Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Шумахер У. Полупроводниковая электроника

.pdf
Скачиваний:
229
Добавлен:
28.03.2015
Размер:
8.01 Mб
Скачать

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 492 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

492 13. Электромагнитная совместимость

По этой причине между шинами питания и земли в непосредственной близости от микроконтроллера на печатной плате обычно размещают большое количество буферных конденсаторов, которые обеспечивают необходимый ток переключения. В промежутке времени между двумя активными фронтами тактовых импульсов конденсаторы перезаряжаются. К сожалению, использование на печатной плате дискретных конденсаторов имеет тот недостаток, что они обладают ненулевыми контактной индуктивностью (ESL — эквивалентная последовательная индуктивность) и контактным сопротивлением (ESR — эквивалентное последовательное сопротивление). Их значения (составляющие приблизительно 2 нГн и 30 мОм) достаточно велики для того, чтобы на наиболее высоких частотах конденсатор практически терял свои ёмкостные свойства. Напротив, контактная индуктивность встроенного конденсатора, размещённого в непосредственной близости от внутренней шины питания ИС, оказывается пренебрежимо малой. Следовательно, чем большее количество таких внутренних конденсаторов может быть интегрировано непосредственно в микросхему, тем выше будет эффект подавления ВЧ излучения.

Снижение уровня электромагнитных излучаемых помех также может быть достигнуто путём использования соответствующих схемотехнических и конструктивных решений при разработке печатной платы. К их числу можно отнести: применение индуктивных фильтров (например, дросселей и ферритовых бусин), работающих как фильтры нижних частот; выполнение печатной платы с дополнительным заземлённым слоем без сквозных отверстий в нём; выполнение подводок ВЧ сигнала в виде полосковых линий; использование дополнительных конденсаторов и электромагнитных экранов. Однако все эти добавочные элементы повышают стоимость электронных устройств, что весьма существенно, особенно если речь идёт о массовом производстве.

Если, по соображениям экономии средств, решено использовать печатную плату лишь с двумя слоями, то один из этих слоёв должен (насколько это возможно) быть выделен под землю (GND и VSS). Если это не представляется возможным, то шины

положительного питающего напряжения (VDD) и VSS следует прокладывать как можно ближе друг к другу или одну над другой, чтобы минимизировать путь протекания возвратного тока и, следовательно, уменьшить уровень синфазных помех (Рис. 13.47).

 

МК

Печатная

питания )

DD

плата

Шина (V

Шина земли

 

Разъём

Плохо спроектированный путь протекания возвратного тока

 

питания

)

 

 

МК

Печатная

Шина

DD

 

плата

(V

 

 

Шина земли

 

 

Разъём

Хорошо спроектированный путь протекания возвратного тока

Рис. 13.47. Разводка напряжения питания на двухслойной печатной плате.

При проектировании многослойных печатных плат необходимо предусмотреть два раздельных слоя, выделенных исключительно под шины напряжения питания (VDD и VSS). Любые другие питающие напряжения в схеме должны подводиться к «островам», расположенным непосредственно под теми модулями, которые используют эти напряжения питания. В целях минимизации уровня излучаемых электромагнитных высокочастотных помех, желательно обеспечить как можно большую величину паразитной ёмкости между слоями питания. Этого можно достичь, располагая внутренние слои печатной платы непосредственно один над другим (Рис. 13.48).

 

 

 

 

 

 

Небольшое расстояние между

 

 

 

 

 

 

слоями земли (GND) и питания (VDD)

 

 

 

 

 

 

Сигнал

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сигнал

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GND

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GND

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VDD

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VDD

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сигнал

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сигнал

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GND

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Сигнал

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4-слойная

 

 

 

 

 

 

6-слойная

 

 

печатная плата

 

 

 

 

печатная плата

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 13.48. Распределение слоёв в многослойной печатной плате.

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 493 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров 493

Например, в 6-слойной печатной плате второй слой может быть отведён под сигнальную землю, что обеспечит заданное значение импеданса по отношению к высокочастотному сигналу данных. Здесь, как и в случае с разводкой шин питания, следует обратить внимание на то, чтобы пути протекания возвратных токов были как можно короче. Особенно надо избегать электрического контакта земляного слоя с соседними слоями через сквозные отверстия (Рис. 13.49).

Сквозное

отверстие

Слой

 

 

 

 

 

земли

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Путь протекания

 

Путь протекания

 

Путь протекания

возвратного тока

 

возвратного тока

 

возвратного тока

Наихудший путь

Наилучший путь

Оптимальный

протекания

 

протекания

путь протекания

возвратного тока

возвратного тока

возвратного тока

Рис. 13.49. Оптимизация путей протекания возвратных токов для ВЧ сигналов на печатной плате.

Самое пристальное внимание следует уделить размещению на печатной плате нескольких ИС. В первую очередь, необходимо провести шины питания от стабилизатора напряжения. Напряжение к быстродействующим логическим схемам, «медленным» логическим схемам и чувствительным аналоговым каскадам должно подаваться раздельно, чтобы минимизировать взаимное влияние этих схем. Соответствующие линии (дорожки) питания должны соединяться по схеме «звезда» в одной точке в стабилизаторе напряжения (Рис. 13.50).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Область VDD

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Область VDD

 

 

 

для

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

стабилизатора

 

 

 

 

для

 

 

 

 

 

 

 

 

 

напряжения

 

 

 

 

быстродей-

 

 

 

 

Область VDD

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ствующей ИС

 

 

 

 

 

для ИС

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

памяти

 

 

 

 

 

 

 

Точка

 

 

 

 

 

 

 

 

соеди-

 

 

 

 

Область VDD

Область VDD

 

 

 

нения

 

 

 

 

для

 

 

для

 

 

 

аналоговой

Печатная

микрокон-

 

 

 

 

ИС

троллера

 

 

 

 

 

 

 

плата

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 13.50. Разводка шин питания ИС различных типов по схеме «звезда».

При использовании буферных конденсаторов следует размещать их на печатной плате таким образом, чтобы обеспечиваемый ими ток переключения поступал в ИС по кратчайшему пути. В этом случае ток от источника питания (по шинам VDD или VSS, в зависимости от схемы включения ИС) физически протекает через конденсатор в ИС. В качестве иллюстрации этого, на Рис. 13.51 показаны примеры правильного и неправильного подключения буферных конденсаторов к выводам питания микроконтроллера. Две верхние схемы на Рис. 13.51 относятся к случаю размещения компонентов на одной стороне платы, а две нижние — к случаю, когда микроконтроллер и конденсатор размещаются на лицевой и обратной сторонах 4-слойной печатной платы (PCB).

 

Микрокон-

 

 

 

Микрокон-

 

 

троллер

 

 

 

троллер

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GND-

 

 

 

VCC-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Via

 

 

 

Via

Печатная

 

Cdec

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Cdec

 

 

 

 

 

 

GND-

VCC-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

плата

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Via

Via

Cdec

Сигнал

Печатная

GND

плата

VCC

(4 слоя)

Сигнал

Микроконтроллер

 

Ток поступает в микрокон-

Ток поступает

троллер непосредственно

в микроконтроллер

из слоя питания

через конденсатор

а)

б)

Рис. 13.51. Неправильное (а) и правильное (б) размещение буферного конденсатора.

При подключении к встроенному в микроконтроллер генератору керамического или кварцевого резонатора следует обратить особое внимание на то, чтобы непосредственно под местом размещения основного вывода резонатора на печатной плате была создана проводящая область («остров»), соединённая с выводом VSS (землёй) микроконтроллера. Это единственный способ избежать протекания возвратного тока по поверхности земляного слоя печатной платы.

Помимо концепции использования буферных конденсаторов, огромное значение, с точки зрения снижения уровня ВЧ излучений и обеспечения целостности полезного сигнала, имеет «канализирование» при передаче высокочастотных полезных сигналов по шинам данных. Излучение или проникновение ВЧ помех, например, в

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 494 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

494 13. Электромагнитная совместимость

цепь питания можно эффективно предотвратить путём экранирования сигнальных проводников. При этом формируется микрополосковая линия (в случае использования однослойного экранирования) или полная полосковая линия (в случае использования двухслойного экранирования). В обоих вариантах полосковые линии могут быть спроектированы с заданным импедансом, что позволяет согласовывать их с выходным импедансом драйвера сигналов. На Рис. 13.52 приведены примеры таких линий с различными импедансами.

0.15 мм

 

 

 

Сигнал

0.15 мм

 

 

 

 

0.25 мм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

εr = 4.5

 

0.3 мм

 

 

 

 

 

 

 

εr = 4.5

0.3

 

 

εr = 4.5

0.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мм

 

 

 

 

мм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GND

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Z0 = 88 Ом

 

 

 

Z0 = 75 Ом

 

 

 

 

Z0 = 73 Ом

 

 

 

Рис. 13.52. Характеристические сигнальные импедансы микрополосковых линий.

Согласование импедансов линии и драйвера позволяет как улучшить целостность сигнала при передаче его по линии, так и снизить уровень излучаемых помех. Напротив, рассогласование импедансов приводит к отражению сигналов из линии в драйвер, что вызывает искажения фронтов сигналов (выбросы) или даже генерацию паразитных ВЧ колебаний («звон») в момент их переключения. Более подробно этот эффект рассмотрен в разделе 13.4.

Компьютерное моделирование

и симуляция характеристик EMC

Компьютерная симуляция может проводиться во временной или в частотной области. Картина, полученная во временной области, позволяет оценить целостность сигналов, т.е. крутизну фронтов, наличие выбросов/провалов или «звона» при передаче сигналов. Результаты компьютерного моделирования помогают выявить «сверхгабаритные» драйверы, чересчур длинные соединительные проводники и несогласованность импедансов. Производители ИС для обеспечения технической поддержки своей продукции обычно предоставляют так называемые компьютерные IBIS-моде- ли (спецификации буфера ввода/вывода)

для цифровых схем переключения, которые описывают характеристики переключения для всех драйверов, входящих в состав данной ИС. Структурные элементы печатной платы могут быть описаны в рамках так называемой модели линии передачи (Transmission Line Model — TLM) или с использованием двухили трёхмерных (в зависимости от вида конкретной печатной платы) стандартных элементов, которые позволяют моделировать различные геометрические формы. Чем неудачнее спроектирована печатная плата, тем тщательнее должен быть проведён процесс моделирования её самой и её окружения, и тем больше оказывается объём обрабатываемых данных и требуемые вычислительные ресурсы. Моделируемые параметры записываются в виде сложных так называемых RLCG-матриц, для решения которых используются программы анализа электромагнитных полей. С помощью этих программ можно производить вычисления как на уровне проводников, так и на уровне полей. Примеры такого анализа в частотной и временной областях приведены на

Рис. 13.53.

Целостность сигнала

Амплитуда

 

Время

 

 

Передаточные характеристики

Затухание

 

Частота

 

 

Распределение тока

 

 

 

Рис. 13.53. Компьютерный анализ целостности сигнала во временной области (верхний график), коэффициента передачи S21 в частотной области (центральный график) и локального распределения тока на печатной плате (нижний график).

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 495 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров 495

13.3.3.Измерение уровня помех, излучаемых микроконтроллерами

При оценке уровня помех, излучаемых микроконтроллерами, за основу принята методика проведения измерений, соответствующая стандарту IEC 61967. Данный стандарт описывает 5 различных методов измерений как кондуктивных (IEC 61967-4, бывший стандарт VDE 767.13), так и излучаемых помех (IEC 61967-2, бывший стандарт SAE 1752/3). Кроме того, в ряд национальных стандартов дополнительно входят различные измерительные методики, предложенные национальными комиссиями по проблеме EMC и по настоящее время сосуществующие со стандартом IEC 61967. Подробное описание стандартизированных в соответствии с IEC 61967 методов измерения помех было дано в разделе 13.1.3.

Два из этих измерительных методов могут быть реализованы с помощью одной испытательной платы (Рис. 13.54). Универсальная испытательная плата для измерений методом TEM-камеры конструктивно представляет собой квадрат со стороной 4 дюйма (10.14 см). Испытуемая ИС микро-

Рис. 13.54. Испытательная плата для измерения уровня помех, излучаемых микроконтроллером. Вверху — верхняя сторона платы, ввнизу — нижняя сторона платы с испытуемой ИС.

контроллера размещается на экранированной обратной стороне платы, а периферийные устройства (память, тактовый генератор, внешние порты ввода/вывода) — на лицевой стороне. Эта же плата совместно со сканером ближнего поля может быть использована и при проведении измерений распределения электромагнитных полей вдоль поверхности испытуемой ИС. Такой тест полезен для определения критических, с точки зрения излучения помех, выводов микроконтроллера.

В типичном спектре помех, излучаемых микроконтроллером, резко выделяются по амплитуде гармоники системной тактовой частоты. При сравнении уровней излучаемых помех, полученных, например, на разных этапах проектирования ИС, используется огибающая спектрального сигнала. На Рис. 13.55 показан типичный спектр помех, излучаемых микроконтроллером, который работает с тактовой частотой 40 МГц.

Уровень помех [дБмкВ]

60

50

40

30

20

10

0

–10

0100 200 300 400 500 600 700 800 900

Частота [МГц]

Рис. 13.55. Спектр помех, излучаемых микроконтроллером, полученный при измерении методом TEM-камеры в соответствии со стандартом IEC 61967-2. Тактовая частота микроконтроллера 40 МГц.

Источники помех и пути их распространения

Микроконтроллер состоит из большого количества функциональных модулей (Рис. 13.56). В первую очередь, имеется ЦПУ (центральное процессорное устройство), ответственное за вычисления и управление процессом передачи данных. К так называемым периферийным модулям, или проще «периферии», микроконтроллера относятся модули памяти (ОЗУ,

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 496 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

496 13. Электромагнитная совместимость

 

 

 

излучаются в окружающее пространство. Те

 

 

 

высокочастотные помехи, которые не уда-

 

 

 

лось подавить схемотехническими метода-

 

 

 

ми на уровне микросхемы (например, за

 

 

 

счёт применения интегрированных в крис-

 

 

 

талл развязывающих конденсаторов), про-

 

 

 

никают

в окружающие

микроконтроллер

 

 

 

системы через контактные площадки шины

 

 

 

питания. К числу внешних систем, подвер-

 

 

 

гающихся воздействию помех, прежде всего

 

 

 

относится печатная плата, на которой раз-

 

 

 

мещён микроконтроллер. Эта ВЧ помеха

 

 

 

может быть частично ослаблена дискретны-

 

 

 

ми развязывающими конденсаторами, ко-

 

 

 

торые следует располагать как можно ближе

 

 

 

к выводам питания микроконтроллера. Об-

 

 

 

ладая неоптимальными характеристиками

Рис. 13.56. Расположение функциональных

контактной индуктивности (ESL — эквива-

модулей в корпусе микроконтроллера, ис-

лентная

последовательная индуктивность,

пользующего систему централизованной

составляющая приблизительно 2 нГн) и

синхронизации тактовыми импульсами.

контактного сопротивления (ESR — экви-

 

 

 

валентное последовательное сопротивле-

ПЗУ, ЭППЗУ, флэш-память), таймеры (на-

ние,

составляющее

приблизительно

пример таймеры захвата/сравнения), пос-

30 мОм), эти конденсаторы способны эф-

ледовательные и параллельные интерфейсы

фективно подавлять помехи на относитель-

передачи данных (ASC, SSC, SPI, парал-

но низких частотах, вплоть до 10 МГц. Бо-

лельный порт),

специальные

модемы

лее высокочастотные помехи не ослабляют-

(CAN, J1850), контроллер прерываний и

ся. По этой причине необходимо организо-

интерфейс внешней памяти (EBU — модуль

вать подавление электромагнитных ВЧ по-

внешней шины). Для того чтобы обеспе-

мех в самой микросхеме, минимизируя их

чить максимальную вычислительную мощ-

источники и пути распространения.

ность микроконтроллера, шины передачи

Система синхронизации тактовыми им-

данных должны обладать максимально воз-

пульсами является главным источником уз-

можной пропускной способностью и рабо-

кополосных высокочастотных электромаг-

тать на возможно более высокой тактовой

нитных помех. На них накладываются вто-

частоте. Высокая тактовая частота передачи

ричные тактовые импульсы и апериодичес-

данных означает, что на обработку данных у

кие сигналы, которые «ответственны» за

микроконтроллера имеется немного време-

появление в спектре помех широкополос-

ни, поэтому длительность латентной фазы

ной составляющей (см. Рис. 13.55). Совре-

цикла передачи данных следует задавать как

менные сложные и высокопроизводитель-

можно большей. Соответственно, необхо-

ные микроконтроллерные системы исполь-

димо обеспечить

чрезвычайно

крутые

зуют импульсную синхронизацию для уп-

фронты сигналов тактовой частоты, причём

равления всеми логическими схемами, т.е.

эти сигналы должны поступать синхронно

тактовые импульсные сигналы должны од-

по всей системе.

 

 

новременно поступать во все точки систе-

Поскольку все транзисторы микроконт-

мы. В процессе одновременного переклю-

роллера потребляют в процессе переключе-

чения сотен тысяч транзисторов в системе

ния ток, протекающий по внутренней шине

питания микроконтроллера возникают им-

питания, она представляет собой основной

пульсы тока очень большой амплитуды (по-

путь распространения ВЧ помех (подсчита-

рядка нескольких ампер). В идеале шина

но, что до 60% ВЧ помех проникают в окру-

имеет низкий импеданс, чтобы избежать

жающие системы по цепи питания микро-

больших падений напряжения на ней, поэ-

контроллера). Ещё около 30% помех рас-

тому основной вклад в генерацию ВЧ помех

пространяются через порты ввода/вывода,

вносит ток, протекающий по цепи питания.

и лишь оставшиеся 10% непосредственно

В зависимости от того, как организована

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 497 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров 497

синхронизация внутренних логических схем, импульсы тока возникают один или два раза за период тактовой частоты. Они характеризуются очень крутым фронтом и постепенно затухают по мере того, как тактовый сигнал проходит через различные каскады логических схем (Рис. 13.57).

V

t

I

Период

 

тактовых

 

импульсов

t

t (макс. изменение тока di/dt)

Рис. 13.57. Форма тока и напряжения для тактового сигнала.

Токи переключения логических схем, расположенных на полупроводниковом кристалле микроконтроллера, в нормальном режиме поступают от внешнего источника питания. Однако при этом неизбежно генерируются так называемые шумы одновременного переключения (SSN), вызванные высокой крутизной фронтов импульсов тока (большой величиной di/dt) и наличием паразитных сопротивлений и индуктивностей в цепи питания. Высокочастотная составляющая этих шумов проникает в соседние электронные системы или излучается в окружающее пространство. Поэтому система питания микроконтроллеров включает в себя развязывающие (буферные) конденсаторы, располагающиеся как можно ближе к потребителям тока, т.е. к интегральным схемам. Это означает, что каждый микроконтроллер в идеале дополнен конденсатором, размещённым непосредственно на его выводах питания. Использование данных конденсаторов оказывается полезным с двух точек зрения:

во-первых, они служат локальными источниками тока в момент переключения импульсов тактовой частоты;

во-вторых, они в определённой степени ограничивают распространение высокочастотных помех от микроконтроллера в стабилизатор напряжения или аккумуляторные батареи автомобиля.

Схемотехнические методы по предотвращению излучения помех от микроконтроллеров

Чем ближе к источникам электромагнитных помех располагаются элементы, предназначенные для подавления помех, тем выше их эффективность. Улучшение EMC-характеристик электронных устройств может быть достигнуто следующими мерами: ограничением крутизны фронтов импульсов при переключении транзисторов и логических схем (элементов), а также размещением дополнительных источников заряда (конденсаторов) в непосредственной близости от переключаемой логической схемы. Уменьшать крутизну фронтов тактовых импульсов можно лишь в тех случаях, когда это не противоречит требованиям к производительности микроконтроллера. Транзисторы и логические элементы при совместной работе не должны формировать импульсы с чересчур крутыми фронтами. В настоящее время во всём мире широко распространение получили методы синтеза схем, когда выбор соответствующих компонентов схемы осуществляется с применением программных инструментов.

Большинство производителей микроконтроллеров интегрируют в микросхемы конденсаторы, предназначенные для ограничения импульсов тока при переключениях. Совместно со своим низкоомным последовательным сопротивлением такой конденсатор образует RC-фильтр нижних частот. Тем самым высокочастотная составляющая тока переключения не только ослабляется внутри микросхемы, но и не пропускается наружу. Использование последовательных индуктивностей было бы более эффективным (поскольку они обладают меньшим последовательным сопротивлением), однако для реализации интегральной индуктивности около 100 нГн требуется слишком большая площадь поверхности полупроводникового кристалла. Систематические исследования процесса работы микроконтроллеров показывают, что их проектирование с учётом реализации подобных RC-структур позволяет значительно уменьшить уровень излучаемых помех. На Рис. 13.58, а, б в графическом виде показаны результаты двух измерений уровня электромагнитных помех, излучаемых 16-битным микроконтроллером. В первом

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 498 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

498 13. Электромагнитная совместимость

Уровень помех [дБмкВ] Уровень помех [дБмкВ]

40

30

20

10

0

40

30

20

10

0

а)

16-битный микроконтроллер

 

(системная тактовая частота 20 МГц).

 

Результат измерения излучаемой

[дБмкВ]помехУровень

помехи (встроенный EMI-фильтр

 

 

низкого качества)

 

 

 

 

 

0

200

400

600

800

1000

 

 

Частота [МГц]

 

 

б) 16-битный микроконтроллер

[дБмкВ]

(системная тактовая частота 20 МГц).

 

Результат измерения излучаемой

 

помехи при хорошем встроенном

 

 

 

EMI-фильтре

 

Уровень помех

 

 

 

 

 

0

200

400

600

800

1000

в) 16-битный микроконтроллер (системная тактовая частота 40 МГц).

Спектр кондуктивных помех при 50 крутых фронтах тактовых импульсов

40

30

20

10

0 -10

 

0

200

400

600

 

 

Частота [МГц]

 

50

г)

16-битный микроконтроллер

 

(системная тактовая частота 40 МГц).

 

40

Спектр кондуктивных помех при

 

пологих фронтах тактовых импульсов

 

30

 

 

 

 

20

 

 

 

 

10

 

 

 

 

0

 

 

 

 

-10

0

200

400

600

 

Частота [МГц]

Частота [МГц]

Рис. 13.58. Снижение уровня излучаемых микроконтроллером электромагнитных помех схемотехническими (on-chip) методами. Слева — спектр излучаемых помех при отсутствии (а) и наличии (б) развязывающего конденсатора. Справа — спектр кондуктивных помех на выходе драйвера порта ввода/вывода при крутых (в) и пологих (г) фронтах тактовых сигналов.

случае в микроконтроллере не предусмотрено никаких мер, направленных на улучшение его EMC-характеристик, а во втором случае он спроектирован с применением концепции встроенных развязывающих конденсаторов. Видно, что уровень помех в критическом (используемом для FM вещания) частотном диапазоне 100 МГц удаётся снизить приблизительно на 10 дБ.

Помехи, возникающие при переключении сигналов на выходе драйверов портов ввода/вывода микроконтроллера, также вносят свой вклад в общий уровень помех, генерируемых микроконтроллером. Сигнальные линии на печатной плате, подключённые к выводам портов, представляют собой (также как и рассмотренные выше шины питания) очень эффективные антенны длиной до нескольких сантиметров. С целью минимизации помех, генерируемых выходными каскадами (драйверами) портов вода/вывода, следует предпринимать определённые схемотехнические меры. Наиболее распространёнными из них являются снижение выходной мощности драйвера или сглаживание фронтов импульсов (контроль скорости нарастания

сигнала). Поскольку параметры выходных транзисторов драйвера обычно выбираются с некоторым запасом (в расчёте на так называемые наихудшие условия работы), как правило, имеется возможность использовать импульсы с менее крутыми фронтами. Особенно это относится к случаям, когда драйвер работает на невысокой тактовой частоте или на малую ёмкостную нагрузку. На Рис. 13.58, в, г в спектральном виде показаны результаты измерений кондуктивной помехи, генерируемой 16-битным микроконтроллером на выходе драйвера порта ввода/вывода. В первом случае, фронты тактовых импульсных сигналов имеют большую крутизну, а во втором случае их крутизна снижена. Использование подобного метода позволяет уменьшить уровень помех в диапазоне FM (100 МГц) приблизительно на 6 дБ.

Другой схемотехнический метод улучшения EMC-характеристик микроконтроллерных систем заключается в использовании генераторов частотно-модулированно- го тактового сигнала, известных под общим названием «генератор с распределённым спектром». Даже при весьма ограниченном

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 499 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров 499

уровне модуляции (0.5…1%) удаётся заметно снизить амплитуду узкополосных помех, представляющих собой гармоники тактовой частоты. В то же время, несколько увеличивается уровень помех в боковой полосе частот. Хотя таким способом не удаётся уменьшить общую энергию излучений, более равномерное её распределение по спектру позволяет ограничить максимальную амплитуду электромагнитной помехи.

Уровень помех, генерируемых микроконтроллером, может быть снижен также путём соответствующих усовершенствований его корпусирования и схемы расположения выводов. В настоящее время широко распространены корпуса ИС на основе так называемой выводной рамки (leadframe, см. Рис. 13.59, а). В них сигнальные линии и шины питания, соединяющие полупроводниковый кристалл ИС с её внешними выводами, проведены в виде «паучьих ножек». По такой технологии выполнены корпуса типов DIL, PLCC, M-QFP и T-QFP. Чем больше расстояние между полупроводниковой подложкой кристалла и внешним выводом корпуса, тем выше контактная индуктивность данного соединения. Она состоит из индуктивности выводной рамки и индуктивности проволочного соединения, которое обеспечивает электрический контакт между кристаллом и выводной рамкой. При проектировании схемы расположения выводов микроконтроллера особое внимание следует уделить разводке выводов питания, которые всегда должны быть сгруппированы попарно и располагаться как можно ближе к середине соответствующей стороны корпуса. Такое их расположение позволяет минимизировать индуктивность внутренних соединений и создаёт оптимальные условия для блокирования помех.

В то время как в корпусах с выводной рамкой схема разводки сигнальных линий задаётся заранее и не может затем изменяться, применение корпусов, выполненных по технологии BGA (матрицы шариковых выводов, см. Рис. 13.59, б), позволяет оптимизировать критические, с точки зрения EMC, сигнальные соединения и линии питания путём разработки соответствующих трафаретов. Здесь выводы выполнены на нижней стороне корпуса в виде маленьких шариков, которые методом точечной пайки припаиваются к контактным площадкам печатной платы. Электрический

Компаунд Золотая Клей проволока

Медная рамка

Место посадки

кристалла

а)

Место посадки Золотая кристалла прово-

Кристалл

лока

Слой

Компаунд

металли-

 

 

зации

Шариковый контакт Опорная

Межсое- пластина динение б)

Рис. 13.59. Вид сверху и изображение в поперечном разрезе корпусов с выводной рамкой (а) и типа BGA (б).

контакт между полупроводниковым кристаллом ИС и соответствующими дорожками опорной пластины осуществляется либо проволочными соединениями, либо, в варианте «перевёрнутого» кристалла, непосредственно через так называемые столбиковые выводы.

Компьютерное моделирование

и симуляция характеристик EMC

Если при проектировании печатных плат методы компьютерной симуляции их EMC-параметров применяются уже довольно давно и широко, то методика моделирования и программной симуляции EMC-характеристик микрокомпьютеров пока ещё находится на начальном этапе своего развития. Основная причина этого заключается в большой сложности микроконтроллера — программная симуляция его работы на уровне, например, транзисторов требует обработки невероятно больших массивов данных и занимает много времени. Более реалистичным решением является программная генерация эквивалентных источников тока, которые моделируют «поведение» микроконтроллера в целом или отдельных его модулей при переключении токов.

Для проведения системно-ориентиро- ванных компьютерных симуляций

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 500 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

EMC-параметров микроконтроллеров раз-

питания до 1.5 В и ниже эта проблема при-

работаны различные стандартные програм-

обретает актуальность. Оценка помехоус-

мные модели. Но, например, модель IBIS

тойчивости микроконтроллеров с помощью

описывает лишь характеристики

портов

соответствующих методов измерения (на-

ввода/вывода. Так

называемая

модель

пример, измерение ошибок при передаче

электромагнитного

излучения интеграль-

сигналов) является чересчур дорогостоя-

ной

схемы

(Integrated

Circuits

щей, поскольку предварительно

требуется

Electromagnetic Emission Model — ICEM)

идентифицировать те элементы схемы, ко-

определяет эквивалентные источники то-

торые под воздействием помех могут рабо-

ка, подключаемые к выводам питания ИС.

тать с ошибками, и написать специализиро-

Хотя уровень помех именно на этих выво-

ванную (заказную) программу для управле-

дах микроконтроллера является определя-

ния процессом измерений. С тех пор как

ющим и подлежит оценке в первую оче-

были разработаны методы тестирования пе-

редь, симуляционная модель должна также

чатных плат, предпринимаются усилия по

содержать данные о типе корпуса и развод-

стандартизации на международном уровне

ке печатной платы в непосредственной

методов

измерения

помехоустойчивости

близости от ИС (например, с учётом так на-

ИС. Они, главным образом, относятся к из-

зываемой концепции блокировки). На

лучаемым ВЧ полям и наведённым ВЧ то-

уровне кристалла такая модель должна опи-

кам. Методы измерения помехоустойчивос-

сывать эквивалентные источники тока, со-

ти, соответствующие

нормам

IEC 62132,

ответствующие функциональным модулям

подробно рассмотрены в подразделе 13.1.3.

микроконтроллера и включать в себя пре-

В настоящее время продолжается работа

цизионную RLC-модель источника напря-

по созданию установок для испытаний ус-

жения питания (Рис. 13.60).

 

тойчивости ИС к воздействию импульсных

 

 

 

 

помех. Большое значение имеет и устойчи-

 

 

 

 

вость микроконтроллеров к воздействию

 

 

 

 

электростатического разряда (ESD). В этой

 

 

 

 

связи стоит отметить, что обычно ни один

 

 

 

 

из выводов микроконтроллера (не считая

 

 

 

 

выводов питания) не связан непосредствен-

 

 

 

 

но с разъёмами, которые предназначены

Рис. 13.60. Моделирование сложной ИС

для внешних соединений, поэтому требова-

ния к защищённости микроконтроллера от

с помощью эквивалентных источников тока

внешних электростатических импульсов не

 

и выделения RLC-контуров.

 

 

 

столь высоки, как для других ИС или систе-

 

 

 

 

Качество компьютерной модели напря-

мы в целом.

 

 

 

Наибольшее воздействие на

 

помехоус-

мую зависит от того, сколь корректно с её

 

тойчивость микроконтроллера

оказывают

помощью можно вычислять динамические

помехи,

возникающие в цепи

питания

токи переключения и какова точность вы-

вследствие протекания в ней больших им-

деления паразитных RLC-контуров. Если

пульсных токов переключения (так называ-

модель используется лишь для качествен-

емые SSN-шумы). Эти помехи вызваны как

ной

оценки EMC-характеристик,

напри-

процессами в самом микроконтроллере, так

мер, при модернизации устройства, то её

и влиянием внешних устройств, в особен-

количественной точностью можно в опре-

ности мощных полупроводниковых компо-

делённых пределах пожертвовать.

 

 

нентов, и могут значительно ухудшить от-

 

 

 

 

13.3.4. Помехоустойчивость

 

ношение сигнал/шум.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

микроконтроллеров

 

13.4. Обеспечение EMC

 

 

 

 

 

 

 

 

Вплоть до настоящего времени проблема

в проводных системах связи

помехоустойчивости микроконтроллеров не

Термин «проводные системы связи» мо-

привлекала особого

внимания, поскольку

жет быть отнесён к широкому диапазону ус-

напряжения питания 3.3…5 В во много раз

 

 

 

 

 

500

13. Электромагнитная совместимость

 

 

 

 

 

превышают уровень внешних электромаг-

тройств и технологий. Сюда входят элемен-

ты телекоммуникационных сетей, центры

нитных помех; при понижении напряжения

 

INFSEMI_2-Text.fm, стр. 501 из 590 (September 6, 2010, 19:31)

13.4. Обеспечение EMC в проводных системах связи 501

коммутации и маршрутизаторы локальных сетей (LAN), а также абонентские устройства для частного пользования, например телефоны, персональные компьютеры или сетевые оконечные устройства.

Однако требования по обеспечению EMC в области систем связи относятся к системам в целом, а не к отдельным их компонентам. Из этого следует, что испытания на электромагнитную совместимость должны в основном проводиться на уровне внешних интерфейсов:

сигнальных линий (проверка величины ВЧ напряжений и уровней тока);

линий питания (проверка величины ВЧ напряжений);

корпусов (проверка уровней напряжённости электрического и магнитного полей).

Скорости передачи данных в системах связи становятся всё выше и выше. Следовательно, растёт и ширина полосы пропускания аналоговых сигналов, отведённой для предоставления различных услуг. Так, например, в настоящее время службы ADSL или VDSL используют тот же самый диапазон частот, что и проводное радио, которое должно быть защищено соответствующими нормативами EMC. Диапазоны частот, используемые различными службами проводной связи, представлены на

Рис. 13.61.

POTS,ISDN

ADSL

SHDSL

VDSL

 

0.138

1.1

Частота [МГц] 12

Рис. 13.61. Диапазоны частот, выделенные под различные широкополосные услуги в проводных системах связи.

Удовлетворить требованиям EMC при работе в данном диапазоне частот отнюдь нелегко. Нельзя просто взять и дополнить интерфейс фильтром, поскольку в этом случае пострадает и полезный сигнал, передаваемый по линии связи. На Рис. 13.62 показан типичный спектр сигнала на линии ADSL. Синфазное напряжение измерялось приёмником электромагнитных помех

Уровень [дБмкВ]

80

70

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10к

20к

40к

100к

200к

400к

2М 3М

10М

30М

Частота [Гц]

Вольт, на симм. сигн. линиях Вольт, на симм. сигн. линиях

Рис. 13.62. Спектр сигнала на линии ADSL.

(EMI) с помощью стандартного контура связи для телекоммуникационных линий.

Спектр сигнала ADSL простирается от 30 кГц до 1.1. МГц. На рисунке представлено два графика. Первый из них выражает измеренные пиковые значения (Pk), а второй — средние значения (Avg) сигнала. Это соответствует стандарту, который определяет различные предельные значения для каждого типа измерений.

Но вспомним теперь, что протокол DSL является симметричным по отношению к земле, поэтому при измерениях в синфазном режиме сигнал не должен появляться. Причина того, что на графике он всё-таки заметен, заключается в некоторой асимметрии испытательной схемы. В спектре сигнала присутствует также узкополосная помеха, источником которой является преобразователь напряжения на системной плате или импульсы тактовой частоты и их гармоники. Ни в коем случае нельзя допускать, чтобы эти помехи из системной платы проникали в линию ADSL.

Очевидно, что наличие подобной «смеси» полезного сигнала и помехи создаёт определённые трудности при выборе наилучшей стратегии по достижению требуемого уровня EMC. Рано или поздно, но становится ясно, что наилучший путь решения этой проблемы заключается в схемотехническом усовершенствовании самой системы, как на уровне печатной платы, так и на уровне компонентов.

Ниже мы рассмотрим ряд идей, посвящённых организации прохождения сигналов внутри системы.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]