
Шумахер У. Полупроводниковая электроника
.pdf




INFSEMI_2-Text.fm, стр. 496 из 590 (September 6, 2010, 19:31)
496 13. Электромагнитная совместимость
|
|
|
излучаются в окружающее пространство. Те |
||
|
|
|
высокочастотные помехи, которые не уда- |
||
|
|
|
лось подавить схемотехническими метода- |
||
|
|
|
ми на уровне микросхемы (например, за |
||
|
|
|
счёт применения интегрированных в крис- |
||
|
|
|
талл развязывающих конденсаторов), про- |
||
|
|
|
никают |
в окружающие |
микроконтроллер |
|
|
|
системы через контактные площадки шины |
||
|
|
|
питания. К числу внешних систем, подвер- |
||
|
|
|
гающихся воздействию помех, прежде всего |
||
|
|
|
относится печатная плата, на которой раз- |
||
|
|
|
мещён микроконтроллер. Эта ВЧ помеха |
||
|
|
|
может быть частично ослаблена дискретны- |
||
|
|
|
ми развязывающими конденсаторами, ко- |
||
|
|
|
торые следует располагать как можно ближе |
||
|
|
|
к выводам питания микроконтроллера. Об- |
||
|
|
|
ладая неоптимальными характеристиками |
||
Рис. 13.56. Расположение функциональных |
контактной индуктивности (ESL — эквива- |
||||
модулей в корпусе микроконтроллера, ис- |
лентная |
последовательная индуктивность, |
|||
пользующего систему централизованной |
составляющая приблизительно 2 нГн) и |
||||
синхронизации тактовыми импульсами. |
контактного сопротивления (ESR — экви- |
||||
|
|
|
валентное последовательное сопротивле- |
||
ПЗУ, ЭППЗУ, флэш-память), таймеры (на- |
ние, |
составляющее |
приблизительно |
||
пример таймеры захвата/сравнения), пос- |
30 мОм), эти конденсаторы способны эф- |
||||
ледовательные и параллельные интерфейсы |
фективно подавлять помехи на относитель- |
||||
передачи данных (ASC, SSC, SPI, парал- |
но низких частотах, вплоть до 10 МГц. Бо- |
||||
лельный порт), |
специальные |
модемы |
лее высокочастотные помехи не ослабляют- |
||
(CAN, J1850), контроллер прерываний и |
ся. По этой причине необходимо организо- |
||||
интерфейс внешней памяти (EBU — модуль |
вать подавление электромагнитных ВЧ по- |
||||
внешней шины). Для того чтобы обеспе- |
мех в самой микросхеме, минимизируя их |
||||
чить максимальную вычислительную мощ- |
источники и пути распространения. |
||||
ность микроконтроллера, шины передачи |
Система синхронизации тактовыми им- |
||||
данных должны обладать максимально воз- |
пульсами является главным источником уз- |
||||
можной пропускной способностью и рабо- |
кополосных высокочастотных электромаг- |
||||
тать на возможно более высокой тактовой |
нитных помех. На них накладываются вто- |
||||
частоте. Высокая тактовая частота передачи |
ричные тактовые импульсы и апериодичес- |
||||
данных означает, что на обработку данных у |
кие сигналы, которые «ответственны» за |
||||
микроконтроллера имеется немного време- |
появление в спектре помех широкополос- |
||||
ни, поэтому длительность латентной фазы |
ной составляющей (см. Рис. 13.55). Совре- |
||||
цикла передачи данных следует задавать как |
менные сложные и высокопроизводитель- |
||||
можно большей. Соответственно, необхо- |
ные микроконтроллерные системы исполь- |
||||
димо обеспечить |
чрезвычайно |
крутые |
зуют импульсную синхронизацию для уп- |
||
фронты сигналов тактовой частоты, причём |
равления всеми логическими схемами, т.е. |
||||
эти сигналы должны поступать синхронно |
тактовые импульсные сигналы должны од- |
||||
по всей системе. |
|
|
новременно поступать во все точки систе- |
||
Поскольку все транзисторы микроконт- |
мы. В процессе одновременного переклю- |
||||
роллера потребляют в процессе переключе- |
чения сотен тысяч транзисторов в системе |
||||
ния ток, протекающий по внутренней шине |
питания микроконтроллера возникают им- |
||||
питания, она представляет собой основной |
пульсы тока очень большой амплитуды (по- |
||||
путь распространения ВЧ помех (подсчита- |
рядка нескольких ампер). В идеале шина |
||||
но, что до 60% ВЧ помех проникают в окру- |
имеет низкий импеданс, чтобы избежать |
||||
жающие системы по цепи питания микро- |
больших падений напряжения на ней, поэ- |
||||
контроллера). Ещё около 30% помех рас- |
тому основной вклад в генерацию ВЧ помех |
||||
пространяются через порты ввода/вывода, |
вносит ток, протекающий по цепи питания. |
||||
и лишь оставшиеся 10% непосредственно |
В зависимости от того, как организована |




INFSEMI_2-Text.fm, стр. 500 из 590 (September 6, 2010, 19:31)
EMC-параметров микроконтроллеров раз- |
питания до 1.5 В и ниже эта проблема при- |
||||||||
работаны различные стандартные програм- |
обретает актуальность. Оценка помехоус- |
||||||||
мные модели. Но, например, модель IBIS |
тойчивости микроконтроллеров с помощью |
||||||||
описывает лишь характеристики |
портов |
соответствующих методов измерения (на- |
|||||||
ввода/вывода. Так |
называемая |
модель |
пример, измерение ошибок при передаче |
||||||
электромагнитного |
излучения интеграль- |
сигналов) является чересчур дорогостоя- |
|||||||
ной |
схемы |
(Integrated |
Circuits |
щей, поскольку предварительно |
требуется |
||||
Electromagnetic Emission Model — ICEM) |
идентифицировать те элементы схемы, ко- |
||||||||
определяет эквивалентные источники то- |
торые под воздействием помех могут рабо- |
||||||||
ка, подключаемые к выводам питания ИС. |
тать с ошибками, и написать специализиро- |
||||||||
Хотя уровень помех именно на этих выво- |
ванную (заказную) программу для управле- |
||||||||
дах микроконтроллера является определя- |
ния процессом измерений. С тех пор как |
||||||||
ющим и подлежит оценке в первую оче- |
были разработаны методы тестирования пе- |
||||||||
редь, симуляционная модель должна также |
чатных плат, предпринимаются усилия по |
||||||||
содержать данные о типе корпуса и развод- |
стандартизации на международном уровне |
||||||||
ке печатной платы в непосредственной |
методов |
измерения |
помехоустойчивости |
||||||
близости от ИС (например, с учётом так на- |
ИС. Они, главным образом, относятся к из- |
||||||||
зываемой концепции блокировки). На |
лучаемым ВЧ полям и наведённым ВЧ то- |
||||||||
уровне кристалла такая модель должна опи- |
кам. Методы измерения помехоустойчивос- |
||||||||
сывать эквивалентные источники тока, со- |
ти, соответствующие |
нормам |
IEC 62132, |
||||||
ответствующие функциональным модулям |
подробно рассмотрены в подразделе 13.1.3. |
||||||||
микроконтроллера и включать в себя пре- |
В настоящее время продолжается работа |
||||||||
цизионную RLC-модель источника напря- |
по созданию установок для испытаний ус- |
||||||||
жения питания (Рис. 13.60). |
|
тойчивости ИС к воздействию импульсных |
|||||||
|
|
|
|
помех. Большое значение имеет и устойчи- |
|||||
|
|
|
|
вость микроконтроллеров к воздействию |
|||||
|
|
|
|
электростатического разряда (ESD). В этой |
|||||
|
|
|
|
связи стоит отметить, что обычно ни один |
|||||
|
|
|
|
из выводов микроконтроллера (не считая |
|||||
|
|
|
|
выводов питания) не связан непосредствен- |
|||||
|
|
|
|
но с разъёмами, которые предназначены |
|||||
Рис. 13.60. Моделирование сложной ИС |
для внешних соединений, поэтому требова- |
||||||||
ния к защищённости микроконтроллера от |
|||||||||
с помощью эквивалентных источников тока |
|||||||||
внешних электростатических импульсов не |
|||||||||
|
и выделения RLC-контуров. |
|
|||||||
|
|
столь высоки, как для других ИС или систе- |
|||||||
|
|
|
|
||||||
Качество компьютерной модели напря- |
мы в целом. |
|
|
|
|||||
Наибольшее воздействие на |
|
помехоус- |
|||||||
мую зависит от того, сколь корректно с её |
|
||||||||
тойчивость микроконтроллера |
оказывают |
||||||||
помощью можно вычислять динамические |
|||||||||
помехи, |
возникающие в цепи |
питания |
|||||||
токи переключения и какова точность вы- |
|||||||||
вследствие протекания в ней больших им- |
|||||||||
деления паразитных RLC-контуров. Если |
|||||||||
пульсных токов переключения (так называ- |
|||||||||
модель используется лишь для качествен- |
|||||||||
емые SSN-шумы). Эти помехи вызваны как |
|||||||||
ной |
оценки EMC-характеристик, |
напри- |
|||||||
процессами в самом микроконтроллере, так |
|||||||||
мер, при модернизации устройства, то её |
|||||||||
и влиянием внешних устройств, в особен- |
|||||||||
количественной точностью можно в опре- |
|||||||||
ности мощных полупроводниковых компо- |
|||||||||
делённых пределах пожертвовать. |
|
||||||||
|
нентов, и могут значительно ухудшить от- |
||||||||
|
|
|
|
||||||
13.3.4. Помехоустойчивость |
|
ношение сигнал/шум. |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
|
микроконтроллеров |
|
13.4. Обеспечение EMC |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
||||
Вплоть до настоящего времени проблема |
в проводных системах связи |
||||||||
помехоустойчивости микроконтроллеров не |
Термин «проводные системы связи» мо- |
||||||||
привлекала особого |
внимания, поскольку |
||||||||
жет быть отнесён к широкому диапазону ус- |
|||||||||
напряжения питания 3.3…5 В во много раз |
|
|
|
|
|
||||
500 |
13. Электромагнитная совместимость |
|
|
|
|
|
превышают уровень внешних электромаг- |
тройств и технологий. Сюда входят элемен- |
|
ты телекоммуникационных сетей, центры |
||
нитных помех; при понижении напряжения |
||
|
