Обработка результатов

Отчет формируется в любом текстовом редакторе.

Часть I «Исследование диодных структур» содержит:

- схемы диодных включений транзисторов с указанием их типов;

- графики ВАХ полупроводниковых диодов при различных температурах;

-сравнительные таблицы электрических параметров полупроводниковых диодов при различных температурах (см. таблицы 4 и 5), используя полученные в ходе лабораторной таблицы значений токов и напряжений. Для сравнения выберите 10 – 15 значений во всем измеряемом диапазоне.

Таблица 4. Сравнительная таблица значений тока и напряжения полупроводниковых диодов в прямом включении электрического поля при различных температурах

Прямая ветвь ВАХ
Iпр, мА	Uпр, В
	T1= , °С		T2= , °С
	Кремневый диод (указать тип)	Германиевый диод (указать тип)	Кремневый диод (указать тип)	Германиевый диод (указать тип)

Таблица 5. Сравнительная таблица значений тока и напряжения полупроводниковых диодов в обратном включении электрического поля при различных температурах

Обратная ветвь ВАХ
Uобр, В	Iобр, мкА
	T1= , °С		T2= , °С
	Кремневый диод (указать тип)	Германиевый диод (указать тип)	Кремневый диод (указать тип)	Германиевый диод (указать тип)

- значения напряжений отпирания и пробоя диодов с указанием их на увеличенных ВАХ соответственно прямой и обратной ветвей;

- расчет сопротивления прямой и обратной ветви при различных температурах и фиксированных значениях напряжений, соответственно, прямого и обратного включений, а также график зависимости прямого и обратного сопротивлений от температуры.

В выводах пояснить принцип действия полупроводникового диода, опираясь на его ВАХ, охарактеризовать напряжения отпирания и пробоя. По полученным данным сделать выводы об изменении свойств полупроводниковых материалов в зависимости от температуры и сравнить их с теоретическими данными.

Часть II «Исследование транзисторных структур» содержит:

- схемы измерения входных и выходных характеристик транзистора с указанием его типа;

- серии входных ВАХ транзистора при различных значениях напряжения коллектор-эмиттер и температурах;

- сравнительные таблицы входных ВАХ транзистора при двух различных значениях U_КЭ и температуры (см. таблицы 6), используя полученные в ходе лабораторной таблицы значений токов и напряжений. Для сравнения выберите 10 – 15 значений во всем измеряемом диапазоне.

Таблица 6. Сравнительная таблица входных ВАХ транзистора (указать тип) при различных температурах

Входные ВАХ
Iб, А	UБЭ, В
	Т= , °С		Т= , °С
	UКЭ= , В	UКЭ= , В	UКЭ= , В	UКЭ= , В

- серии выходных ВАХ транзистора при различных значениях тока базы и температурах;

• сравнительные таблицы выходных ВАХ транзистора при двух различных значениях I_б и температуры (см. таблицы 7), используя полученные в ходе лабораторной таблицы значений токов и напряжений. Для сравнения выберите 10 – 15 значений во всем измеряемом диапазоне.

Таблица 7. Сравнительная таблица выходных ВАХ транзистора (указать тип) при различных температурах

Выходные ВАХ
UКЭ, В	Iк, А
	Т= , °С		Т= , °С
	Iб = , А	Iб = , А	Iб = , А	Iб = , А

В выводах пояснить принцип действия полупроводникового транзистора опираясь на его входные и выходные ВАХ, а также выявить как изменяются электрические свойства транзистора при его нагреве.