Усилители мощности
Странно выпускаемые интегральные ОУ имеют максимальный выходной ток Iвых.max не более 2-5 мА. Этот фактор ограничивает применение их в устройствах работающих на низкоомную нагрузку. Для увеличения нагрузочной способности схем усилетелей на ОУ используются выходные буферные усилители тока.
Для того, чтобы разведать источник сигнала, которым в данном случае является выход ОУ, и нагрузку, буферный (усилитель тока должен обладать высоким входным сопротивлением, достаточным усилением по току, чтобы обеспечить необходимую силу тока нагрузки и широкой полосой пропускания. Этим требованиям наиболее полно отвечают эмиттерные повторители.
Простейший способ увеличения нагрузочной способности ОУ – использование в качестве буферного усилителя простого эмиттерного повторителя (ЭП).

Т.к. сигнал ОС снимается с эммитера, следовательно ОС определяет низкое значение выходного напряжения независимо от падения напряжения U?.
Недостаток схемы – использование в основном только для передачи однополярных сигналов, т.к. для обеспечения выходного сигнала обеих полярностей необходим повышенный полярный ток I0 эмиттерного повторителя. В этом случае для уверенной передачи двухполярного выходного сигнала начальный ток I0 должен быть больше амплитуды тока нагрузки Iн, что значительно снижает КПД ЭП и увеличивает мощность рассеиваемую на коллекторе транзистора.
Пример схемы для двухмерного сигнала.

Начальный ток ЭП
задается резистором R7.
Если необходимо получить двухполярный
сигнал с амплитудой Iн
= 50 мА, то
начальный ток I0
должен быть не менее 55 мА, т.е.
,
чтоприводит к большой мощности рассеяния
в режиме покоя (Uвх=0)
как на транзисторе так и на резисторе
R7.
Максимальной выходной ток нагрузки Iн ограничивается максимально допустимым током коллектора Iк.max, коэффициентом усиления тока транзистора h21Э, допустимой мощностью, рассеиваемой на коллекторе транзистора и максимально допустимым током ОУ Iвых.max.
![]()
Исходя из этого
выбирается необходимый тип транзистора.
Также необходимо учитывать, что допустимые
напряжения Uкб
должно быть не меньше напряжения питания
ОУ (для одномерных сигналов) и не менее
его удвоенного значения (для двумерных).
-
для одномерных сигналов,
-
для двумерных.
Резистор R6 предназначен для снижения мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора. Его сопротивления выбирается из условия, чтобы при максимальном нагрузке напряжения между коллектором и базой транзистора превышало напряжение насыщения транзистора, но в в то же время было минимальным.
Для передачи двухполярных сигналов наилучшим образом подходят двухтактные эмиттерные повторители (импульсная пара), включенные на выход ОУ.


Применение двухполярного ЭП работающего в режиме В, т.е. без начального тока через транзисторы VT1 и VT2 приводит к увеличению нелинейных искажений, особенно на высоких частотах. Это связано с тем, что в диапазоне выходных напряжений ОУ от –0,7 до +0,7 В оба транзистора закрыты и внутри этой зоны выходной сигнал равен нулю. При замыкании петли ООС эта мертвая зона уменьшается в К раз (К – собственный коэффициент усиления ОУ). Т.к. К уменьшается с увеличением частоты входного сигнала, то эта зона будет увеличиваться. Также сказывается и конечная скорость нарастания выходного напряжения ОУ. Поэтому такая схема используется на низких частотах до 5 кГц в тех случаях, когда не предъявляются строгие требования к нелинейнымискажениям.

Указанную проблему можно решить с помощью двухтактного ЭП работающего в режиме АВ с начальным током I0. I0 задается при помощи цепочки R6, VD1, VD2, R7, определяющей смещение на базах транзисторов VT1 и VT2. Конденсаторы С5 и С6 формирующие, способствуют передаче крутых фронтов выходного сигнала ОУ.
Эмиттерные резисторы R8 и R9 обеспечивают температурную стабильность ЭП. Наличие усилителя мощности в цепи ООС увеличивает скорость нарастания выходного напряжения ОУ, т.к. ток ООС формируется не собственно выходным каскадом ОУ, а усилителем мощности.
Резисторы R6 и R7 выбираются так, чтобы обеспечивался необходимый базовый ток в выходных транзисторах при пиковых значениях выходного сигнала.
Пример:
Пусть Uип
=
15В,
а нагрузка имеет сопротивлениеRн=
8 Ом и мощность Рн
=2 Вт.
Тогда
А.
Для синусоидального сигнала
.
Следовательно
максимальное базовое напряжение составит
В.
Пусть транзисторы
имеют
,
тогда необходимый ток базы
![]()
Следовательно для получения базового тока Iб = 10 мА потребуется базовые резисторы с сопротивлением
Ом
Рассмотрим еще одну схему усилителя мощности, отличающуюся более высокой термостабилизацией.
В данной схеме эмиттерный повторитель выполнен на транзисторах VT3 и VT4 разных типов проводимости, эммитеры которых подключены к нагрузке, коллекторы – к соответствующим шинам питания. Транзисторы VT1 и VT2 выполняют роль источников тока. Напряжение на базах этих транзисторов задается при помощи диодов VD3 и VD4, питаемых стабильным током транзисторов VD1 и VD2, что также повышает термостабильность каскада.
Также для построения усилителей мощности исполььььзуются свойство ОУ изменять ток потребления в зависимости от тока нагрузки. Выходной каскад современных ОУ работает в режиме АВ или В и поэтому выходной ток ОУ в значительной степени определяет ток, потребляемый от соответствующего источника питания ( от положительного источника питания при вытекающем выходном токе и от отрицательного – при втекающем). Это дает возможность в качестве входного сигнала транзисторного каскада использовать напряжение пропорциональное току потребления ОУ.

Это свойство и
использовано в данном усилителе. Выходной
каскад построен нп транзисторах VT3
и VT4
и питается от напряжений
30
В, что обеспечивает увеличение выходной
мощности. ТранзисторыVT1
и VT2
обеспечивают для ОУ стандартные
напряжения питания
15
В. Резисторы включены в коллекторные
цепи этих транзисторов, используются
для получения напряжений, зависящих от
токов потребления ОУ. Резистор
сопротивлением 47 Ом, обеспечивает нужную
зависимость этих токов от входного
сигнала ОУ. Конденсатор, соединяющий
выход ОУ с выходом транзисторного
каскада (4700 пФ), предназначен для коррекции
частотной характеристики усилителя.
ТранзисторыVT5
и VT6
предохраняют каскад от выхода из строя
при коротком замыкании в нагрузке.
Увеличение выходного тока каскада
приводит к увеличению падения напряжения
на резисторах сопротивлением 1 Ом,
присоединенных к эммитерам транзисторов
VT3
и VT4.
Вследствие этого транзисторы
база-эмиттерные переходы VT3
и VT4,
что препятствует дальнейшему увеличению
коллекторных токов транзисторов VT3
и VT4.
Если схема должна работать с большими токами чем может обеспечить транзистор эмиттерного повторителя, то соединяют транзисторы по схеме Дарлингтона (составной транзистор).

![]()

Также используется схема соединения транзисторов для той же цепи по схеме ….

Эта схема применяется тогда, когда в выходных каскадах используются транзисторы одной полярности.
