
- •«Мати – Российский государственный технологический университет
- •Контрольные вопросы по теме: пассивные элементы гибридных интегральных схем
- •Контрольные вопросы по теме: биполярный транзистор и активные и пассивные элементы на его основе.
- •Контрольные вопросы по теме: мдп- транзистор
- •4. Контрольные вопросы по теме: бис и сбис
- •Контрольные вопросы по теме : teпловые режимы и корпуса ис
- •6.Контрольная работа №1 пассивные элементы гис
- •1. Что такое подгонка резисторов? в каком диапазоне номиналов она применима и как осуществляется?
- •7.Контрольная работа №2 полупроводниковые ис. Биполярный транзистор и активные и пассивные элементы на его основе.
- •8.Контрольная работа №3 полупроводниковые ис. Мдп транзистор
- •9.Контрольная работа 3а. Мдп транзистор. Тепловые режимы ис
- •10.Контрольная работа № 4 бис и сбис
- •10.Контрольная работа № 4 бис и сбис
- •11.Контрольная работа №5 тепловые режимы ис
9.Контрольная работа 3а. Мдп транзистор. Тепловые режимы ис
Билет №1
В реальных МДП- структурах при измерении зависимости емкости от напряжения иногда наблюдается гистерезисный эффект. Какие это структуры? С чем связано появление такого эффекта? Приведите конструкцию.
Отчего зависит величина порогового напряжения МДП- транзистора? Приведите конструкцию прибора.
Билет №2
Как уменьшить величину порогового напряжения в МДП-транзисторе? Приведите конструкцию.
Объясните в чем состоят достоинства и недостатки ИС типа КМОП-КНС по сравнению с обычными КМОП ИС? Приведите конструкцию.
Билет № 3
Объясните, почему для функционирования большинства цифровых ИС необходимо, чтобы МДП - транзистор работал в режиме обогащения? Объясните каков должен быть потенциал на затворе для р- n- р- канального прибора? Приведите конструкцию.
2. Какие исходные данные необходимы для оценки теплового режима ГИС ? Назовите основные виды теплопередачи и тепловые сопротивления, их характеризующие.
Билет №4
Перечислите характерные отличия Д - МОП структур и ее достоинства по сравнению с n- канальными приборами. Приведите конструкции.
2. Какие рекомендации необходимо учитывать для обеспечения заданного теплового режима ГИС?
Билет № 5
1. С какой целью используются охранные кольца в МДП ИС? Приведите конструкцию.
2. Каким требованиям должна удовлетворять конструкция корпуса микросхемы?
Билет №6
Приведите топологию прибора с зарядовой связью (ПЗС). Перечислите достоинства ПЗС и области применения.
В чем эаключается принцип классификации корпусов микросхем по форме проекции корпуса и расположению проекции выводов?
Билет №7
1. Для чего используют охранные кольца в МДП транзисторах? Приведите конструкцию.
2. Каким образом производится выбор типа корпуса для ГИС и для полупроводниковой ИС?
Билет № 8
1. Какие транзисторы имеют самый малый уровень шумов и высокую стабильность
характеристик во времени? Приведите структуру и поясните
В чем заключаются особенности металлостеклянных корпусов? Где они применяются?
Билет №9
Какие конструктивно-технологические проблемы решаются при исполнении в одном кристалле биполярного и полевого транзисторов? Приведите примеры.
В чем заключаются особенности полимерных корпусов? Где они используются?
Билет №10
На каком эффекте основан принцип действия МДП - транзистора? Приведите конструкцию транзистора и назовите основные механизмы теплопереноса.
2. Какие типы корпусов рекомендуются для ГИС?
Билет №11
1.Каковы преимущества К -МДП микросхем по сравнению с МДП микросхемами на транзисторах одного типа проводимости?
Какие типы корпусов рекомендуются для полупроводниковых ИС? Почему? Каковы основные механизмы теплопередачи?
Билет №12
С какой целью используются охранные кольца в МДП ИС? Приведите конструкцию.
Какие механизмы теплопередачи наблюдаются в пластмассовых корпусах? Поясните ответ эквивалентной тепловой схемой и эскизом.
Билет №13
Что представляет собой затвор из поликристаллического кремния МДП - транзистора? Проведите сравнение прибора n - канального прибора с затворами из алюминия и из поликристаллического кремния. Приведите конструкции.
Какие механизмы теплопередачи наблюдаются в пластмассовых корпусах? Поясните ответ эквивалентной тепловой схемой и эскизом.
Билет №14
1. Приведите топологию К-МОП структуры. Перечислите и поясните её достоинства в области применения.
2. Какие исходные данные необходимы для оценки теплового режима ГИС? В чем отличие механизмов теплопередачи корпусированных и некорпусированных ИС?
Билет №15
1. Каким конструктивно-технологическими приёмами можно достичь повышения быстродействия МДП - транзисторов? Приведите конструкцию.
2. Какие рекомендации необходимо учитывать для обеспечения заданного теплового режима ГИС. Каковы особенности теплового расчета полупроводниковой ИС?
Билет №16
1.Как добиться совместимости процессов изготовления полевых р - канальных и биполярных транзисторов в едином кристалле? Приведите структуру и дайте комментарий.
2.Каким требованиям должна удовлетворять конструкция корпуса микросхемы? Что такое тепловое сопротивление? Какие виды теплопередачи являются доминирующими в корпусированной ИС.
Билет №17
1. Как влияет на электрические параметры МДП транзисторов уменьшение длины канала? Приведите структуру МДП транзистора
2. Какие механизмы теплопередачи наблюдаются в металлостеклянных корпусах? Поясните ответ эквивалентной тепловой схемой и эскизом.
Билет №18
1.Каковы конструктивные особенности МДП транзистора с самосовмещенным затвором?
2.Какие типы корпусов рекомендуются для полупроводниковых ИС?
Билет №19
1. Можно ли создать транзистор, в котором изначально не формировался р-п переход? Приведите структуру и поясните. Каковы параметры прибора и область применения.
2. В чем заключаются особенности полимерных корпусов? Где они используются?
Билет №20
1. В реальных МДП - структурах при измерении зависимости емкости от напряжения иногда наблюдается гистерезисный эффект. Какие это структуры? С чем связано появление такого эффекта?
2. Отчего зависит величина порогового напряжения МДП - транзистора? Приведите конструкцию.
Билет №21
1. Как уменьшить величину порогового напряжения в МДП - транзисторе? Приведите конструкцию.
2 Объясните в чем состоят достоинства и недостатки ИС типа КМОП - КНС по сравнению с обычными КМОП ИС? Приведите конструкцию.
Билет №23
1. Объясните, почему для функционирования большинства цифровых ИС необходимо, чтобы МДП - транзистор работал в режиме обогащения? Объясните каков должен быть потенциал на затворе для p-канального прибора? Приведите конструкцию.
2. Что представляет собой затвор из поликристаллического кремния МДП - транзистора? Проведите сравнение прибора n - канального прибора с затворами из алюминия и из поликристаллического кремния. Приведите конструкцию.
Билет №24
1. Перечислите характерные отличия Д-МОП структур и ее достоинства по сравнению с n- канальными приборами. Приведите конструкции.
2 Приведите топологию К-МОП структуры.
Перечислите и поясните её достоинства в области применения.
Билет №26
1. Приведите топологию прибора с зарядовой связью (ПЗС). Перечислите достоинства ПЗС и области применения.
2. Как добиться совместимости процессов изготовления полевых р - канальных и биполярных транзисторов в едином кристалле? Приведите структуру и дайте комментарий.
Билет №27
1. Сравните параметры К-МОП и n-МОП структур. Укажите их достоинства и недостатки.
2 Как влияет на электрические параметры МДП транзисторов уменьшение длины канала? Приведите структуру МДП - транзистора.
Билет №28
1. Какие транзисторы имеют самый малый уровень шумов и высокую стабильность
характеристик во времени?
Приведите структуру и поясните
2.Каковы конструктивные особенности МДП - транзистора с самосовмещенным затвором?
Билет № 2 9
1. Какие конструктивно-технологические проблемы решаются при исполнении в одном кристалле биполярного и полевого транзисторов? Приведите примеры конструкций.
2. Каковы конструктивные особенности V - МДП транзистора?
Билет №30
1. На каком эффекте основан принцип действия МДП - транзистора? Приведите конструкцию. Каковы конструктивные пути улучшения его параметров?
2 Можно ли создать транзистор, в котором изначально не формировался р-n переход? Приведите структуру и поясните.
Билет №31
1.Каковы преимущества микросхем на К -МДП структурах по сравнению с микросхемами на МДП транзисторах одного типа проводимости?
2.Какие способы используются для уменьшения влияния паразитных транзисторов при разработки топологии МДП микросхем?
Билет №32
1. С какой целью используются охранные кольца в МДП ИС? Приведите конструкцию.
2. Каковы конструктивные пути создания в одном кристалле биполярных и полевых приборов?