11. Полевые транзисторы. Изменение сечения канала проводимости от напряжения между стоком и истоком. Вах:

Изменение сечения канала проводимости от напряжения между стоком и истоком:

Проводимость канала определяется его сечением. При увеличении обратного напряжения U, обедненные слои р-п-переходов расширяются, уменьшая сечение канала, проводящего ток между истоком и стоком. В результате уменьшается ток стока / с. При определенном напряжении, называемом напряжением отсечки, сечение канала уменьшается практически до нуля и возрастание тока прекращается. При этом сток и исток оказываются изолированными друг от друга. 

Проводимость канала меняется при изменении напряжения затвора, так как его электрическое поле уменьшает или увеличивает количество электронов в n - области полупроводника, подтягивая их из тела пластины.

Проводимость канала изменяется с помощью цепи управления либо за счет изменения концентрации носителей заряда канала, либо за счет изменения его геометрических размеров.

ВАХ: см. вопрос 10.

12. Полевые транзисторы. Характерные параметры определяемые по вах:

ВАХ описывает поведение двухполюсника на постоянном токе. А также функция выражающая (описывающая) эту зависимость. А также - график этой функции. Чаще всего рассматривают ВАХ нелинейных элементов (степень нелинейности определяется коэффициентом нелинейности ), поскольку для линейных элементов ВАХ представляет собой прямую линию (описывающуюся законом Ома) и не представляет особого интереса.

Характерные примеры элементов, обладающих существенно нелинейной ВАХ: диод, тиристор, стабилитрон.

Для трёхполюсных элементов (таких, как транзистор, тиристор или ламповый триод) часто строят семейства кривых, являющимися ВАХ для двухполюсника при так или иначе заданных параметрах на третьем выводе элемента.

Необходимо отметить, что в реальной схеме, особенно работающей с относительно высокими частотами (близкими к границам рабочего частотного диапазона) для данного устройства реальная зависимость напряжения от времени может пробегать по траекториям, весьма далёким от «идеальной» ВАХ. Чаще всего это связано с ёмкостью или другими инерционными свойствами элемента.

13. Полевые транзисторы. Режимы объединения и обогащения канала:

Режим объединения:

Режим работы, при котором увеличение абсолютного значения напряжения на затворе приводит к уменьшению тока стока, называется режимом обеднения.

На управляющий р-п переход можно подавать только обратное напряжение, и поэтому полевые транзисторы с управляющим р-п переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда.

В отличие от этого ток стока полевых транзисторов с р-п - переходом или полевых транзисторов с изолированным затвором, работающих в режиме обеднения, существует при нулевом смещении на затворе. Поскольку выходная характеристика этих транзисторов имеет участок насыщения тока стока, появляется возможность использовать эти приборы для стабилизации тока. При этом не требуется дополнительных стабилизированных источников питания, так как затвор полевого транзистора соединяется с истоком и, таким образом, стабилизация тока осуществляется одним полупроводниковым элементом.

Режим обогащения:

Полевые транзисторы с управляющим р-л-переходом работают только в режиме обеднения; полевые транзисторы МДП-типа с индуцированным каналом-только в режиме обогащения; полевые транзисторы МДП-типа со встроенным каналом-как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения. При наличии соответствующего начального смещения на затворе полевые транзисторы могут работать во всех режимах.

В полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом попытка приложить прямое смещение на этот переход вызывает его открытие и протекание существенного тока в цепи затвора. Реальные процессы в транзисторе в этом случае сильно зависят от его конструкции, практически никогда не документируются и трудно предсказуемы. Поэтому говорить о режиме обогащения для полевых транзисторов с управляющим переходом не принято да и просто бессмысленно.