8.Контрольная работа №3 полупроводниковые ис. Мдп транзистор

Билет № 1

1. В реальных МДП - структурах при измерении зависимости емкости от напряжения иногда наблюдается гистерезисный эффект. Какие это структуры? С чем связано появление такого эффекта?

2. Отчего зависит величина порогового напряжения МДП - транзистора? Приведите конструкцию.

Билет № 2

1. Как уменьшить величину порогового напряжения в МДП-транзисторе? Приведите конструкцию.

2 Объясните в чем состоят достоинства н недостатки ИС типа КМОП-КНС по сравнению с обычными КМОП ИС ? Приведите конструкцию.

Билет № 3

1. Объясните, почему для функционирования большинства цифровых ИС необходимо, чтобы МДП- транзистор работал в режиме обогащения? Объясните каков должен быть потенциал на затворе для р- n - р- канального прибора?

2. Что представляет собой затвор из поликристаллического кремния МДП-транзистора? Проведите сравнение прибора п-канапьного прибора с затворами из алюминия и из поликристаллического кремния. Приведите конструкцию.

Билет №4

1. Перечислите характерные отличия Д-МОП структур н ее достоинства по сравнению с п- канальными приборами. Приведите конструкции.

2. Приведите топологию К-МОП структуры.

Перечислите и поясните её достоинства в области применения.

Билет №5

1. Объясните, почему К-МОП структуры обладают меньшей мощностью потребления (в статическом режиме) по сравнению с биполярными. Представьте структуры обеих.

2 Каким конструктивно-технологическими приёмами можно достичь повышения быстродействия МДП транзисторов ? Приведите конструкцию.

Билет №6

1. Приведите топологию МОП транзистора и прибора с зарядовой связью (ПЗС).Что у них общего и в чем отличие? Перечислите достоинства ПЗС и области применения.

2. Как добиться совместимости процессов изготовления полевых р- канальных и биполярных транзисторов в едином кристалле? Приведите структуру и дайте комментарий.

Билет № 7

1. Сравните параметры К-МОП и n-МОП структур. Укажите их достоинства и недостатки.

2. Как влияет на электрические параметры МДП транзисторов уменьшение длины канала?

Приведите структуру МДП - транзистора.

Билет№ 8

1. Какие транзисторы имеют самый малый уровень шумов и высокую стабильность

характеристик во времени?

Приведите структуру и поясните

2.Каковы конструктивные особенности МДП транзистора с самосовмещенным затвором?

Билет №9

1. Какие конструктивно-технологические проблемы решаются при исполнении в одном кристалле биполярного и полевого транзисторов?

2. Каковы конструктивные особенности V - МДП транзистора?

Билет №10

1. На каком эффекте основан принцип действия МДП - транзистора?

2 Можно ли создать транзистор, в котором изначально не формировался р-п переход? Приведите структуру и поясните. Каковы параметры прибора и область применения

Билет №11

1. Каковы преимущества К - МДП микросхем по сравнению с МДП микросхемами на транзисторах одного типа проводимости?

2. Какие способы используются для уменьшения влияния паразитных транзисторов при разработки топологии МДП микросхем?

Билет № 12

1. С какой целью используются охранные кольца в МДП ИС? Приведите конструкцию.

2. Каковы конструктивные пути создания в одном кристалле биполярных и полевых приборов?