3. Контрольные вопросы по теме: мдп- транзистор

1. В реальных МДП- структурах при измерении зависимости емкости от напряжения иногда наблюдается гистерезисный эффект.

Какие это структуры? С: чем связано появление такого эффекта?

2. Отчего зависит величина порогового напряжения МДП- транзистора? Приведите конструкцию.

3. Как уменьшить величину порогового напряжения в МДП - транзисторе? Приведите конструкцию.

4. Объясните в чем состоят достоинства н недостатки ИС типа КМОП-КНС по сравнению с обычными КМОП ИС? Приведите конструкцию.

5. Объясните, почему для функционирования большинства цифровых ИС необходимо, чтобы МДП- транзистор работал в режиме обогащения? Объясните каков должен был» потенциал на затворе для р- и n- канального прибора?

6. Что представляет собой затвор из поликристаллического кремния МДП- транзистора? Проведите сравнение прибора n-канального прибора с затворами из алюминия и из поликристаллического кремния. Приведите конструкции.

7. по сравнению с п- канальными приборами. Приведите конструкции.

8. Приведите топологию К-МОП структуры.

Перечислите и поясните ее достоинства и области применения.

8. Объясните почему К-МОП структуры обладают меньшей мощностью рассеяния (в статическом режиме / по сравнению с биполярными, Пред ставьте структуры обеих.

9. Сравните параметры К.-МОП н п-МОП структур. Укажите их достоинства и недостатки.

14, Приведите топологию МОП транзистора и прибора с зарядовой связью (ПЗС),Что у них общего и в чем отличие? Перечислите достоинства ПЗС и области применения.

15. Как добиться совместимости процессов изготовления полевых р-канальных н биполярных транзисторов в едином кристалле? Приведите структуру.

16. Каким конструктивно-технологическим приемами можно достичь повышения быс­тродействия МДП транзисторов? Приведите конструкцию.

17 Как влияет на электрические параметры МДП транзисторов уменьшение длины канала? Приведите структуру МДП транзистора.

18. Какие транзисторы имеют самый малый уровень шумов н высокую стабильность характеристик во времени? Приведите структуру и поясните.

19. Можно ли создать транзистор, в котором изначально не формировался р-п переход? Приведите структуру и поясните.Каковы параметры прибора и область применения?

20. Какие конструктивно-технологические проблемы решаются при исполнении в одном кристалле биполярного и полевого транзисторов?

21. Каковы конструктивные особенности V - МДП транзистора?

22. Каковы конструктивные особенности МДП транзистора с самосовмещенным затвором?

23. На каком эффекте основан принцип действия МДП транзистора?

24. Каковы преимущества КМДП микросхем по сравнению с МДП микросхемами на транзисторах одного типа проводимости?

25. Какие способы используются для уменьшения влияния паразитных транзисторов при разработки топологии МДП микросхем?

4. Контрольные вопросы по теме: бис и сбис

1. В чем суть метода масштабирования транзисторных структур? Где он применяется? Для каких структур? С какой целью? Когда он эффективен?

2. Возможно ли применение метода масштабирования при проектировании:

а) МОП СБИС.

б) биполярных СБИС?

4. Каковы особенности элементной базы СБИС?

5. В чем особенности и проблемы трассировки соединений в БИС?

6.Какими путями добиваются увеличения степени интеграции СБИС?

7. Каковы пути увеличения быстродействия СБИС?

8. Что такое БМК и каковы их существенные характеристики?

9. Входят ли межячеечные соединения в библиотеку данных при разработке полузаказных БИС?

9. В чем отличие разработки полузакаэной БИС от заказной БИС?

9. Какова последовательность разработки полузаказной БИС?

9. Каковы конструктивные особенности биполярного транзистора СБИС?

9. Каковы конструктивные особенности МОП транзистора СБИС?

14. Каковы основные ограничения при применении теории масштабирования?

15. Почему при микроминиатюризации элементов БИС нельзя ограничиться только изменением горизонтальных размеров элемента?

16. Что нужно сделать для предотвращения возникновения канала проводимости между соседними МДП- транзисторами?

17. На чем базируется теория масштабирования МДП-транзисторов?

17. 0т каких параметров зависит разводимость БМК?

19.Поясните влияние проводников коротких и длинных линий связи на быстродействие СБИС.

20.Как влияет использование поликристаллического затвора на параметры МДП транзистора в СБИС?

21. Что представляет собой трехмерная ИС? Приведите эскиз.

22. Поясните особенности конструкции НЕМ (гетеропереходные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов) транзисторов. Приведите эскиз.

23. Как с помощью конструкторских и технологических методов повысить информационную пропускную способность СБИС?

24.Особенности проектирования БИС на основе БМК.

25. Перечислите основные конструкторские приемы увеличения степени интеграции ИС. Поясните их

26. Перечислите основные конструкторские приемы увеличения быстродействия ИС. Поясните их

.

27 Что такое «критерий качества БИС»? Конструктивные методы его совершенствования.

28 Какими свойствами арсенида галлия определяется перспективность его использования в СБИС?

29.Методы изоляции элементов СБИС: ИЗОПЛАНАР.

30. Методы изоляции элементов СБИС: ЭПИПЛАНАР.

31. Me годы изоляции элементов СБИС: Щелевая изоляция.

31. Методы изоляции элементов СБИС: АSРЕКТ.

33. Методы изоляции элементов СБИС.

33. Перечислите основные параметры характеризующие конструктивно-технологические особенности БИС?

33. Какие методы создания рисунка межэлементных соединений БИС используют?

33. В чем заключается сущность исполнения функционально-интегрированных элементов БИС?

37. Особенности проектирования специализированных БИС на основе БМК.

37. В чем отличие и сходство проблем и задач, решаемых при проектировании топологии полупроводниковой ИС и печатной платы?

37. Каковы особенности проектирования топологии (синтез топологии) на приборном уровне. В чем его преимущества и недостатки? Область применения.

37. Каковы особенности проектирования топологии и синтез топологии; на основе набора типовых ячеек.

В чем его преимущества и недостатки? Область применения.

41. Сравните методы проектирования топологии (синтез топологии) БИС на приборном уровне и на основе набора типовых ячеек. В чем их преимущества и недостатки ? Область применения.