асвт / Оперативная память

• Тайминги (времена задержек в тактах шины памяти)

-CL (CAS# Latency) CAS# to data delay

-RAS# to CAS# delay

-RAS# precharge time – время переключения на другую строку

-Time of RAS# activity – время ожидания повторного обращения к строке

-CR (command rate) время между CS#

и RAS#

Н-р, 4.0, 4, 4, 12, 2T

Возможности

разгона

Для

уменьшения

таймингов

приходится

снижать

частоту

•напряжение (1.5–5 В)

•диапазон температур (-40

– +85 оС)

•затраты на регенерацию

•ECC – коды коррекции ошибок

• Регистровая – с мультиплексором между контроллером и банками – для роста объёма (н-р, до 24 ГБ). Но! Задержка на такт.

6. Неисправности DRAM

•неустранимые: сожгли, сломали

•устранимые: перегрев, окислы, грязь на контактах, отклонения в форме, амплитуде и частоте сигналов

•случайные: радиация (н-р, КЛ)

Вентиляторы для модулей ОЗУ

Труднее всего устранить КЛ. Для полной защиты нужно десятки см свинца и т. д.

Обычные ЭВМ – без защиты

Случайный сбой раз в 10 лет на 1 модуль 10 см2

Нужны ли контроль чётности или коррекция (ECC)?

Для особо важных ЭВМ – да.

При этом производительность памяти слегка падает, усложняется модуль DRAM и чипсет.

7. Классы качества

А – гарантия стабильной работы + разгон

В – гарантия

С – без гарантии