Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:EiMST.doc
X
- •1.Полупроводниковые диоды, принцип действия, характеристики:
- •2.Полупроводниковые диоды, прямое и обратное включение, вах:
- •3. Полупроводниковые диоды, классификация по конструктивным особенностям и области применения:
- •4. Биполярные транзисторы, принцип действия:
- •5. Биполярные транзисторы, распределение токов в кристалле:
- •6. Биполярные транзисторы, коэффициент инжекции, переноса, передачи тока:
- •7. Биполярные транзисторы, вах транзистора включенного по схеме с общей базой:
- •8. Биполярные транзисторы, вах транзистора включенного по схеме с общим эмиттером:
- •9. Особенности применения полевых и биполярных транзисторов. Схема Дарлингтона:
- •10. Полевые транзисторы. Изменение сечения канала проводимости от напряжения между затвором и истоком. Вах:
- •11. Полевые транзисторы. Изменение сечения канала проводимости от напряжения между стоком и истоком. Вах:
- •12. Полевые транзисторы. Характерные параметры определяемые по вах:
- •13. Полевые транзисторы. Режимы объединения и обогащения канала:
- •14. Полевые транзисторы с p-n переходом, принцип действия, стокозатворные характеристики:
- •15. Полевые транзисторы с p-n переходом, принцип действия, стоковые характеристики:
- •16. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом, принцип действия, стокозатвроные характеристики:
- •17. Полевые транзисторы с изолированным затвором и встроенным каналом, принцип действия, стоковые характеристики:
- •18. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом, принцип действия, стокозатвроные характеристики:
- •19. Полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом, принцип действия, стоковые характеристики:
- •20. Полевые транзисторы. Особенности управления:
- •21. Силовые полупроводниковые приборы. Способ снижения потерь при коммутации:
- •22. Динистор. Вах. Схема включения:
- •23. Динистор. Вах. Схема выключения:
- •24. Динистор. Вах. Схема замещения:
- •25. Тиристор. Вах. Области применения:
- •26. Тиристор. Общие черты и отличия вах тиристора и динистора:
- •27. Тиристор. Эффект dU/dt: Эффект dU/dt:
27. Тиристор. Эффект dU/dt: Эффект dU/dt:
При подаче напряжения прямой полярности на анод и катод тиристора со скоростью более некоторой критической dU/dt> dUкрит/dt произойдёт открытие p-n-p-n структуры. Механизм данного эффекта обусловлен наличием паразитной ёмкости анод-управляющий электрод. Данный эффект ограничивает использование тиристоров в высокочастотных схемах, хотя иногда применяется для управления тиристором. Параметр dUкрит/dt указывается в справочниках на каждую модель тиристора.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]