
- •«Мати – Российский государственный технологический университет имени к.Э. Циолковского»
- •Расчет и конструирование прямоугольных резисторов и резисторов типа меандр тонкопленочных гис и микросборок
- •Введение
- •1.Краткие теоретические сведения по конструированию резисторов гис
- •Проводниковые материалы
- •2. Цель лабораторной работы
- •3. Описание лабораторной работы и порядок ее выполнения
- •3.1. Расчет прямоугольного резистора
- •Характеристики материалов для пленочных резисторов
- •3.2. Расчет резистора типа "меандр"
- •4.Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы к лабораторной работе
- •6. Литература
- •Содержание
3.2. Расчет резистора типа "меандр"
Рис. 2 Конструкция резистора типа "меандр"
Расчет резистора типа "меандр" проводят после определения ширины "b" резистора в следующей последовательности [1, с. 125].
1) Определение средней длины меандра
lср = Кф*b (12)
2) Определяют шаг одного звена меандра
t = a+b , (13)
где а - расстояние между резистивными полосками меандра.
Обычно а = b.
3) Определяют оптимальное число звеньев меандра nопт
(при L=B, a=b)
(14)
4) Определяют длину меандра
L = nопт * (a+b) (15)
5) Вычисляют ширину меандра
В =( lср -а* nоpт) / nоpт (16)
6) Определяем длину прямолинейного участка
lпр = (R -m* Rизг)b / ρs* n , (17)
где Rизг - сопротивление "Г" - или "П" - образного участка резистивной
пленки длиной 2b (от внешнего угла):
Rизг"Г" = 2,55 ρs;
Rизг"П" = 4 ρs при a=b;
7) Корректировка ширины резистора
Вк = l пр+4b (18)
а)
«Г»-образный изгиб
б)
«П»-образный изгиб
Рис.3 К расчету резистора типа “меандр”
4.Содержание отчета
выбрать оптимальные резистивные материалы для тонкопленочной ГИС;
произвести расчеты и выбрать конструкцию резисторов;
выполнить эскиз резистора в заданном масштабе.
5. Контрольные вопросы к лабораторной работе
1) Каков физический смысл удельного поверхностного сопротивления слоя?
2) Как определить коэффициент формы резистора?
3) Как коэффициент формы резистора влияет на форму резистора?
4) Можно ли рассчитывать форму резистора тина "меандр" по «средней линии»
6. Литература
1. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование: Учебное пособие для вузов/ Под ред. Л.А.Коледова,-М.: Высшая школа, 1984. - 231 с.
3. Васильев A.M., Шишкина Т.И., Епанешникова И.К. Расчет пассивной части гибридно-пленочной интегральной схемы. Методические указания к курсовому проектированию. М.: МАТИ, 2003. - 32 с.
4. Пономарев М.Ф., Коноплев Б.Г. Конструирование и расчет микросхем и микропроцессоров: Учебное пособие для вузов. - М.:
Радио и связь, 1986.- 176 с.
5. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры: Справочное пособие/ Э.Т. Романычева, А.К. Иванова, А.С.Куликов, Н.Г. Миронова, А.В. Антипов.- 2е издание переработанное и дополненное.-М.: Радио и связь, 1989, - 448 с
6. Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов.- М.: Радио и связь, 1989. - 400 с.
Содержание
Введение 3
1.Краткие теоретические сведения по конструированию резисторов ГИС 3
2. Цель лабораторной работы 6
3. Описание лабораторной работы и порядок ее выполнения 6
3.1. Расчет прямоугольного резистора 6
3.2. Расчет резистора типа "меандр" 9
4.Содержание отчета 11
5. Контрольные вопросы к лабораторной работе 11
6. Литература 11
Содержание 12
Rизг«Г»=2,55*ps
a). «Г»
-образный изгиб;