
- •«Мати – Российский государственный технологический университет
- •Контрольные вопросы по теме: пассивные элементы гибридных интегральных схем
- •Контрольные вопросы по теме: биполярный транзистор и активные и пассивные элементы на его основе.
- •Контрольные вопросы по теме: мдп- транзистор
- •4. Контрольные вопросы по теме: бис и сбис
- •Контрольные вопросы по теме : teпловые режимы и корпуса ис
- •6.Контрольная работа №1 пассивные элементы гис
- •1. Что такое подгонка резисторов? в каком диапазоне номиналов она применима и как осуществляется?
- •7.Контрольная работа №2 полупроводниковые ис. Биполярный транзистор и активные и пассивные элементы на его основе.
- •8.Контрольная работа №3 полупроводниковые ис. Мдп транзистор
- •9.Контрольная работа 3а. Мдп транзистор. Тепловые режимы ис
- •10.Контрольная работа № 4 бис и сбис
- •10.Контрольная работа № 4 бис и сбис
- •11.Контрольная работа №5 тепловые режимы ис
10.Контрольная работа № 4 бис и сбис
Билет №1
1. В чем суть метода масштабирования транзисторных структур? Где он применяется? Для каких структур? С какой целью?
2. Какими путями добиваются увеличения степени интеграции СБИС?
Билет №2
1. Почему при микроминиатюризации элементов БИС нельзя ограничиться только изменением горизонтальных размеров элемента?
2. Каковы особенности элементной базы СБИС?
Билет № 3
1. В чем особенности и проблемы трассировки соединений в БИС?
2 Возможно ли применение метода масштабирования при проектировании:
а)МОП СБИС;
б) биполярных СБИС ?
Билет №4
1. Каковы пути увеличения быстродействия СБИС ?
2. Что такое БМК и каковы их существенные характеристики?
Билет №5
1. Входят ли межъячеечные соединения в библиотеку данных при разработке полузаказных БИС?
1.Каковы конструктивные особенности биполярного транзистора СБИС?
Билет № 6
Какова последовательность разработки полузаказной БИС?
Каковы основные ограничения при применении теории масштабирования?
Билет № 7
1. Каковы конструктивные особенности МОП транзистора СБИС?
2. В чем отличие разработки полузаказной БИС от заказной БИС?
Билет №8
1. Почему при микроминиатюризации элементов БИС нельзя ограничиться только изменением горизонтальных размеров элемента?
2. Что нужно сделать для предотвращения возникновения канала проводимости между соседними МДП- транзисторами?
Билет №9
1. На чем базируется теория масштабирования МДП- транзисторов?
2. От каких параметров зависит разводимостъ БМК?
10.Контрольная работа № 4 бис и сбис
Билет №1
1. В чем суть метода масштабирования транзисторных структур? Где он применяется? Для каких структур? С какой целью?
2. Какими путями добиваются увеличения степени интеграции СБИС?
Билет №2
1. Почему при микроминиатюризации элементов БИС нельзя ограничиться только изменением горизонтальных размеров элемента?
2. Каковы особенности элементной базы СБИС?
Билет № 3
1. В чем особенности и проблемы трассировки соединений в БИС?
2 Возможно ли применение метода масштабирования при проектировании:
а)МОП СБИС;
б) биполярных СБИС ?
Билет №4
1. Каковы пути увеличения быстродействия СБИС ?
2. Что такое БМК и каковы их существенные характеристики?
Билет №5
1. Входят ли межъячеечные соединения в библиотеку данных при разработке полузаказных БИС?
1.Каковы конструктивные особенности биполярного транзистора СБИС?
Билет № 6
1.Какова последовательность разработки полузаказной БИС?
2.Каковы основные ограничения при применении теории масштабирования?
Билет № 7
1. Каковы конструктивные особенности МОП транзистора СБИС?
2. В чем отличие разработки полузаказной БИС от заказной БИС?
Билет №8
1. Почему при микроминиатюризации элементов БИС нельзя ограничиться только изменением горизонтальных размеров элемента?
2. Что нужно сделать для предотвращения возникновения канала проводимости между соседними МДП- транзисторами?
Билет №9
1. На чем базируется теория масштабирования МДП- транзисторов?
2. От каких параметров зависит разводимостъ БМК?
Билет №10
1.Поясните влияние проводников коротких и длинных линий связи на быстродействие СБИС.
Билет № 11
1.Что представляет собой трехмерная ИС? Приведите эскиз.
2. Перечислите основные конструкторские приемы увеличения степени интеграции ИС. Поясните их.
Билет №12
1. Как с помощью конструкторских и технологических методов повысить информационную пропускную способность СБИС
2.Особенности проектирования специализированных БИС на основе БМК.
Билет № 13
1. Поясните особенности конструкции НЕМ (гетеропереходные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов) транзисторов. Приведите эскиз
2. Перечислите основные конструкторские приемы увеличения быстродействия ИС. Поясните их.
Билет №14
1. Что такое «критерий качества БИС»? Конструктивные методы его совершенствования.
2. Методы изоляции элементов СБИС: ИЗОПЛАНАР
Билет №15
Какими свойствами арсенида галлия определяется перспективность его использования в СБИС?
Какие методы создания рисунка межэлементных соединений используют в БИС?
Билет 16
1. Методы изоляции элементов СБИС: Щелевая изоляция.
2. Перечислите основные параметры, характеризующие конструктивно-технологические особенности БИС.