- •Министерство образования Российской Федерации
- •Введение
- •Используемые единицы измерений и основные константы
- •. Строение атома
- •. Предпосылки возникновения волновой механики
- •1.1.1.Корпускулярно-волновая природа электромагнитного излучения
- •1.1.2. Теория строения атома Бора
- •1.1.3. Корпускулярно-волновой дуализм свойств материи
- •1.1.4. Принцип неопределенности
- •. Волновая (квантовая) механика
- •1.2.1.Волновое уравнение. Уравнение Шредингера
- •1.2.2.Решение уравнения Шредингера для простейших случаев
- •2. Распределение вероятности нахождения электрона в объеме потенциального ящика (плотность вероятности) определяется его энергетическим состоянием – энергией, которой обладает электрон.
- •1. Энергия электрона в трехмерном потенциальном ящике квантована.
- •2. Каждое энергетическое состояние электрона определяется набором из трех квантовых чисел.
- •. Квантово-механическая модель атома
- •1.3.1. Основное состояние атома водорода
- •1.3.2. Радиальное распределение электронной плотности. Электронная орбиталь
- •1.3.3.Возбужденные состояния атома водорода
- •1.3.4. Многоэлектронные атомы
- •1.3.5. Электронные конфигурации многоэлектронных атомов
- •1.3.6.Связь периодического закона со строением атома
- •1.3.7.Физико-химические характеристики атома
- •. Химическая связь
- •. Основные характеристики химической связи. Классификация моделей описания химической связи
- •2.1.1.Основные параметры химической связи
- •2.1.2.Типы химической связи
- •2.2. Ковалентная химическая связь
- •2.2.1. Метод валентных связей (вс)
- •Пример. Энергия и длина связи в молекуле водорода, определенные экспериментально и рассчитанные с учетом различных факторов:
- •2.2.2.Кратные связи.- и-связи
- •Пример. Характеристики химических связей различной кратности:
- •2.2.3. Геометрия простейших молекул. Гибридизация ао
- •Примеры различных случаев гибридизации.
- •2.2.4. Донорно-акцепторный механизм образования ковалентной связи
- •2.2.5.Метод молекулярных орбиталей (мо)
- •Пример 1. Распределение валентных электронов по мо молекул и молекулярных ионов элементов первого периода.
- •2.3. Полярность связи. Дипольный момент молекулы
- •Пример.
- •. Химическая связь в твердых веществах и жидкостях
- •. Агрегатные состояния
- •Температуры (с), энтальпия (н0, кДж/моль) и энтропии (s0, Дж/мольк) фазовых переходов некоторых веществ при атмосферном давлении
- •.Межмолекулярное взаимодействие
- •3.2.1.Межмолекулярные взаимодействия (силы Ван-дер-Ваальса)
- •Относительный вклад каждой составляющей в энергию межмолекулярного взаимодействия для различных молекул
- •3.2.2.Водородная связь
- •Примеры.
- •.Химическая связь в твердом теле
- •3.3.1.Основные понятия о строении кристаллов
- •3.3.2.Молекулярные кристаллы
- •3.3.3.Ковалентные (атомные) кристаллы
- •3.3.4.Ионные кристаллы. Ионный тип химической связи
- •Энергия кристаллической решетки, рассчитанная по уравнению Борна, из термодинамики и измеренная экспериментально
- •3.3.5.Металлические кристаллы. Металлическая химическая связь
- •3.3.6.Зонная модель кристаллического тела
- •3.3.7.Металлы, полупроводники и диэлектрики
- •3.3.8.Кристаллические материалы
- •Собственные дефекты:
- •3.3.9.Аморфныетвердые тела
- •.Химическая связь в жидкостях
- •3.4.1.Жидкое состояние вещества
- •3.4.2.Жидкие кристаллы
- •Библиографический список
- •Основы общей химии
- •Часть 1. Строение вещества
- •190005, С-Петербург, 1-я Красноармейская ул., д.1
Пример. Энергия и длина связи в молекуле водорода, определенные экспериментально и рассчитанные с учетом различных факторов:
|
|
Энергия связи, эВ |
Длина связи, Ǻ |
|
Эксперимент....................................... |
4,747 |
0,741 |
|
Функции 1s1s................................. |
0,25 |
0,9 |
|
Функции S A................................. |
3,14 |
0,869 |
|
С учетом сжимаемости атомов......... |
3,76 |
0,743 |
|
С учетом поляризации атомов.......... |
4,02 |
0,749 |
|
С учетом ионности связи.................. |
4,10 |
0,740 |
|
13 членов -функции........................ |
4,72 |
0,740 |
|
50 членов -функции........................ |
4,7467 |
0,74127 |
На основе представлений, выработанных при расчете молекулы водорода, сформулированы основные принципы (постулаты) метода валентных связей, позволяющие описывать образование ковалентной химической связи в более сложных молекулах:
Единичная химическая связь образуется общей парой электронов с противоположными (антипараллельными) спинами.
Общая электронная пара локализована (сосредоточена) между атомами в направлении максимального перекрывания атомных орбиталей.
Энергия связи определяется только силами электростатического взаимодействия электронов и ядер и зависит от величины перекрывания орбиталей.
Таким образом, число связей (валентность), которые может образовывать атом, определяется числом неспаренных электронов на внешнем энергетическом уровне атома в основном или возбужденном состоянии. Ковалентная связь обладает свойством насыщенности (атом может образовывать ограниченное число единичных ковалентных связей). Ковалентная химическая связь обладает свойством направленности (расположение в пространстве общей электронной пары определяется пространственной ориентацией атомных валентных орбиталей). Атомы взаимно располагаются таким образом, чтобы перекрывание валентных орбиталей было максимальным. Из двух связей та прочнее, где перекрывание валентных орбиталей больше.
2.2.2.Кратные связи.- и-связи
Единичная химическая связь представляет собой общую электронную пару, локализованную в области перекрывания валентных атомных орбиталей, что приводит к образованию области повышенной электронной плотности, расположенной между ядрами атомов.
Если область повышенной электронной плотности располагается симметрично линии, проходящей через ядра взаимодействующих атомов (линии связи), то такой тип связи называется -связью. Она принципиально может образовываться в результате перекрывания любого типа атомных орбиталей (рис. 2.5).

H2 (H 1s1)
Cl2 (Cl 3s23p5)
HF (H1s1; F 2s22p5)
Рис. 2.14. Схема образования-связи
Примечание. Волновые функции, описывающие атомные орбитали, могут иметь области положительных и отрицательных значений – знак функции. Функция, описывающая s-орбиталь, во всей области пространства положительна (рис. 2.6, а). Функции, описывающие p- и d- орбитали, имеют узловые точки (точки в которых функция обращается в ноль). При переходе через узловую точку волновая функция меняет свой знак на противоположный, то есть имеются области орбиталей с отрицательным и положительным знаком волновых функций (рис. 2.6, б, в).
Область повышенной электронной плотности (образование связи) возникает в том случае, если перекрываются электронные орбитали, функции которых имеют одинаковый знак. Поэтому, например, перекрывание s и py или pz (направление оси x совпадает с линией связи) не приводит к образованию химической связи (рис. 2.6, г). Связь образуется при перекрывании s- и положительной части px-орбиталей (рис. 2.6, д).





г)+ py s
+x
Рис. 2.15. Области орбиталей с отрицательным и положительным знаком
волновых функций
Поскольку -связь обладает цилиндрической симметрией, то поворот атомов относительно друг друга вокруг линии связи не приводит к изменению распределения электронной плотности. Поэтому оба атома могут свободно вращаться вокруг оси, совпадающей с линией связи, не разрывая и не деформируя -связь.
Электроны, имеющие сложную симметрию орбиталей (p- и d-орбитали), могут образовывать связь в результате перекрывания орбиталей в двух областях над и под линией связи. Такой тип связи называется -связью (рис. 2.7).
Энергия -связи меньше, чем энергия -связи, так как перекрывание орбиталей по -типу меньше, чем по -типу. -связь не обладает цилиндрической симметрией относительно линии связи, поэтому вращение атомов вокруг линии связи исключено, что объясняет существование цис- и транс-изомеров.

Рис. 2.16. Схема образования -связи
При образовании химической связи между двумя атомами в первую очередь образуется -связь. Во многих случаях она будет единственной, но если атомы имеют дополнительно неспаренные р-электроны, то кроме -связи может образоваться одна или две -связи, которые будут располагаться во взаимно перпендикулярных плоскостях. В этом случае говорят о кратности связи – двойная связь (- и одна -связь) или тройная связь (- и две -связи), которые образованны соответственно двумя или тремя электронными парами (рис. 2.8).

Рис. 2.17. Схема образования кратных связей:py-py– одна-связь,px-px,pz-pz– две-связи
С увеличением кратности связи увеличивается энергия связи и уменьшается ее длина.
