Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
к занятиям по Основам Микроэлектроники / сборник контрольных вопросов ОМ.doc
Скачиваний:
19
Добавлен:
24.03.2015
Размер:
202.75 Кб
Скачать

9.Контрольная работа 3а. Мдп транзистор. Тепловые режимы ис

Билет №1

  1. В реальных МДП- структурах при измерении зависимости емкости от напряжения иногда наблюдается гистерезисный эффект. Какие это структуры? С чем связано появление такого эффекта? Приведите конструкцию.

  2. Отчего зависит величина порогового напряжения МДП- транзистора? Приведите конструкцию прибора.

Билет №2

  1. Как уменьшить величину порогового напряжения в МДП-транзисторе? Приведите конструкцию.

  2. Объясните в чем состоят достоинства и недостатки ИС типа КМОП-КНС по сравнению с обычными КМОП ИС? Приведите конструкцию.

Билет № 3

  1. Объясните, почему для функционирования большинства цифровых ИС необходимо, чтобы МДП - транзистор работал в режиме обогащения? Объясните каков должен быть потенциал на затворе для р- n- р- канального прибора? Приведите конструкцию.

  2. 2. Какие исходные данные необходимы для оценки теплового режима ГИС ? Назовите основные виды теплопередачи и тепловые сопротивления, их характеризующие.

Билет №4

  1. Перечислите характерные отличия Д - МОП структур и ее достоинства по сравнению с n- канальными приборами. Приведите конструкции.

2. Какие рекомендации необходимо учитывать для обеспечения заданного теплового режима ГИС?

Билет № 5

1. С какой целью используются охранные кольца в МДП ИС? Приведите конструкцию.

2. Каким требованиям должна удовлетворять конструкция корпуса микросхемы?

Билет №6

  1. Приведите топологию прибора с зарядовой связью (ПЗС). Перечислите достоинства ПЗС и области применения.

  2. В чем эаключается принцип классификации корпусов микросхем по форме проекции корпуса и расположению проекции выводов?

Билет №7

1. Для чего используют охранные кольца в МДП транзисторах? Приведите конструкцию.

2. Каким образом производится выбор типа корпуса для ГИС и для полупроводниковой ИС?

Билет № 8

1. Какие транзисторы имеют самый малый уровень шумов и высокую стабильность

характеристик во времени? Приведите структуру и поясните

  1. В чем заключаются особенности металлостеклянных корпусов? Где они применяются?

Билет №9

  1. Какие конструктивно-технологические проблемы решаются при исполнении в одном кристалле биполярного и полевого транзисторов? Приведите примеры.

  2. В чем заключаются особенности полимерных корпусов? Где они используются?

Билет №10

  1. На каком эффекте основан принцип действия МДП - транзистора? Приведите конструкцию транзистора и назовите основные механизмы теплопереноса.

2. Какие типы корпусов рекомендуются для ГИС?

Билет №11

1.Каковы преимущества К -МДП микросхем по сравнению с МДП микросхемами на транзисторах одного типа проводимости?

  1. Какие типы корпусов рекомендуются для полупроводниковых ИС? Почему? Каковы основные механизмы теплопередачи?

Билет №12

  1. С какой целью используются охранные кольца в МДП ИС? Приведите конструкцию.

  2. Какие механизмы теплопередачи наблюдаются в пластмассовых корпусах? Поясните ответ эквивалентной тепловой схемой и эскизом.

Билет №13

  1. Что представляет собой затвор из поликристаллического кремния МДП - транзистора? Проведите сравнение прибора n - канального прибора с затворами из алюминия и из поликристаллического кремния. Приведите конструкции.

  2. Какие механизмы теплопередачи наблюдаются в пластмассовых корпусах? Поясните ответ эквивалентной тепловой схемой и эскизом.

Билет №14

1. Приведите топологию К-МОП структуры. Перечислите и поясните её достоинства в области применения.

2. Какие исходные данные необходимы для оценки теплового режима ГИС? В чем отличие механизмов теплопередачи корпусированных и некорпусированных ИС?

Билет №15

1. Каким конструктивно-технологическими приёмами можно достичь повышения быс­тродействия МДП - транзисторов? Приведите конструкцию.

2. Какие рекомендации необходимо учитывать для обеспечения заданного теплового режима ГИС. Каковы особенности теплового расчета полупроводниковой ИС?

Билет №16

1.Как добиться совместимости процессов изготовления полевых р - канальных и биполярных транзисторов в едином кристалле? Приведите структуру и дайте комментарий.

2.Каким требованиям должна удовлетворять конструкция корпуса микросхемы? Что такое тепловое сопротивление? Какие виды теплопередачи являются доминирующими в корпусированной ИС.

Билет №17

1. Как влияет на электрические параметры МДП транзисторов уменьшение длины канала? Приведите структуру МДП транзистора

2. Какие механизмы теплопередачи наблюдаются в металлостеклянных корпусах? Поясните ответ эквивалентной тепловой схемой и эскизом.

Билет №18

1.Каковы конструктивные особенности МДП транзистора с самосовмещенным затвором?

2.Какие типы корпусов рекомендуются для полупроводниковых ИС?

Билет №19

1. Можно ли создать транзистор, в котором изначально не формировался р-п переход? Приведите структуру и поясните. Каковы параметры прибора и область применения.

2. В чем заключаются особенности полимерных корпусов? Где они используются?

Билет №20

1. В реальных МДП - структурах при измерении зависимости емкости от напряжения иногда наблюдается гистерезисный эффект. Какие это структуры? С чем связано появление такого эффекта?

2. Отчего зависит величина порогового напряжения МДП - транзистора? Приведите конструкцию.

Билет №21

1. Как уменьшить величину порогового напряжения в МДП - транзисторе? Приведите конструкцию.

2 Объясните в чем состоят достоинства и недостатки ИС типа КМОП - КНС по сравнению с обычными КМОП ИС? Приведите конструкцию.

Билет №23

1. Объясните, почему для функционирования большинства цифровых ИС необходимо, чтобы МДП - транзистор работал в режиме обогащения? Объясните каков должен быть потенциал на затворе для p-канального прибора? Приведите конструкцию.

2. Что представляет собой затвор из поликристаллического кремния МДП - транзистора? Проведите сравнение прибора n - канального прибора с затворами из алюминия и из поликристаллического кремния. Приведите конструкцию.

Билет №24

1. Перечислите характерные отличия Д-МОП структур и ее достоинства по сравнению с n- канальными приборами. Приведите конструкции.

2 Приведите топологию К-МОП структуры.

Перечислите и поясните её достоинства в области применения.

Билет №26

1. Приведите топологию прибора с зарядовой связью (ПЗС). Перечислите достоинства ПЗС и области применения.

2. Как добиться совместимости процессов изготовления полевых р - канальных и биполярных транзисторов в едином кристалле? Приведите структуру и дайте комментарий.

Билет №27

1. Сравните параметры К-МОП и n-МОП структур. Укажите их достоинства и недостатки.

2 Как влияет на электрические параметры МДП транзисторов уменьшение длины канала? Приведите структуру МДП - транзистора.

Билет №28

1. Какие транзисторы имеют самый малый уровень шумов и высокую стабильность

характеристик во времени?

Приведите структуру и поясните

2.Каковы конструктивные особенности МДП - транзистора с самосовмещенным затвором?

Билет № 2 9

1. Какие конструктивно-технологические проблемы решаются при исполнении в одном кристалле биполярного и полевого транзисторов? Приведите примеры конструкций.

2. Каковы конструктивные особенности V - МДП транзистора?

Билет №30

1. На каком эффекте основан принцип действия МДП - транзистора? Приведите конструкцию. Каковы конструктивные пути улучшения его параметров?

2 Можно ли создать транзистор, в котором изначально не формировался р-n переход? Приведите структуру и поясните.

Билет №31

1.Каковы преимущества микросхем на К -МДП структурах по сравнению с микросхемами на МДП транзисторах одного типа проводимости?

2.Какие способы используются для уменьшения влияния паразитных транзисторов при разработки топологии МДП микросхем?

Билет №32

1. С какой целью используются охранные кольца в МДП ИС? Приведите конструкцию.

2. Каковы конструктивные пути создания в одном кристалле биполярных и полевых приборов?