
- •«Мати – Российский государственный технологический университет
- •Контрольные вопросы по теме: пассивные элементы гибридных интегральных схем
- •Контрольные вопросы по теме: биполярный транзистор и активные и пассивные элементы на его основе.
- •Контрольные вопросы по теме: мдп- транзистор
- •4. Контрольные вопросы по теме: бис и сбис
- •Контрольные вопросы по теме : teпловые режимы и корпуса ис
- •6.Контрольная работа №1 пассивные элементы гис
- •1. Что такое подгонка резисторов? в каком диапазоне номиналов она применима и как осуществляется?
- •7.Контрольная работа №2 полупроводниковые ис. Биполярный транзистор и активные и пассивные элементы на его основе.
- •8.Контрольная работа №3 полупроводниковые ис. Мдп транзистор
- •9.Контрольная работа 3а. Мдп транзистор. Тепловые режимы ис
- •10.Контрольная работа № 4 бис и сбис
- •10.Контрольная работа № 4 бис и сбис
- •11.Контрольная работа №5 тепловые режимы ис
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
Высшего профессионального образования
«Мати – Российский государственный технологический университет
имени К.Э. Циолковского»
Кафедра «Управление инновациями»
СБОРНИК ВОПРОСОВ
ПО КОНТРОЛЮ ЗНАНИЙ СТУДЕНТОВ
Методические указания к самостоятельной работе студентов по курсу
«Основы микроэлектроники»
Часть 1
«Конструирование и расчет элементов
интегральных схем»
Епанешникова И.К.
Москва
АННОТАЦИЯ
В работе изложены методические указания по проведению контрольных опросов студентов по разделу курса «Основы микроэлектроники» - Конструирование и расчет ИС. Приведен перечень контрольных вопросов по темам курса для самостоятельной проверки знаний студентами и набор контрольных карточек позволяющих преподавателю проконтролировать знания студентов с помощью проведения контрольных работ.
Данная методическая разработка предназначена для преподавателей ведущих занятия по конструированию и расчету гибридных и полупроводниковых ИС, а также для студентов соответствующих специальностей.
Контрольные вопросы по теме: пассивные элементы гибридных интегральных схем
1.Необходимо изготовить резистор номиналом 1 кОм
Какой материал вы выберете и почему?
Материал»А» ρs = 200 Ом/квадр.
Материал»В» ρs = 10000 Ом/квадр.,
Материал»С» ρs = 20 Ом/квадрат.
2.Плёночный резистор квадратной формы имеет номинал 500 Ом. Определить удельное поверхностное сопротивление плёнки.
3.Чему равно сопротивление плёночного резистора квадратной формы, если он выполнен из материала с удельным поверхностным сопротивлением 1 кОм/квадрат?
4.Необходимо создавать плёночный прямоугольный резистор 2кОм+10% .
Из какого материала его лучше выполнить?
Материал»А» ρs =500 Ом/квадрат, 6 =10%,
или
Материал»В» ρs =100 Ом/квадрат, 6 =5% .
5.Плёночный резистор R =1 кОм, Р =20 мВт изготовлен из материала «А» ρs =500 Ом/квадрат и Р =1 Вт/см2.
.. Может такой плёночный прямоугольный резистор быть выполнен шириной 100 мкм?
6.Определить номинал резистора «Г»-образной формы, выполненного из материала «А», ρs =100Ом/квадрат.
7.В техническом задании плёночный резистор прямоугольной формы должен иметь допуск R =1кОм+10%. Измерения изготовленного резистора дали величину 1200 Ом.
Может такой резистор быть принят заказчиком? Ответ обоснуйте.
8.Какую форму предпочтительнее придать плёночному резистору номиналом 5 кОм, изготовленному из:
материала «А» : ρs =100 Ом/квадрат.
материала «Б» : ρs =10000 Ом/квадрат.
Какие возможны варианты, какие нет. Ответ обоснуйте.
9.Из каких соображений выбираются размеры контактных областей контактная площадка-резистор? С этой точки зрения можно ли изготовить тонкоплёночный резистор:
а) длиной 8 мм, шириной 0.5 мм?
б) шириной 8 мм, длиной 0.5 мм?
Какой вариант предпочтительнее?
10.Плёночный прямоугольный резистор номиналом 10 кОм+15%.
Из какого материала его лучше выполнить:
материал»А» : ρs = 1 кОм/квадрат, 6R =15%
материал»В»: ρs=500 ρs Ом/квадрат, 6R =10%.
1.Плёночный конденсатор с рабочим напряжением 10В изготовлен с диэлектриком из моноокиси алюминия с электрической прочностью 2*106 В/см удельной ёмкости 5000пФ/см2.
Какова должна быть минимальная толщина диэлектрика в данном случае?
12.Необходимо спроектировать плёночный конденсатор С =15000 пФ (U =10В,f =100кГц ). Какой материал эффективнее использовать:
а) на основе SiO ( ε =5),
б) на основе GeО ( ε =11 ),
Ответ аргументируйте цифрами.
13.Необходимо спроектировать плёночный конденсатор С=10000пФ
минимальной площади.
Какой материал предпочтительнее: а) моноокись кремния ( ε =11); б) моноокись германия ( ε =11)?
14.Плёночный конденсатор с удельной ёмкостью 10000пФ/см2 выполнен из боросиликатного стекла ( ε =4; электрическая прочность Е=4*106 В/см. На какое рабочее сопротивление он рассчитан?
15. Добротность какого конденсатора больше?
С1: Плёночный конденсатор выполнен на основе моноокиси кремния с алюминиевыми обкладками (ρs = 0.05Ом/квадрат) с двусторонним расположением выводов.
С2: Плёночный конденсатор выполнен на основе моноокиси германия с алюминиевыми обкладками(ρs = 0.2Ом/квадрат) с односторонним расположением выводов
От каких факторов зависит добротность?
16. В каком случае резисторы в ГИС выполняют как навесные компоненты?
17. От каких факторов зависит точность тонкопленочного конденсатора?
18. На какие электрофизические параметры влияет сопротивление обкладок конденсатора? Какие требования предъявляются к материалу подложек?
19. Что такое подгонка резисторов? В каком диапазоне номиналов она применима и как осуществляется? В какую сторону возможно изменение материала?
20. Какие функции выполняет подложка ГИС?
21. Почему рекомендуется для всех номиналов резисторов, располагаемых на подложке, применять пленки с одинаковым удельным поверхностным сопротивлением ?
22. От чего зависит площадь, занимаемая пленочным конденсатором?
23. Что собой представляет топологический чертеж микросхемы ?
24. Назовите основные этапы разработки топологии ГИС.