- •1.Полупроводниковые диоды, принцип действия, характеристики:
- •2.Полупроводниковые диоды, прямое и обратное включение, вах:
- •3. Полупроводниковые диоды, классификация по конструктивным особенностям и области применения:
- •4. Биполярные транзисторы, принцип действия:
- •5. Биполярные транзисторы, распределение токов в кристалле:
- •6. Биполярные транзисторы, коэффициент инжекции, переноса, передачи тока:
- •7. Биполярные транзисторы, вах транзистора включенного по схеме с общей базой:
- •8. Биполярные транзисторы, вах транзистора включенного по схеме с общим эмиттером:
- •9. Особенности применения полевых и биполярных транзисторов. Схема Дарлингтона:
- •10. Полевые транзисторы. Изменение сечения канала проводимости от напряжения между затвором и истоком. Вах:
- •11. Полевые транзисторы. Изменение сечения канала проводимости от напряжения между стоком и истоком. Вах:
- •12. Полевые транзисторы. Характерные параметры определяемые по вах:
- •13. Полевые транзисторы. Режимы объединения и обогащения канала:
- •14. Полевые транзисторы с p-n переходом, принцип действия, стокозатворные характеристики:
- •15. Полевые транзисторы с p-n переходом, принцип действия, стоковые характеристики:
- •16. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом, принцип действия, стокозатвроные характеристики:
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом, принцип действия, стоковые характеристики:
- •18. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом, принцип действия, стокозатвроные характеристики:
- •19. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом, принцип действия, стоковые характеристики:
- •20. Полевые транзисторы. Особенности управления:
- •21. Силовые полупроводниковые приборы. Способ снижения потерь при коммутации:
- •22. Динистор. Вах. Схема включения:
- •23. Динистор. Вах. Схема выключения:
- •24. Динистор. Вах. Схема замещения:
- •25. Тиристор. Вах. Области применения:
- •26. Тиристор. Общие черты и отличия вах тиристора и динистора:
- •27. Тиристор. Эффект dU/dt: Эффект dU/dt:
3. Полупроводниковые диоды, классификация по конструктивным особенностям и области применения:
Классификация полупроводниковых диодов:
По исходному полупроводниковому материалу диоды делятся на две основные группы: германиевые и кремниевые. Первые работают при температурах не выше +70°С, а вторые – до +125-150°С.
По конструктивно-технологическому признаку также различают две разновидности диодов: точечные и плоскостные. У точечных диодов выпрямляющий контакт образуется в точке касания полупроводниковой пластинки острием металлической иглы, причем пропускное направление соответствует прохождению тока от иглы к пластинке. У плоскостных диодов выпрямляющими свойствами обладает поверхность раздела двух областей полупроводника с разными типами проводимости (дырочной p и электронной n) внутри монокристаллического объема полупроводника (p-n переход). Наиболее распространенными плоскостными диодами являются так называемые сплавные, у которых p-n переход образуется в результате рекристаллизации сплава исходного полупроводника с помещенной на его поверхности таблеткой примесного вещества.
Сплавные диоды позволяют пропускать значительно большие токи и отличаются лучшим постоянством характеристик, но обладают повышенными емкостями, что ограничивает их применение на высоких частотах. Промежуточными свойствами обладают микросплавные диоды. Они изготавливаются путем электролитического осаждения тонкой пленки примесного вещества на поверхность монокристаллической пластинки исходного полупроводника и последующего вплавления этой примеси.
Области применения:
По областям применения различают диоды универсального назначения, силовые выпрямительные диоды, стабилизаторы напряжения («опорные» диоды) и ряд разновидностей диодов специализированного назначения (смесительные и модуляторные диоды, диоды для умножения частоты, для параметрических усилителей и др.). Выпускаются также высоковольтные выпрямительные столбы, состоящие из нескольких однотипных диодов, включенных последовательно.
Диоды широко используются для преобразования переменного тока в постоянный (точнее, в однонаправленный пульсирующий). Диодный выпрямитель или диодный мост (То есть 4 диода для однофазной схемы, 6 для трёхфазной полумостовой схемы или 12 для трёхфазной полномостовой схемы, соединённых между собой по схеме) — основной компонент блоков питания практически всех электронных устройств. Диодный трёхфазный выпрямитель по схеме Ларионова А. Н. на трёх параллельных полумостах применяется в автомобильных генераторах, он преобразует переменный трёхфазный ток генератора в постоянный ток бортовой сети автомобиля. Применение генератора переменного тока в сочетании с диодным выпрямителем вместо генератора постоянного тока с щёточно-коллекторным узлом позволило значительно уменьшить размеры автомобильного генератора и повысить его надёжность. В некоторых выпрямительных устройствах до сих пор применяются селеновые выпрямители. Это вызвано той особенностью данных выпрямителей, что при превышении предельно допустимого тока, происходит выгорание селена (участками) , не приводящее (до определенной степени) ни к потере выпрямительных свойств, ни к короткому замыканию — пробою. В высоковольтных выпрямителях применяются селеновые высоковольтные столбы из множества последовательно соединённых селеновых выпрямителей и кремниевые высоковольтные столбы из множества последовательно соединённых кремниевых диодов.