- •БЛОКИ ПАМЯТИ МПС
- •Назначение микросхем памяти
- •общие характеристики БИС памяти
- ••Информационную емкость определяют числом единиц информации в битах или байтах (один байт равен
- •функциональное назначение
- •Микросхема ОЗУ
- ••Основной составной частью микросхемы ОЗУ является массив элементов памяти, объединенных в матрицу накопителя.
- ••Разрядность кода адреса m, равная числу двоичных единиц в нем, определяет информационную емкость
- ••Для ввода и вывода информации служит вход и выход микро схемы. Для управления
- ••Микросхемы ОЗУ по типу ЭП разделяют на статические и динамические.
- •динамические ОЗУ
- •Микросхемы ПЗУ
- ••Совокупность ЭП в матрице накопителя, в которой размещается слово, называют ячейкой памяти (ЯП).
- ••Занесение информации в микросхемы ПЗУ, т. е. их программирование, осуществляют в основном двумя
- ••. Другой способ программирования микросхемы ПЗУ основан на пережигании легкоплавких перемычек в тех
- ••Существует разновидность микросхем ПЗУ, допускающая неоднократное (сотни и тысячи циклов) перепрограммирование (репрограммирование). Элементом
- ••. Для стирания информации перед новым циклом программирования необходимо вытеснить накопленный под затвором
- •. Классификация микросхем памяти
- ••вид микросхемы:
- ••: КР565РУ6Б — микросхема общетехнического применения в пластмассовом корпусе, полупроводниковая, серия 565, ОЗУ,
- •. Микросхема памяти как функциональный узел.
- •Условные графические изображения микросхем ОЗУ
- •Условные графические
- •Условное графическое Изображение микросхемы РПЗУ
- •временныt параметры микросхем памяти
•: КР565РУ6Б — микросхема общетехнического применения в пластмассовом корпусе, полупроводниковая, серия 565, ОЗУ, разработка 6, типономинал Б.
•КМ1609РР11 —микросхема общетехнического приме нения в металлокерамическом корпусе, полупроводниковая, серия 1609, репрограммируемое ПЗУ со стиранием электрическим сигналом, разработка 11.
•К573РФ6А — полупроводниковая микросхема обшетехнического применения, серии 573, РПЗУ со стиранием ультрафиолетовым светом, разработка 6, типономинал А.
. Микросхема памяти как функциональный узел.
Условные графические изображения микросхем ОЗУ
Условные графические
изображения микросхем ПЗУМ(а), ППЗУ(б)
Условное графическое Изображение микросхемы РПЗУ
временныt параметры микросхем памяти
•а) параметры, характеризующие длительности сигналов и интервалов между сигналами, например сигнала А:
•б) параметры, характеризующие взаимный сдвиг сигналов, например сигналов А и В:
•tус в А— время установления сигнала В относительно А;
•tу В.А.— время удержания сигнала В относительно А;
•tсх А.В — время сохранения сигнала А относительно В;
•в) время цикла tц— интервал времени между началами (окончаниями) сигналов на одном из управляющих входов, например А, в течение которого микросхема выполняет одну функцию, например запись tц. з n или считывание tц. сч ;
• г) время выборки tв— интервал времени между подачей на вход микросхемы заданного сигнала, например А, и получением на выходе
данных D:tвА |
нередко в справочниках приводят несколько зна |
|
чений этого |
параметра, которые |
характеризуют задержку |
выходных сигналов относительно |
разных сигналов управления. |
|
