логика.

специально предназначен для работы с чис-

GBL (GigaBit Logic)

Гигабитная логика. Быстродействующая ло-

гическая схема, обеспечивающая скорость

Корпус типа QFP с уменьшенным шагом

обработки данных более 1 Гбит/с.

выводов.

Ge (Germanium)

Химическое обозначение германия — 32-го

Ферроэлектрическое ОЗУ.

элемента периодической таблицы. Герма-

Front end

ний использовался при изготовлении пер-

1. В полупроводниковой

промышленнос-

вых транзисторов, а затем был в основном

ти — начальный этап производства полу-

заменён кремнием (Si), который обладает

лучшими свойствами.

2. Блок предварительной обработки данных.

GLSI (Giant Large Scale Integration)

блок,

Свербольшая интегральная схема (СБИС),

который

обрабатывает

и

подготавливает

кристалл которой содержит более 100 млн

данные для передачи в другой процессор.

транзисторов (см. также ULSI, ELSI).

3. В коммуникационных

технологиях —

входное устройство. Компьютер, располо-

GMCF (Global Mobile Commerce Forum)

женный между линиями передачи сигнала

Всемирный форум мобильной торговли.

и главным компьютером (хостом), и разгру-

GMR (Giant Magneto Resistor)

жающий хост от задач управления процес-

Резистор, принцип работы которого осно-

сом передачи данных (см. также Back end).

ван на гигантском магнито-резистивном

FSA (Fabless Semiconductor Association)

эффекте. Этот резистор чувствителен к маг-

Ассоциация фирм-производителей полу-

нитным полям и состоит из множества

проводниковой техники, не имеющих собс-

чрезвычайно тонких слоёв, изготовленных

твенных

производственных мощностей

из магнитного материала.

(fabless). Организована в 1994 году в Нью-

GPR (General-Purpose Register)

Йорке, с 2007 года переименована в GSA

Регистр общего назначения.

(Глобальный альянс производителей полу-

GPS (Global Positioning System)

Глобальная (спутниковая) система навига-

ции и определения местоположения.

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 549 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

16. Глоссарий 549

IEEE (Institute of Electrical and Electronic

IIL (Integrated Injection Logic)

Engineers)

См. I2L.

Институт инженеров по электротехнике и

ILD (Injection Laser Diode)

электронике со штаб-квартире в Нью-Йор-

Инжекционный лазерный диод.

ке. Организация, осуществляющая в США

те же функции, что VDE в Германии, а

IMOS (Ion-implanted MOS)

именно разработку стандартов в области

МОП-структура с ионной имплантацией.

электроники и подготовку их к законода-

IMPATT (Impact Avalanche Transit Time

тельному утверждению.

diode)

IEEE-488

Лавиннопролётный диод.

Предложенный компанией Hewlett Packard

IOC (Integrated Optical Circuit)

стандарт

параллельного

интерфейса, ис-

Оптическая ИС.

пользующегося, главным образом, для свя-

зи компьютера с измерительным оборудо-

IOLC (Integrated Optical Logic Circuit)

ванием. Кроме него, могут применяться та-

Оптическая логическая ИС.

кие интерфейсы,

как

GPIB

(General-

IOM (ISDN-Oriented Modular interface)

Purpose Interface Bus — универсальная шина

Модульный интерфейс сети ISDN. Стан-

интерфейса) или IEC (с другими типами

дартный интерфейс, который разработан

разъёмов).

компанией Siemens и позволяет абоненту

IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)

сети ISDN подобрать наилучшую конфигу-

Биполярный транзистор с изолированным

рацию оборудования.

затвором с увеличенной инжекцией.

IP (Instruction Pointer)

IFL (Integrated Fuse Logic)

Указатель текущей команды.

Интегральные логические схемы с плавки-

IPC (Institute for interconnecting and

ми перемычками. Предназначены для реа-

Packaging electronic Circuits)

лизации

концепции

вентильных

матриц,

Институт по реализации межсоединений и

программирование функций которых осу-

корпусированию интегральных электрон-

ществляется пользователем.

ных схем.

IFU (Instruction Fetch Unit)

IPG (In-Plan Gate)

Блок выборки команд.

Транзисторы с планарным затвором; в тех-

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

нологии цифровых ИС могут использовать-

Биполярный транзистор с изолированным

ся как альтернатива КМОП.

затвором. MOSFET, разработанный компа-

IPLSI (Intelligent Power Large Scale

нией Siemens. Объединяет

преимущества

Integration)

MOSFET

и

биполярных

транзисторов.

Интеллектуальная силовая большая интег-

Имеет чрезвычайно низкое сопротивление

ральная схема.

в открытом состоянии и поэтому хорошо

подходит для работы в качестве силового

IrDA (Infrared Data Association)

ключа.

Ассоциация по инфракрасным технологи-

IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor

ям передачи данных. Созданная в 1993 году,

эта организация объединяет поставщиков

(Transistor))

компьютеров, полупроводниковых компо-

Запираемые

тиристоры

с

интегрирован-

нентов и телекоммуникационного оборудо-

ным блоком управления.

вания с целью выработки стандартов по ин-

IGFET (Insulated Gate FET)

фракрасным системам

обмена данными

Полевой транзистор с изолированным за-

между компьютерами

и периферийным

твором.

оборудованием.

IGT (Insulated Gate Transistor)

IRED (InfraRed Emitting Diode)

Полевой транзистор с изолированным за-

Инфракрасный светодиод.

твором. Компонент силовой электроники в

IRLD (InfraRed Laser Diode)

ISAM (Indexed-Sequential Access Method)

ITU-T

Индексно-последовательный метод поиска

Подразделение

ITU,

разрабатывающее

или доступа к данным, когда каждая запись

международные стандарты в области теле-

(«порция» данных) в файле снабжена собс-

коммуникаций (ранее называлось CCITT).

твенным ключом, обращение к которому

JCCD (Junction Charge Coupled Device)

реализуется с помощью индексов. Этот ме-

ПЗС с p-n-переходами.

тод применяется при работе с базами дан-

ных или подобными им программами, ко-

JEDEC (Joint Electronic Device Engineering

торые предполагают ввод и сохранение не-

Council)

сортированных данных.

Объединённый технический совет по элек-

ISDN (Integrated Services Digital Network)

тронным приборам. Организация, базиру-

ющаяся в США и занимающаяся стандар-

Цифровая сеть с интеграцией услуг. Обще-

тизацией электронных компонентов.

доступная телефонная сеть, базирующаяся

на цифровых технологиях передачи дан-

JFET (Junction FET)

ных, благодаря чему имеется возможность

Полевой транзистор с управляющим р-n-

предоставления пользователям целого на-

переходом. Был предложен Шокли (W.

бора дополнительных услуг. Базовая ско-

Shockley) в 1952 году и впервые изготовлен

рость передачи данных по одному ISDN-

Дэси (G. C. Dacey) и Росом (I. M. Ross) в

каналу составляет 64 Кбит/с. Все услуги,

1953 году.

обеспечивающие передачу голоса, тексто-

KEMA (Keuring van Elektrische Materialen)

вой и цифровой информации, объединены

Голландская организация, имеющая право

в рамках одной коммуникационной сети, и

официально испытывать электрические ма-

доступ к ним осуществляется по одному и

териалы, со штаб-квартирой в г. Арнем.

тому же запросу.

ISFET (Ion-Sensitive FET)

LBIC (Laser Beam Induced Current)

Ток, наведённый лазерным излучением.

Полевой транзистор с изменением концен-

трации ионов (ионно-селективный полевой

LCA (Logic Cell Array)

транзистор). Полевой транзистор со специ-

Матрица логических элементов.

альным изолирующим слоем.

LCC:

ISL (Integrated Schottky Logic)

1. Lateral Charge Control — боковое управле-

Интегральные логические схемы с диодами

ние зарядом (термин, относящийся к тех-

Шотки; данная технология используется в

нологии создания МОП-структур).

заказных ИС.

2. Leaded Chip Carrier — кристаллодержа-

ISO (International Standardization Organization)

тель с выводной рамкой.

3. Leadless Chip

Carrier

— безвыводной

Международная организация по стандар-

кристаллодержатель.

там со штаб-квартирой в Женеве (см. также

4. Liquid Crystal Cell — жидкокристалличес-

OSI).

кая ячейка.

ITG (InformationsTechnische Gesellschaft)

5. Logic Control Cell — управляющая логи-

Общество по информационным технологи-

ческая ячейка.

ям (подразделение VDE).

LCCC (Leadless Ceramic Chip Carrier)

ITO (Indium Tin Oxide)

Керамический кристаллодержатель без вы-

Оксид индия и олова. Прозрачный матери-

водной рамки.

ал для оптоэлектронных компонентов.

LCD (Liquid Crystal Display)

ITU (International Telecommunication Union)

Жидкокристаллический дисплей. Устройс-

Международный союз электросвязи. Все-

тво вывода визуальной информации, кото-

мирная организация, занимающаяся общи-

рое представляет собой тонкий слой поля-

ми вопросами развития телекоммуникаци-

ризованных жидких кристаллов, размещён-

онной индустрии.

ных между двумя плоскими прозрачными

электродами. Управление ячейкой (пиксе-

лем) дисплея осуществляется с помощью

сетки из электродов. Под воздействием

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 551 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

16. Глоссарий 551

приложенного к выбранной ячейке элект-

LIW (Long Instruction Word)

рического поля молекулы жидкого кристал-

Микропроцессорная команда повышенной

ла «разворачиваются» вдоль силовых ли-

разрядности.

ний электрического поля; при этом образу-

LLCC (LeadLess Chip Carrier)

ется структура, которая поляризует входя-

Кристаллодержатель без выводной рамки

щий свет. Поляризационный фильтр, вы-

(см. также LC, LCCC).

полненный в форме пластины и располо-

женный над электродами, блокирует про-

LNA (Low Noise Amplifier)

хождение

поляризованного

света. Таким

Малошумящий усилитель.

образом,

данный пиксель

будет отобра-

LOC

жаться как чёрная (неотражающая) точка

1. Large Optical Cavity — структура полупро-

на экране.

водникового лазера с широким оптичес-

LCDTL (Low Current DTL)

ким резонатором.

Интегральная схема диодно-транзистор-

2. Lead on Chip — рамка-на-кристалле. Тех-

ной логики с малым током потребления.

нология сборки полупроводниковых чипов,

LCOS (Liquid Crystal on Silicon)

когда направляющая (выводная) рамка кор-

пуса размещается поверх кристалла.

«Жидкий кристалл-на-кремнии». Техноло-

3. Line of Code — строка кода. Строка про-

гия производства микродисплеев, когда

граммы или строка команды в исходном

ЖК-модуль интегрируется непосредствен-

программном коде.

но в чип микроконтроллера.

LD (Laser Diode)

LOCMOS (Locally Oxidized CMOS)

КМОП-структура с использованием ло-

Лазерный диод.

кального окисления. Технология, обеспечи-

LDD (Lightly Doped Drain)

вающая электрическую изоляцию располо-

Сток со слабым легированием.

женных на кристалле ИС отдельных

LDR (Light Dependent Resistor)

КМОП-структур путём добавления локаль-

ных оксидных слоёв.

Фоторезистор.

LED (Light Emitting Diode)

LOCOS (LOCal Oxide of Silicon)

Технология МОП ИС с толстым защитным

Светодиод.

слоем оксида кремния.

LEOS (Lasers and Electro-Optics Society)

LPLD (Low Power Laser Diode)

Общество «Лазеры и Электрооптика». Со-

Маломощный лазерный диод. Обычно, не

здано институтом IEEE.

оказывающий вредного воздействия на зре-

LEP (Light Emitting Polymers)

ние человека.

Светоизлучающий полимер.

LQ (Limiting Quality)

LFBGA (Low Fine pitch BGA)

Предельный уровень качества. Процент де-

Корпус BGA для поверхностного монтажа с

фектов, вероятность обнаружения которых

низким профилем и уменьшенным шагом

при эксплуатационных испытаниях полу-

выводов.

проводниковых

компонентов

составляет

LGA (Land Grid Array)

10%. Данный параметр иногда также назы-

вают «риск покупателя» или «допустимый

Корпус для поверхностного монтажа типа

процент брака».

BGA, в котором вместо шариковых выводов

сделаны контактные площадки для пайки.

LQFP (Low profile QFP)

LIF (Laser Induced Fluorescence)

Низкопрофильный корпус типа QFP.

Люминесценция с лазерным возбуждением.

LRU (Least Recently Used)

Little-endian

«Наиболее давний по использованию». Ал-

горитм кэширования памяти,

позволяю-

Способ записи данных в регистры или уст-

щий повысить скорость обращения к дан-

ройства памяти, когда первым записывает-

ным. Байты данных, к которым давно не

ся младший значащий бит данных (LSB),

производилось

обращения программой,

см. также Big-endian.