Раздел1.Компоненты аналоговой электроники.

Рис.1.1. Контактные явления в полупроводниках и свойства p-n-перехода.

Структура p-n-перехода: а) в равновесном состоянии;

б) при прямом напряжении;

в) при обратном напряжении.

Рис. 1.2. УГО основных типов диодов:

а) выпрямительный; б) Шоттки; в) стабилитрон;

г) туннельный; д) обращённый; е) варикап.

Рис. 1.3. Вольт-амперная характеристика выпрямительного диода.

Рис. 1.4. Эквивалентные схемы для прямого (а) и обратного (б) включения выпрямительного диода.

Рис. 1.5. Электрическая схема включения выпрямительного диода.

Рис. 1.6. Графический расчёт режима диода.

Рис. 1.7. Электрическая схема включения

Стабилитрона.

Рис. 1.8. ВАХ полупроводниковых диодов:

а)стабилитрона; б)туннельного диода;

в) обращённого диода.

Рис. 1.9. Полупроводниковый диод Шоттки:

а) структура диода; б) УГО диода;

в) ВАХ диода Шоттки.

Рис.1.10. Биполярные транзисторы:

а) УГО и структура БПТ типа n-р-n и p-n-p;

б) схема распределения токов в БПТ типа n-р-n.

Рис.1.11. Режимы работы БПТ:

а) активный; б) инверсный; в) отсечки; г) насыщения.

Рис.1.12. Эквивалентная схема БПТ

в виде модели Эберса – Молла.

Рис.1.13. БПТ с инжекционным питанием:

а) структура; б) двухтранзисторная модель;

в) подключение напряжений; г) эквивалентная схема;

д) и е) УГО БПТ с инжектором p-типа и n-типа.

Рис.1.14. Схемы включения БПТ:

а) n-p-n типа с ОЭ; б) p-n-p типа с ОЭ;

в) n-p-n типа с ОК; г) n-p-n типа с ОБ.

Рис.1.15. Статические ВАХ БПТ n-p-n типа с ОЭ:

а) схема включения БПТ с ОЭ;

б) входная ВАХ i_б = f(u_бэ), при u_кэ = const;

в) выходная ВАХ i_к = f(u_кэ), при i_б = const.

Рис.1.16. Схемы замещения БПТ:

А) для схемы с об; б) для схемы с оэ; в) в h-параметрах.

Рис.1.17. К расчёту h-параметров БПТ с ОЭ:

а) входное сопротивление h₁₁ =dU_бэ /dI_б , при U_кэ = const;

б) коэф. ОС по напряжению h₁₂= dU_бэ /dU_кэ , при I_б = const;

в) коэф. усиления по току h₂₁ =dI_k / dI_б , при U_кэ = const;

г) выходная проводимость h₂₂ =dI_k /dU_кэ , при I_б = const.

Рис.1.18. Классификация ПТ.

Рис.1.19. Структуры полевых транзисторов:

а) ПТ с управляющим n-каналом;

б) УГО ПТ с управляющим n- каналом и р-каналом;

в) ПТ МДП-типа с встроенным р-каналом;

г) УГО МДП-транзисторов с встроенными n- и р-каналом.

Рис.1.20. Структуры полевых транзисторов:

а) ПТ МДП-типа с индуцированным р-каналом;

б) УГО ПТ МДП-типа с индуцированными n- и р-каналом;

в) МНОП-структура с изолированным затвором;

г) ЛИЗМОП-структура с плавающим затвором.

Рис.1.21. Схемы включения полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом с p-каналом: