1. Что такое подгонка резисторов? в каком диапазоне номиналов она применима и как осуществляется?

2. Что собой представляет топологический чертеж микросхемы?

7.Контрольная работа №2 полупроводниковые ис. Биполярный транзистор и активные и пассивные элементы на его основе.

Билет № 1

1 .Объясните, почему горизонтальный р-п-р транзистор является самой распространенной из всех структур р-п-р, используемых транзисторов? Каковы его особенности?

2.Для образования р-п перехода диода используется коллекторный переход. Какова характеристика диода?

Билет № 2

1. Для образования р-п перехода диода используется эмиттерный переход.Какова характеристика диода?

2. Как можно улучшить параметры планарного биполярного п-р-п транзистора? Приведите возможные конструктивные решения.

Билет № 3

1.В каком конструктвно-технологическом варианте диода накопленный заряд будет наибольшим и какая схема характеризуется самым большим напряжением пробоя?

2. В биполярных п-р-п транзисторах применяют скрытый ( п +) - слой. Какого назначение этого слоя? Приведите конструкцию транзистора.

Билет №4

1. Объясните как влияет удельное сопротивление эпитаксиального п-слоя, выращенного на поверхности р- подложки в процессе производства биполярных ИС?

2.В каком конструктивно-технологическом варианте конденсатора наблюдается:

а) максимальная удельная ёмкость.

б) максимальное напряжение пробоя?

Билет №5

1. Если не принять соответствующих мер, то при возникновении контакта алюминия с кремнием р- типа в коллекторной области п-р-п транзистора образуется неомический контакт. Поясните, что необходимо сделать, чтобы на границе раздела алюминий- кремний образовался омический контакт?

2, Объясните, почему" транзистору типа р-п-р с горизонтальной структурой свойственны низкие значения параметра коэффициента усиления? Приведите конструкцию прибора.

Билет №6

1. Перечислите по крайней мере два существенных достоинства и недостатка изопланарного транзистора по сравнению с обычным планарным. Приведите конструкцию.

2. Часто в ИС применяют многоэмиттерные биполярные транзисторы типа п-р-п. Каковы преимущества их использования?

Билет №7

1. В чем суть коллекторной изолирующей диффузии. Поясните эскизом.

2. Приведите топологию р-п-р транзистора. Опишите основные черты, присущие базовому слою. Как они влияют на параметры прибора?

Билет№ 8

1. Какой метод изоляции полупроводниковых элементов более перспективен; разделительная или боковая изолирующая диффузия'? Поясните эскизом.

2. Какой конструктивно-технологический вариант диода предпочтительнее для маломощных ИС? Приведите топологию и поясните.

Билет №9

1. Каковы основные черты комбинированного метода изоляции? Поясните эскизом.

3. Какой конструктивно-технологический вариант диода предпочтительнее для мощных ИС?

Приведите топологию и поясните.

Билет №10

1. Приведите топологию и вертикальный разрез транзистора, полученного тройной диффузией.

2. ...«Транзистор Шотки рекомендуется использовать в том случае, когда...» Дополнить высказывание. Привести структуру.

Билет №11

1. Какой конструктивно-технологический вариант транзистора предпочтительнее для быстродействующих ИС? Приведите топологию и поясните

2. В каком слое транзисторной структуры рекомендуется выполнять резистор номиналом 100 Ом, допуском 20%? Приведите структуру.

Билет №12

1. Какой конструктивно-технологический вариант транзистора предпочтительнее для мощных ИС? Приведите топологию и поясните.

2. «…Достоинства диода Шоттки объясняются самим механизмом работы диода». Поясните, приведите структуру.

Билет №13

1 В чем отличие диода Шоттки от диода, полученного на основе планарного транзистора?

Приведите структуры.

2.Приведите структуру торцевого транзистора. В чем его преимущества? Когда рекомендуется к применению?

Билет №14

1. В каком слое транзисторной структуры рекомендуется выполнять резистор номиналом 5 к0м, допуском 20 %? Приведите структуру.

2. Какие направления в изоляции элементов полупроводниковых ИС Вам известны. Сравните их .Приведите эскизы.

Билет №15

1. В каком слое транзисторной структуры рекомендуется выполнять резистор номиналом 40 к0м+ 10%? Приведите структуру. Какие варианты возможны?

2. Какой вариант интегрального полупроводникового конденсатора предпочтительнее. Почему? Поясните эскизами.

Билет №16

1. Сравните диффузионные и ионно- имплантированные резисторы. Приведите конструкции.

2. Какой интегральный конденсатор имеет большую удельную емкость? Почему? Поясните эскизом.

Билет №17

1.Почему МДП- конденсатор нашел широкое распространение? Приведите его конструкцию.

2. Назовите основные преимущества полупроводниковых микросхем по сравнению с ГИС.

Билет №18

1. Расшифруйте следующую запись:

8КДБ0,5

25______________-

200КЭС0,01

3. Почему чаще всего резисторы выполняются на основе базового слоя?

Билет № 19

1. Расшифруйте следующую запись

10КДБ0,5

25 —————-

60С250

2.Приведите основные типы диодов в полупроводниковых ПС.

Билет №20

1. Исходя из каких требований, производят выбор физической структуры транзистора?

2. Перечислите основные параметры полупроводникового диода?

Билет №21

1. Каковы типичные значения коэффициента передачи тока интегральных транзисторов различных конструкций?

2. В чем заключается особенность диода Шоттки? Приведите конструкцию.

Билет №22

1. Каковы особенности топологии мощных транзисторов?

2. Каковы исходные данные для определения геометрических размеров диффузионного резистора?

Билет № 23

1. Что необходимо учитывать при выборе конструкции и типа конденсатора?

2. В каком слое целесообразно выполнять резистор номиналом 8 кОм+ 15%. Приведите конструкцию и топологию резистора.