Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Шумахер У. Полупроводниковая электроника

.pdf
Скачиваний:
229
Добавлен:
28.03.2015
Размер:
8.01 Mб
Скачать

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 522 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

522 14. Корпуса ИС

стоит в

том, что шаг выводов (1.5 мм,

14.6. Куда приведёт нас процесс

1.27 мм или 1 мм) корпуса достаточно ве-

совершенствования корпусов

лик, поэтому при установке корпуса на пе-

ИС?

 

чатную плату можно без проблем использо-

Диаграмма, приведённая на Рис. 14.13,

вать автоматизированную сборку. Семей-

ство корпусов BGA быстро развивается.

позволяет сравнить характеристики корпу-

Так, наблюдается тенденция к снижению

сов, выполненных по технологиям

толщины корпусов, и в настоящее время

Flip Chip, FBGA и SMT. Здесь следует обра-

производство корпусов BGA толщиной, на-

тить внимание на их стоимость, поскольку

пример,

1.2 мм не

представляет особых

данный фактор, в первую очередь, опреде-

сложностей. Один из возможных вариантов

ляет выбор корпусов для полупроводнико-

исполнения — упоминавшаяся выше сверх-

вых устройств.

плоская конструкция CSP, геометрические

Ниже перечислены направления разви-

размеры которой лишь незначительно пре-

тия технологий обработки и корпусирова-

вышают

размеры

полупроводникового

ния, которые в будущем обеспечат ещё

кристалла. В формате CSP реализован, на-

большее многообразие корпусов, ориенти-

пример, корпус LFBGA. Приведём некото-

рованных под конкретные прикладные за-

рые из его характеристик: диаметр шарико-

дачи и, следовательно, под требования ко-

вого вывода 0.25…0.45 мм, толщина корпуса

нечных пользователей:

1.2…1.7 мм, шаг выводов 0.3…0.8 мм. Кор-

Увеличение количества выводов корпуса

пус типа FBGA имеет шаг выводов (рассто-

(в особенности, корпусов, предназна-

яние между шариками в матрице) 0.3 мм,

ченных для специализированных микро-

что обеспечивает практически такую же

схем ASIC) как следствие всё возрастаю-

плотность упаковки, что и при использова-

щей функциональной сложности ИС.

нии бескорпусных технологий.

 

Системное корпусирование, когда опти-

По сравнению с монтажом компонентов

мальные

интегрированные решения

в отверстия на печатной плате, технология

применяются к целому комплексу, со-

поверхностного монтажа предполагает, что

стоящему из кристалла, корпуса и плос-

компоненты

подвергаются

воздействию

кого модуля (шаг по пути к прямой ин-

больших

термомеханических

нагрузок в

теграции).

 

процессе их пайки методом оплавления

Дальнейшее слияние технологий на на-

припоя.

Полупроводниковые

кристаллы

чальном (технология изготовления крис-

большой площади в пластиковых SMD-

таллов, с учётом BEOL) и конечном (тех-

корпусах особенно чувствительны к так на-

нология корпусирования) этапах произ-

зываемому

эффекту

попкорна, который

водства ИС.

возникает из-за наличия влаги внутри кор-

Корпусирование на уровне пластины

пуса и приводит к внутреннему расслоению

(WLP), которое в перспективе представ-

корпуса в процессе припаивания компо-

ляет собой наиболее оптимальный путь к

нента к печатной плате методом оплавле-

слиянию технологий на начальном и ко-

ния припоя. По этой причине большие кор-

нечном этапах производства ИС.

пуса P-LCC, P-QFP и P-DSO обычно пос-

Как упоминалось выше в разделе 14.4.3,

тавляются в так называемых сухих упаков-

с развитием

технологий корпусирования

ках1), а организация транспортировки

появляются новые проблемы, требующие

готовой продукции от производителя полу-

решения. К ним относятся проблема отбора

проводниковых компонентов к пользовате-

заведомо исправного кристалла, а также

лям (производителям электронных уст-

проблема ремонтопригодности микросхем,

ройств) приобретает большое значение.

смонтированных непосредственно на по-

 

 

 

 

 

верхности печатной платы с использовани-

ем технологии Flip Chip. Решение этих проблем, а также проблем, связанных с необходимостью иметь очень большое количество выводов ИС, в настоящее время состоит в

1) «Сухая упаковка» (Dry-pack) — герметично закрытый транспортировочный контейнер, в котором, помимо самого компонента, находится влагопоглотитель. — Примеч. пер.

 

 

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 523 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

14.6. Куда приведёт нас процесс совершенствования корпусов ИС? 523

 

FBGA

SMT

 

Flip Chip

Корпус размером

Технология поверх-

 

 

с кристалл (CSP)

ностного монтажа

Плотность

 

 

Зависит от шага

 

Максимально высокая

Почти такая же, как у FC

выводов

 

 

Производительность

 

Хорошие электрические

Улучшенные электри-

 

Превосходные электриче-

ческие характеристики

 

характеристики

 

ские характеристики

 

 

 

 

Стандартизация

Сложность

Расположение всех

Высокая степень

 

стандартизации

 

выводов стандартизовано

стандартизации

 

 

Качество

KGD (заведомо

 

 

и надёжность

исправный кристалл)

То же, что и для SMT

Высокое качество

 

 

 

и надёжность

Простота сборки

Дорого

 

 

 

Стандартное SMT-оборудование,

 

 

 

Сложности при реализации недоро-

«чистая комната» не требуется

Контроле-

 

 

гой системы тестирования и при про-

 

 

пригодность

Простота термотренировки компонентов

ведении термотренировки для KGD

 

 

и ремонтопригодность оборудования

Стоимость

Высокая плотность, высокий риск

То же, что и для SMD,

 

повреждения и высокая цена ма-

 

 

Низкая стоимость корпуса

 

териалов, необходимых для KGD

плюс экономия места

 

 

на печатной плате

и печатной платы

Печатная плата

Требования к печатной

Требования к печатной

 

 

плате зависят от кон-

плате зависят от кон-

Может быть использована

 

струкции корпуса

струкции корпуса

 

стандартная печатная плата

 

 

 

 

Недостаток

Норма

Преимущество

Рис. 14.13. Сравнение различных технологий корпусирования.

 

 

 

Функциональная

 

 

 

 

QFP/SOP

BGA/CSP CSP

мизированным

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

интеграция-

 

 

 

 

 

 

 

 

к

 

 

 

 

 

 

SiP/SoC

решениям

 

 

 

 

WL-CSP

 

 

BGA/CSP

3D модуль

 

 

опти

 

 

 

 

-

 

 

 

 

 

 

 

От PCB к миниплате / «Трёхмер-

 

 

 

 

FC

 

 

 

ные» многоярусные чипы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MSM CSP

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Миниплата / От «трёхмерных»

 

 

 

 

 

DSP

 

 

 

 

 

 

многоярусных чипов к SiP/SoC

 

 

 

 

 

 

MCU

Флэш Интерфейс

Рис. 14.14. Тенденция, направленная на развитие прямой интеграции.

использовании корпусов семейства BGA, а в дальнейшей перспективе — LFBGA с технологией FCiP (Flip Chip в корпусе, см. Рис. 14.3). Наиболее передовая на сегодняшний день технология LFBGA сочетает лучшие качества Flip Chip и возможности технологии поверхностного монтажа. Корпуса P-FBGA обеспечивают характеристики, востребованные во многих областях

применения (в первую очередь, с точки зрения производительности и миниатюризации). Поэтому уже в ближайшие годы они начнут вытеснять с рынка корпуса семейств P-QFP, SO и P-BGA.

Использование корпусов P-LFBGA связано с повышенными требованиями к конструированию печатной платы. Вплоть до настоящего времени применялись стан-

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 524 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

524 14. Корпуса ИС

дартные двухили четырёхслойные печат-

проблему замены свинца, входящего в со-

ные платы с шириной/шагом проводящих

став припоя, на более экологически безо-

дорожек 0.15 мм, которые вполне подходят

пасный материал. За небольшими исключе-

для размещения корпусов P-QFP, P-SO или

ниями, с середины 2006 года все электрон-

P-BGA. Для корпуса P-FBGA шаг выводов

ные компоненты должны производиться с

в матрице составляет 0.5 или 0.8 мм, и раз-

соблюдением соответствующих норм.

 

водка сигналов может быть осуществлена

14.7.1. Бессвинцовые и безгалогенные

лишь при использовании многослойной

печатной платы с тонкими дорожками или

корпуса

 

 

 

с технологией наращивания.

 

 

В наибольшей степени указанные дирек-

В последнее время, наряду с тенденцией

тивы применимы к поверхностям, покры-

к миниатюризации корпусов, всё отчётли-

тым припоем. При использовании корпусов

вее проявляется тенденция к так называе-

для поверхностного монтажа

оловянно-

мой прямой интеграции (Рис. 14.14), когда

свинцовые (SnPb) покрытия заменяются на

несколько полупроводниковых микросхем

чисто оловянные. В технологии BGA в ка-

и модулей памяти объединяются в одном

честве такой замены используется оловян-

общем корпусе. Сюда же относится и ин-

но-серебряно-медный сплав (SnAgCu). Из-

теграция

пассивных

компонентов

внутри

менение состава паяльной пасты оказывает

корпуса

ИС (так

называемые решения

непосредственное влияние на

технологи-

«система-в-корпусе»). Результатом

будет

ческий процесс покрытия печатной платы

слияние технологий корпусирования и про-

припоем. Особенно сильно это сказывается

изводства полупроводниковых кристаллов.

при замене оловянно-свинцовых паст, тем-

Многие

производители

полупроводнико-

пература

плавления которых

составляет

вых компонентов уже сегодня размещают

+179GC,

оловянно-серебряно-медными

с

технологические линии

для

производства

температурой плавления +217GC. Соответ-

кристаллов ИС и для производства корпу-

ственно, тепловое воздействие на полупро-

сов по технологии Flip Chip (включающей в

водниковые

компоненты

в процессе

их

себя металлизацию под столбиковыми вы-

пайки существенно увеличивается.

 

водами (UBM) и применение шариковых

 

Переход к использованию новых припо-

выводов) на одном заводе.

 

 

 

 

ев требует внесения дополнений в много-

Продолжая обсуждение растущих воз-

численные технологические стандарты

и

можностей технологий производства кор-

нормы. Компания Infineon, со своей сторо-

пусов для полупроводниковых компонен-

ны, участвует в этом процессе и, в рамках

тов, следует сказать, что на данный момент

технической

поддержки

пользователей,

наиболее перспективной из них представ-

предоставляет им соответствующие дан-

ляется технология корпусирования на уров-

ные. Несмотря на то что официально датой

не пластины (WLP). Она подразумевает

введения в действия новых стандартов в Ев-

наибольшую степень слияния технологий

ропе считается 1 июля 2006 года, «сцена-

производства кристалла и корпуса. В насто-

рий» этого события жёстко не прописан и

ящее время во всём мире ведутся активные

предполагает

определённый

переходный

исследования и разработки в этом направ-

период, в течение которого возможно про-

лении.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

изводство электронной продукции с ис-

 

 

 

 

 

 

14.7. Материалы, используемые

пользованием как бессвинцовых техноло-

гий, так

и технологий с

использованием

при производстве корпусов

свинца. Длительность переходного периода

 

 

 

 

 

 

В феврале 2003 года страны Евросоюза

должна быть сведена к минимуму произ-

водственными и логистическими мерами.

приняли директивы о порядке использова-

Указанная возможность зависит от того, на-

ния и утилизации электрического и элект-

сколько процесс покрытия печатной платы

ронного оборудования, в соответствии с ко-

припоем отвечает заданным требованиям и

торым запрещается

применение в

элект-

наличием совместимых с этим процессом

ронном

оборудовании ряда

экологически

бессвинцовых технологий.

 

 

 

опасных

материалов.

Эти

директивы

 

 

 

Вплотную к проблеме производства не

(WEEE, RoHS) заставляют руководителей

содержащих

свинца электронных компо-

промышленности обратить внимание на

 

 

 

 

 

 

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 525 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

14.7. Материалы, используемые при производстве корпусов 525

нентов примыкает проблема создания пластиковых корпусов, не содержащих огнезащитных добавок на основе соединений брома. Огнезащитные добавки в материалы обеспечивают защиту от их воспламенения при нагреве. Однако, с точки зрения защиты окружающей среды, бромсодержащие материалы не являются экологически безопасными. Замена их на более экологичные материалы должна производиться параллельно с переходом на бессвинцовые технологии производства корпусов ИС.

Таким образом, корпус полупроводникового компонента может считаться экологически «чистым», если в его состав не входят свинец и бромсодержащие огнезащитные добавки. Это предполагает также, что процесс пайки будет осуществляться с использованием бессвинцовых припоев.

14.7.2.Требования к содержанию различных веществ в устройствах и материалах

Производство большей части электронной продукции связано с использованием большого количества разнообразных материалов, веществ и химических процессов. Их выбор и адекватное применение непосредственно влияют на качество, безопасность и экологическую безопасность применяемой продукции в течение всего срока её службы.

Оптимизация этих характеристик возможна лишь при налаженном обмене информацией по всей производственной цепочке, которая включает в себя получение исходных материалов, разработку и создание предварительных образцов продукции, компонентов и собственно самих устройств, процесс их использования и, наконец, процесс их переработки и утилизации по окончании срока службы.

Следовательно, данные о содержании тех или иных веществ в электронных компонентах должны быть представлены в удобной для пользователя форме. Поэтому практикуется такое решение, как создание специализированных модификаций (подсемейств) электронных компонентов на базе их типовых семейств. Эти модификации различаются лишь составом и процентным соотношением используемых в них веществ и материалов. Соответствующие стандарты принято называть «зонтичными спецификациями»

(Рис. 14.15). Данный подход применим к любым электронным компонентам, при этом критерии формирования подсемейств для тех или иных конкретных компонентов определяются в соответствии с требованиями пользователя.

Системы

 

 

управления

 

Зонтичная

двигателем

 

 

 

спецификация

 

 

P-TO 263

Системы

 

3 выв.

 

 

комфорта

 

 

 

Общая

5 выв.

 

«зонтичная

 

 

 

специфи-

 

 

кация»

 

Информационно-

 

 

развлекательные/

 

7 выв.

телематические

 

 

 

системы

 

 

Рис. 14.15. Использование одной «зонтичной спецификации» в различных областях применения продукции.

С учётом возросших требований к экологической безопасности, содержание тяжёлых металлов в пластиковых материалах, используемых при производстве корпусов электронных компонентов, не должно превышать следующих значений:

по массовой доле кадмия — не более 5 ppm, т.е. 0.0005%;

по общему содержанию кадмия, ртути, свинца и шестивалентного хрома — не

более 100 ppm.

Соблюдение этих требований позволяет избежать загрязнения окружающей среды тяжёлыми металлами, либо свести его к минимуму.

14.7.3.Сбои в работе программного обеспечения вследствие повышенной радиоактивности материалов корпусов компонентов

Полимерные материалы (компаунды), используемые в производстве пластиковых корпусов, в нормальных условиях содержат незначительное количество таких радиоактивных элементов, как уран и торий, кото-

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 526 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

526 14. Корпуса ИС

рые являются источниками альфа-частиц.

ектировании микросхем SRAM с техноло-

Свинец, который входит в состав шарико-

гической нормой 0.18 мкм и менее необхо-

вых выводов корпусов, выполненных по

димо

предусматривать соответствующие

технологии Flip Chip, также «производит»

меры по защите от воздействия альфа-излу-

альфа-частицы. Проблема альфа-излучения

чения.

Например, можно реализовать

в материалах корпусов ИС, как и меры по

встроенные логические схемы коррекции

защите от воздействия этого излучения, из-

ошибок, либо в качестве заполнителя (ком-

вестны достаточно давно из DRAM-техно-

паунда) следует использовать материал, не

логии.

содержащий радиоактивных элементов (ис-

В связи с тем, что в настоящее время су-

точников альфа-частиц). Проблема альфа-

ществует тенденция к уменьшению разме-

излучения свинца, входящего в состав ша-

ров транзисторов и снижению их рабочих

риковых выводов корпусов, выполненных

напряжений (например, МОП-транзисто-

по технологии Flip Chip, разрешается путём

ры могут работать при напряжениях пита-

применения не содержащих свинца мате-

ния 1.2…1.5 В), повышается вероятность

риалов, например SnAg или SnAgCu. Что же

того, что альфа-излучение радиоактивных

касается влияния альфа-излучения на рабо-

материалов будет влиять на состояние ячеек

ту тех или иных логических схем ИС, то в

памяти SRAM (т.е. при попадании альфа-

настоящее время проводятся исследования

частицы в ячейку памяти значение бита мо-

по данному вопросу.

жет измениться с 1 на 0). Поэтому при про-

 

 

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 527 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

15.КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА15.1.ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХКритерии, определяющие качество продукции 527

КОМПОНЕНТОВ

Качество продукции является важнейшей составляющей коммерческого успеха и исключительно значимым фактором в конкурентной борьбе. Высокое качество компонентов Infineon обусловлено требованиями, которые пользователи предъявляют к экономической эффективности процесса производства и, конечно, высокой надёжности — особенно в тех случаях, когда компоненты Infineon используются в приложениях, связанных с обеспечением безопасности или чувствительных к условиям окружающей среды.

Параметры качества обычно стараются привести в соответствие с требованиями стандарта DIN 55350, который гласит, что «качество есть совокупность свойств и характеристик продукта или услуги, которые связаны с его способностью удовлетворять заданным требованиям». Таким образом, качество — это мера, в которой продукция или услуги «оправдывают» своё назначение. С точки зрения пользователя, качество продукции определяется эффективностью её применения в условиях, которые соответствуют заданным нормам.

15.1.Критерии, определяющие качество продукции

Качество продукции представляет собой совокупность различных элементов (критериев). Наиболее важными из них являются:

Свойства и характеристики продукции, в том числе её функциональные характеристики и значения параметров, указываемые в спецификации и технических описаниях.

Технологичность: данный критерий определяет, насколько стабильным и отлаженным является процесс производства продукции.

Количество отбракованных (вследствие электрических и/или механических дефектов) полупроводниковых компонентов в партии изделий. Дефектом считается любое несоответствие характеристикам, заявленным в спецификации.

Качество поставки продукции, например соблюдение сроков поставки.

Пригодность к применению в пользовательских устройствах (обеспечивается ли качество сборки печатной платы и особенно процессов пайки и очистки).

Надёжность, т.е. стабильность характеристик полупроводникового компонента при работе в устройстве, с учётом возможной деградации этих характеристик, способной ухудшить функциональные возможности компонента.

Контроль качества как основа для оптимизации качества продукции

Качество продукции и услуг, оптимальное как с точки зрения производителя, так и с точки зрения пользователя, не может быть достигнуто случайным образом. Исходя из опыта работы компании Infineon, оптимальность качества продукции — это результат совершенного управления бизнеспроцессами внутри компании, которое реализовано в рамках программы Business Excellence («Совершенство бизнеса»).

Infineon рассматривает управление качеством как взаимно скоординированную деятельность управляющего персонала и каждого работника компании, направленную на достижение главной цели — совершенства бизнеса. Таким образом, политика компании Infineon в области качества включает в себя упреждающее планирование, поддержку концепции непрерывных улучшений (CIP), предварительный контроль качества и итоговый контроль качества с целью обнаружения и анализа отдельных неисправностей продукции. Фундаментальная концепция современной теории управления качеством продукции как основа для совершенствования бизнеса была впервые разработана в 1970-е годы. Она исходит из очевидного факта, что одними только мерами контроля в классическом их понимании (выходной контроль качества) невозможно обеспечить безупречное качество продукции во всём диапазоне целей и задач. В настоящее время эта точка зрения стала общепринятой.

Основными причинами потерь в качестве продукции являются ошибки при проектировании и недостаточно эффективный

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 528 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

528 15. Контроль качества полупроводниковых компонентов

контроль на этапе производства продукции. Исходя из этого, в концепции управления качеством основной упор делается на оптимальное планирование мер по обеспечению качества продукции и практическую реализацию этих мер.

Всё это привело к появлению в 1980-е годы новой перспективной концепции тотального управления качеством (Total Quality Management — TQM), суть которой очень проста: делать всё правильно с самого начала и до конца — стратегия, совершенно исключающая ошибки! Её ценность, обусловленная требованиями современных моделей управления бизнес-процессом, подтверждается тем, что эта концепция ежегодно отмечалась престижными наградами в США (Приз М. Болдриджа), Европе (Европейский приз качества) и других странах. Компания Infineon также дважды номинировалась на Европейский приз качества (EQA) как финалист в топ-классе производителей.

Современная концепция «превентивного» управления качеством, представляющая собой ключевой элемент успешного управления бизнес-процессом, развилась на основе традиционных методик обеспечения качества, эволюционировавших в направлении персональной ответственности сотрудников. Лишь активность, проявляемая персоналом, позволяет раскрыть огромный потенциал компании Infineon в области обеспечения качества продукции. Благодаря этому можно говорить об оптимальном удовлетворении требований к качеству продукции, предъявляемых всеми заинтересованными сторонами — пользователями, поставщиками, акционерами и т.д., — и, конечно же, самой компанией Infineon.

15.2.Меры по обеспечению качества бизнес-процессов

В качестве примера, ниже подробно описаны меры, связанные с обеспечением качества продукции в процессе её разработки, сертификации и производства.

Меры, обеспечивающие заданные характеристики и свойства продукции, а также качество поставки

Процесс разработки продукции, основанный на использовании соответствующих спецификаций (технических условий),

подробно структурирован и описан в «Руководстве по разработке продукции». Соответствие его характеристик заданным контролируется на всех ключевых этапах процесса разработки. Для этого осуществляются контрольные оценки проекта путём заполнения соответствующих ведомостей технического контроля, входящих в состав «Руководства по разработке продукции».

В зависимости от того, в какой стадии находится процесс разработки продукции, контроль над ним осуществляется следующим образом: структурная схема изделия приводится в соответствие с техническими требованиями заказчика; принципиальная схема проверяется на соответствие со структурной схемой; расчётные электрические характеристики изделия сравниваются с характеристиками, заданными в технических требованиях заказчика.

Полученные в процессе производства опытные образцы продукции проходят приёмочные испытания (в рамках сертификации) с использованием испытательного оборудования, которое обеспечивает проверку в диапазоне напряжений и температур, заданном в технических требованиях. Здесь важно, чтобы испытания проводились в как можно более жёстком режиме, т.е. чтобы программа испытаний «перекрывала» бы все определённые в технических условиях на изделие функциональные и электрические характеристики.

По мере наращивания объёмов массового производства продукции изредка могут возникать отдельные неполадки, даже если для контроля производственного процесса используются самые передовые методы, например SPC. Поэтому меры по обеспечению качества продукции должны предусматривать выходной контроль качества.

Меры, обеспечивающие технологичность и надёжность продукции

Технологичность и надёжность полупроводниковых компонентов рассчитывается, исходя из следующих критериев:

Возможность производства.

Совместимость с последующими технологическими процессами (например, с процессом сборки печатной платы).

Количество компонентов в партии, отбракованных по причине дефектов (интенсивность отказов в период приработки).

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 529 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

15.3. Технологичность с точки зрения пользователя 529

а) Общее количество отказов на млн. экз. (F)

F

Отказы

вследствие

[ppm]

износа

 

Срок службы

Отказы вследствие производственных дефектов

t

б) Интенсивность отказов в единицу времени (h)

h

 

Интенсивность

 

 

 

 

 

[fit]

 

 

 

 

отказов вслед-

 

 

 

 

ствие произ-

 

 

 

 

водственных

Интенсив-

 

 

дефектов

ность отказов

 

 

 

 

вследствие

 

 

 

 

износа

 

 

 

 

 

 

Интенсивность

 

 

 

случайных отказов

 

 

t

 

 

 

 

 

 

Рис. 15.1. Сравнение гистограмм для суммарного числа отказов и интенсивности отказов.

Таблица 15.1. Концепции испытаний для различных критериев качества полупроводниковых компонентов

Критерий качества

Проблема

Концепция испытаний

 

 

 

Возможность произ-

Проблемы, возникающие при сборке

Моделирование воздействий на компо-

водства с точки зре-

печатной платы

нент, возникающих в ходе сборочных

ния пользователя

 

процедур (пайки, очистки и т.д.)

 

 

 

Отказоустойчивость

Ранний отказ (отказ в период прира-

Выборочные испытания готовой про-

 

ботки)

дукции или испытания контрольных об-

 

 

разцов продукции, выполненных по со-

 

 

ответствующей технологии

 

 

 

Долговечность

Влияние конструкции отдельных эле-

Конструктивные испытания; использо-

 

ментов устройства, а также эффектов,

вание моделей ускоренных испытаний и

 

возникающих в процессе работы и

симуляционных программных моделей

 

под воздействием внешней среды

 

 

 

 

Электробезопас-

Повышенная чувствительность к воз-

Испытания на устойчивость к ESD, кон-

ность

действию электростатических разря-

троль «тиристорного эффекта», испыта-

 

дов и внешних электромагнитных

ния на EMC, проверка чувствительнос-

 

полей

ти к электромагнитным излучениям

 

 

 

Рабочие характеристики полупроводниковых компонентов в реальных условиях в течение заданного срока службы (время до начала периода износа > требуемого срока службы).

Устойчивость по отношению к внешним воздействиям (ESD, EMI, броски напряжения и т.д.).

На Рис. 15.1 показаны гистограммы для сравнения терминов «срок службы» и «интенсивность отказов».

Концепции испытаний, соответствующие тем или иным критериям, перечислены в Табл. 15.1.

На финальном этапе проектирования полупроводниковых компонентов (непосредственно перед запуском в массовую серию) в рамках их сертификации производится учёт влияния различных физических механизмов возникновения ошибок на функциональные возможности и срок службы компонентов.

15.3.Технологичность с точки зрения пользователя

В процессе сертификации полупроводниковых компонентов (проверки соответствия техническим условиям) на этапе производства, оценка их пригодности для монтажа на печатных платах или в других модулях осуществляется путём моделирования соответствующих нагрузок на компоненты. Условия пайки и допустимые величины механических и электрических нагрузок на компоненты подробно описаны в справочных руководствах на корпуса компонентов Infineon и соответствуют международным стандартам.

Подобным же образом осуществляется подготовка полупроводниковых компонентов и к другим видам испытаний. Эти испытания позволяют достоверно оценить надёжность изделий при их применении в пользовательских устройствах.

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 530 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

530 15. Контроль качества полупроводниковых компонентов

Отказы вследствие производственных дефектов

Дефекты, которые возникают в процессе производства полупроводниковых компонентов и остаются «незамеченными» даже после заключительных испытаний, затем могут стать причиной отказов в работе компонентов, причём эти отказы проявляются

входе начального, достаточно короткого периода эксплуатации (периода приработки). Такие отказы называются статистическими, а их интенсивность непосредственно зависит от плотности дефектов, вызванных соответствующим технологическим процессом. Современные технологии характеризуются высоким уровнем качества и, следовательно, малой плотностью дефектов. Поэтому для оценки интенсивности отказов на начальном этапе эксплуатации требуются испытания очень большого количества изделий. На практике такие испытания осуществляются путём случайной выборки довольно больших партий компонентов и контроля их работы в течение длительного периода времени.

Вкачестве испытательной модели при тестировании используется наиболее сложное из изделий, выполненных по данной технологии. Испытания проводятся в режиме «наихудших условий» работы изделия.

Распределение по времени как общего числа отказов, так и относительной интенсивности отказов может быть представлено

ввиде простой экспоненциальной зависимости. На Рис. 15.2 показана графическая модель, описывающая зависимость общего

числа отказов от времени, вызванных производственными дефектами полупроводниковых компонентов, а также мгновенного и среднего значений интенсивности отказов в единицу времени F(t)/t. Как видно из графика, спустя 105 часов эксплуатации уровень отказов составляет 1000 dpm (дефектов на миллион экземпляров изделия). Значение параметра b для логических компонентов составляет в среднем 0.7.

Характеристики надёжности и их изменение в течение срока службы продукции

Описанные выше испытания позволяют оценить, может ли полупроводниковый компонент ещё до истечения требуемого срока службы выйти из строя в результате «старения» (эффект которого определяется физико-химическими свойствами используемых материалов и конструкцией тех или иных компонентов). При соответствующих вычислениях используются принципиально известные соотношения, связывающие физические механизмы отказов и условия, практически воздействующие на изделие.

Для того чтобы с помощью данной модели осуществить количественную оценку характеристик надёжности, используются упрощённые методы испытаний, которые специально адаптированы для работы в экстремальных режимах. Обзор этих методов приведён в Табл. 15.2. Использование подобной концепции позволяет гораздо оперативнее производить оценку надёжности полупроводниковых компонентов (см. также подраздел «Модели ускоренных испытаний»).

1000

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Общее

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Средняя

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

интенсивность

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

количество

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dpm

 

 

 

 

отказов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(отказов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

отказов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

F(t) = a·tb

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в ед.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

F(t)/t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

врем.)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b

–1

= –0.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b = 0.7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Мгновенная

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

интенсивность

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

отказов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

λ = a·b·t b–1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Время [ч]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Время [ч]

1E + 2

 

 

 

1E + 3

 

1E + 4

 

 

1E + 2

 

 

 

 

1E + 3

 

1E + 4

Рис. 15.2. Зависимости общего количества отказов и интенсивности отказов от времени.

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 531 из 590 (September 6, 2010, 19:32)

15.3. Технологичность с точки зрения пользователя 531

Таблица 15.2. Испытания на надёжность

Воздействие/нагрузка

Испытуемые элементы

Условия испытаний

Примечания

 

 

 

 

Испытания на долговечность (с учётом конструкции испытуемых устройств и воздействия внешних

факторов)

 

 

 

 

 

 

 

Эксплуатационные ста-

Отдельные элементы

Условия, специфические

Значения параметров

тические/динамичес-

или узлы испытуемого

для физических механиз-

должны выходить за

кие:

изделия, чувствитель-

мов, определяющих про-

рамки предельно до-

– температура

ные к измеряемой физи-

цесс работы испытуемых

пустимых для данно-

– напряжённость элект-

ческой величине

элементов

го компонента (испы-

рического поля

 

 

тания в «экстре-

– плотность тока

 

 

мальном» режиме)

 

 

 

 

Обусловленные окружа-

Отдельные типы корпу-

Соответствующие макси-

 

ющими условиями:

сов (пластиковые)

мально допустимым режи-

 

 

мам работы, например:

 

– температура

 

+150°C

 

– относительная влаж-

 

85% (при +85°C)

 

ность

 

 

 

– перепад температур

 

–40/+150°C

 

 

 

 

 

Испытания на работоспособность (обычно выполняются в максимальных режимах работы изделия или в условиях, указанных производителем)

Электрические

Изделие в целом

Зависят от функции испы-

Для всего ожидаемого

процессы

 

туемого компонента, на-

срока службы компо-

 

 

пример: статические / ди-

нента

 

 

намические / цикл

 

 

 

перезапуска / цикл чте-

 

 

 

ния/стирания данных

 

 

 

 

 

Испытания для оценки надёжности на начальном этапе (обычно выполняются в максимальных режимах работы изделия или в условиях, указанных производителем)

Надёжность на началь-

Типичный представи-

Зависят от функции испы-

Для всего ожидаемого

ном этапе эксплуатации

тель семейства полупро-

туемого компонента, на-

срока службы компо-

 

водниковых компонен-

пример: статические / ди-

нента

 

тов, выполненных по

намические / цикл

 

 

одной и той же техноло-

перезапуска

 

 

гии

 

 

 

 

 

 

Испытания на технологичность (с точки зрения OEM-производителей),

часто предшествуют испытаниям, связанным с оценкой влияния окружающей среды

Нагрев при пайке

Отдельные типы корпу-

 

 

сов (пластиковые)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Корпуса для монтажа

Заданная характеристика

 

 

в сквозные отверстия

распределения тепла при

 

 

пайке

 

 

 

 

 

Влажность окружаю-

Корпуса для поверхнос-

Предварительная обра-

* Моделируется эф-

щей среды при хране-

тного монтажа

ботка* + заданная харак-

фект поглощения

нии и транспортировке

 

теристика распределения

влаги

изделия

 

тепла при пайке

 

 

 

 

 

Испытания на устойчивость к внешним электрическим воздействиям и нагрузкам

 

 

 

 

 

Электростатический

Изделие в целом

– модель человеческого

 

разряд (ESD)

 

тела (HBM)

 

 

– модель заряженного

 

 

 

 

 

устройства (CDM)

 

 

 

 

 

Тиристорный эффект

Изделие в целом

 

 

 

 

Электромагнитные по-

Изделие в целом

мехи (EMI)

 

 

 

 

 

 

 

 

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]