Шумахер У. Полупроводниковая электроника

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 537 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

BDI (Base Diffusion Isolation)

Big-endian

Изоляция (элементов ИС) методом базовой

Способ записи данных в регистры или уст-

диффузии.

Технология

диэлектрической

ройства памяти, когда первым (в ячейку па-

изоляции для биполярных ИС.

мяти с меньшим адресом) записывается

Bellcore

старший значащий бит данных (MSB). По-

добный формат поддерживается компанией

Компания Bell Communications Research (в

Motorola, в отличие от формата little-endian,

настоящее время носит название Telcordia

поддерживаемого компанией Intel, в соот-

Technologies).

ветствии с которым первым записывается

BER

младший значащий бит (LSB).

1. Basic Encoding Rules — базовые правила

BiMOS (Bipolar MOS)

кодировки.

Технология производства ИС, когда на од-

2. Bit Error Rate — интенсивность (частота)

ном полупроводниковом кристалле созда-

битовых ошибок (см. также BERT). Важная

ются как биполярные, так и полевые МОП-

количественная характеристика надёжнос-

транзисторы (см. также BiCMOS).

ти систем передачи данных, представляю-

щая собой отношение числа ошибочных

BIOS (Basic Input Output System)

битов к общему числу принятых битов.

Базовая система ввода/вывода — операци-

BERT (BER Test(er)

онная

система,

реализующая

основные

функции компьютера.

Инициализация

Устройство,

используемое для

тестирова-

BIOS обычно должна предшествовать за-

ния коммуникационных устройств на пред-

грузке

рабочей

операционной

системы

мет определения числа ошибочных битов в

компьютера.

единицу времени.

BFL (Buffered FET Logic)

Bit width

Битовая ширина — количество байтов, ко-

Логика на буферных полевых транзисторах.

торое

процессор

может

последовательно

Семейство ИС, выполненных по GaAs D-

обрабатывать в ходе исполнения команды.

MESFET-технологии.

Может находиться в диапазоне от полубай-

BGA (Ball Grid Array)

та до 32 байт или более.

Матрица шариковых выводов — тип корпу-

BJT (Bipolar Junction Transistor)

са ИС для поверхностного монтажа.

Биполярный плоскостной транзистор.

BH (Buried Hetero (laser))

Обычный транзистор, который был разра-

Скрытый гетеро-лазер. Структура полупро-

ботан в1947 году Бардином (Bardeen), Бри-

водниковых лазеров, которая располагается

таном (Brittan) и Шокли (Shockley).

не на поверхности подложки, а «скрыта» на

Blackout

определённой глубине.

Состояние, когда вследствие аварии источ-

BICFET (Bipolar Inversion Channel Field

ника питания напряжение в сети падает до

Effect Transistor)

нуля. Данный термин означает также сбой в

Полевой транзистор с биполярным обрат-

работе электронного устройства (см. также

ным каналом (с p-n-переходом).

Brounout).

BiCMOS (Bipolar CMOS)

Bluetooth

Технология производства ИС, когда на од-

Технология беспроводной передачи голоса

ном полупроводниковом кристалле созда-

и данных (по радиоканалу).

ются как

биполярные,

так

и полевые

BNC

КМОП-транзисторы (см. также BiMOS).

Штыревой тип разъёма для коаксиальных

BiFET (Bipolar FET)

кабелей («джек»), разработанный несколь-

Технология производства ИС, когда на од-

ко десятилетий назад и по настоящее время

ном полупроводниковом кристалле созда-

часто применяемый в измерительном обо-

ются как биполярные, так и полевые тран-

рудовании. Аббревиатура BNC расшифро-

зисторы с p-n-переходом (см. также

вывается различными способами (Bayonet

BiCMOS).

Nut Coupling, Bayonet Neill Concelman,

British Naval Connector или British National

Connector); при этом все эти транскрипции

быть временно устранена путём использо-

относятся к одному и тому же типу разъёма.

вания перемычек («патча»). Программная

Board

ошибка представляет собой ошибку в запи-

си кода или логическую ошибку и может

Печатная плата

электронного

устройства,

приводить к сбоям программы или к некор-

предназначенная для размещения его ком-

ректности результатов её работы.

понентов (см. также Печатная плата, PCB).

BOL

Burrus diode

Светодиод Барраса.

1. Beginning of Life — период приработки

(см. также Bathtub-кривая).

BZT (Bundesamt fur Zulassungen in der

2. Behorden

Online

(Public

Authorities

Telekommunikation)

Online). Действующий с 1998 года совмест-

Германское центральное бюро по оценке

ный проект компании Viag Interkom и IZB

качества телекоммуникаций.

(Баварский центр информационных техно-

C (Си)

логий), целью которого является организа-

Язык программирования высокого уровня,

ция связи между министерствами, муници-

разработанный в 1972 году Деннисом Ритчи

пальными и местными органами власти в

(Dennis Ritchie)

из

компании

Bell

Баварии с помощью цифровой телефонной

Laboratories. Язык

получил название

Си

сети компании Viag Interkom.

(англ. C) просто потому, что его предшест-

BOM (Bill of Material)

венник назывался языком B.

Ведомость покупных материалов.

C++

Bonder

Усовершенствованная объектно-ориенти-

Установка (как правило, автоматизирован-

рованная версия языка программирования

ная), предназначенная для монтажа.

C, разработанная в начале 1980-х годов

Bonding

Бьёрном Строструпом (Bjarne Stroustrup) из

Bell Laboratories.

Разварка — технология осуществления со-

единений между кристаллом и выводами

C3L (Complementary Constant Current Logic)

корпуса в ИС и в других полупроводнико-

Комплементарная логическая схема с пере-

вых компонентах (см. также Проволочное со-

ключением сигналов

постоянного тока.

единение).

Представляет собой усовершенствованную

BORSCHT (Battery feed – Overvoltage

схему диодно-транзисторной логики (ДТЛ)

с диодами Шотки и повышенной степенью

protection – Ringing – Signaling – Coding –

интеграции.

Hybrid – Testing)

Аббревиатура,

описывающая

основные

CACA (Computer-Aided Circuit Analysis)

функции абонентских устройств в системах

Компьютерный схемотехнический анализ.

телефонии

(Питание

абонентского уст-

CAD (Computer Aided (Assisted) Design)

ройства от центральной телефонной стан-

Система автоматизированного проектиро-

ции / Защита от перенапряжения / Посыл-

вания.

ка вызова / Сигнализация/ Кодирование /

Дифсистема — согласование двухпровод-

CAE (Computer Aided Engineering)

ной и четырёхпроводной линии / Тестиро-

Система автоматизированного конструиро-

вание).

вания (разработки).

Brownout

CAMP (Computer Aided Mask Preparation)

Состояние,

когда напряжение питания

Автоматизированное изготовление шабло-

электронного устройства на некоторое вре-

нов (масок) при производстве ИС.

мя падает ниже нормы (см. также Blackout,

CAN (Control Area Network)

SAG).

Разработанный Робертом Бошем (компа-

Bug

ния Bosch) протокол и шина передачи дан-

Ошибка в программном или аппаратном

ных, которые первоначально были предна-

обеспечении. Аппаратная ошибка (контак-

значены для использования в системах ав-

тная или в

разводке

соединений) может

томобильной электроники.

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 539 из 590 (September 4, 2010, 19:48)

16. Глоссарий 539

CAPI (Common Application Programming

CCIR (Comite Consultatif International des

Interface)

Radiocommunications)

Программный интерфейс общего назначе-

Международный консультативный коми-

ния. Стандартный интерфейс, используе-

тет по радиовещанию.

мый при программировании линейных карт

CCITT (Comite Consultatif International

ISDN.

Telegraphique et Telephonique)

Carrier

Международный консультативный коми-

1. Несущая частота.

тет по телеграфии и телефонии.

2. В системах телекоммуникации — опера-

CCL (Composite Cell Logic)

тор местной связи (поставщик услуг); канал

Метод разработки специализированных за-

связи.

казных ИС (ASIC) на основе библиотек ба-

3. В микроэлектронике — кристаллодержа-

зовых элементов.

тель.

CAS (Column Address Strobe)

CCMD (Chip Carrier Mounting Device)

Устройство для монтажа кристаллодержате-

Строб адреса столбца — управляющий сиг-

ля.

нал, разрешающий приём адреса столбца

при адресации микросхем DRAM (см. так-

CCPD (Charge Coupled Photodiode Array)

же CE).

Фотодиодная матрица с ПЗС-регистрами.

CB (Complementary Bipolar)

CDI (Collector Diffusion Isolation)

Комплементарная биполярная структура

Изоляция методом коллекторной диффу-

(для транзисторов).

зии.

CBEMA (Computer and Business Equipment

CD-ROM (Compact Disc Read-Only

Manufacturers Association)

Memory)

Американская ассоциация производителей

Постоянное запоминающее устройство на

компьютерного и офисного оборудования.

компакт-диске. Объём памяти такого ПЗУ

Осуществляет работу по стандартизации

превышает 650 Мбайт, а запись данных осу-

как процессов обработки информации, так

ществляется однократно тем же способом,

и соответствующего оборудования.

что и запись звуковых CD.

CBIC (Cell-Based IC)

CE

Интегральная схема с архитектурой на ос-

1. Chip Enable — сигнал выбора микросхе-

нове стандартных ячеек.

мы, разрешающий доступ к ней со стороны

CBR (CAS Before RAS)

внешних устройств.

2. Column Enable — сигнал разрешения вы-

Режим обновления памяти. Обеспечивает

бора столбца в современных микросхемах

циклическую регенерацию данных в ячей-

памяти (соответствует ранее употреблявше-

ках динамической памяти DRAM.

муся сигналу CAS).

CC

CECC (Cenelec Electronic Components

1. Chip Card — микропроцессорная чип-

Committee)

карта.

Комитет по стандартизации в области элек-

2. Chip Carrier — кристаллодержатель.

тронных компонентов. Подразделение

3. Continuity Check — проверка целостности

CENELEC со штаб-квартирой в Брюсселе

данных.

(см. также ECQAC).

CCC (Ceramic Chip Carrier)

CEN (Comite Europeen de Normalisation)

Керамический кристаллодержатель.

Европейский комитет по стандартизации.

CCD (Charge Coupled Device)

CENELEC (Comite Europeen de

Прибор с зарядовой связью (ПЗС).

Normalisation Electrotechnique)

CCFL (Capacitor Coupled FET Logic)

Европейский комитет по электротехничес-

Логика на полевых транзисторах с зарядо-

ким стандартам. Некоммерческая органи-

вой (ёмкостной) связью. Семейство ИС,

зация со штаб-квартирой в Брюсселе, со-

выполненных по GaAs MESFET-техноло-

зданная в 1973 году в результате слияния

гии.

двух европейских организаций: CENEL-