Задание на лабораторную работу №3

№ варианта	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10
Стабилитрон	1N4728A	1N4741A	1N5221B	1N5222B	1N5266B	1N5943B	1N747A	1N749A	1N748A	1N992B

№ варианта	11	12	13	14	15	16	17	18	19	20
Стабилитрон	1N4729A	1N4681	BZV55-C2V3	BZV55-C2V4	BZV55-C4V3	BZV55C2V7	BZX55-C3V0	1N4371	1N4370A	1N4372A

Контрольные вопросы

1. Основной принцип действия стабилитронов и их применение.

2. Положение рабочего участка стабилитрона.

3. Виды стабилитронов и их применение.

4. Основные параметры стабилитронов.

5. Особенности однокаскадного стабилизатора напряжения.

6. Смысл термокомпенсации.

Лабораторная работа № 5.

Исследование биполярных транзисторов

Схемы включения биполярных транзисторов

Различают три схемы включения биполярных транзисторов (рис. 52):

• с общей базой (ОБ)

• с общим эмиттером (ОЭ)

• с общим коллектором (ОК).

ОБ ОЭ ОК

Рис. 52. Основные схемы включения транзисторов

Характеристики биполярных транзисторов

На практике чаще всего используются два семейства ВАХ транзисторов - входные и выходные.

Входные характеристики определяют зависимость входного тока (базы или эмиттера, в зависимости от способа включения транзистора) от входного напря­жения при фиксированных значениях выходного напряжения.

Выходные характеристики определяют зависимость выходного тока от выходного напряжения при фиксированных значениях входного тока (базы или эмит­тера, в зависимости от способа включения транзистора).

Входные и выходные характеристики транзисторов используются для расчета цепей смещения и стабилизации режима, расчета конечных состояний ключевых схем (режима отсечки, насыщения).

Входные характеристики

Входные характеристики имеют вид, аналогичный характеристикам диодов: ток экспоненциально возрастает с увеличением входного напряжения. При по­вышении и понижении температуры входные характеристики смещаются в сторону меньших и больших входных напряжений соответственно.

Выходные характеристики

Особенностью выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ, является слабая зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-база . При больших напряженияхпроисходит пробой коллекторного перехода. При увеличении температуры выходные характеристики смещаются в сторону боль­ших токов из-за увеличения обратного тока.

У транзистора, включенного по схеме с ОЭ, ток коллектора более сильно зави­сит от напряжения коллектор-эмиттер. Резкое возрастание тока коллектора начина­ется при меньшем коллекторном напряжении, чем для включения транзистора по схеме с ОБ. При повышении температуры выходные характеристики значительно смещаются в сторону больших токов, их наклон сильно увеличивается.

Исследование вах биполярных транзисторов

Схема для исследования ВАХ транзистора p-n-p типа в схеме с ОБ показана на рис. 53.

Семейство входных ВАХ снимается при фиксированных значенияхпутем измене­ния токаи измерения.

Семейство выходных ВАХ снимается при фик­сированных значениях, путем изменения напряженияи измерения.

Рис. 53. Схема для исследования ВАХ биполярного транзистора (схема с ОБ)