
асвт / Оперативная память
.pdf
Глава 4: Память §1 Оперативная память

1. Реализуется обычно на микросхемах DRAM = Dynamic RAM, т.к. они имеют
наилучшее сочетание
объёма информации
плотности записи
быстродействия
энергопотребления
цены (≈1 руб/МБ)
«Динамическая» – должна постоянно работать:

При записи 1 – заряжаем, 0 – разряжаем
При чтении – всегда разряжаем
Если был 0, то 0 и останется 1, то заряжаем снова

Если постоянно читаем, то информация не теряется
Иначе, нужна периодическая (раз в 0.01 с) регенерация – чтение каждой ячейки

2. Производительность
Это количество считанных или записанных байт в секунду
Н-р, DDR2 SDRAM: до 8 ГБ/с на канал при последовательном чтении нескольких байт, а иначе до 1 ГБ/с

Для её роста повышают:
•быстродействие ячеек
•разрядность шины данных
(до 256 бит!)
•объём и частоту буфера (кэша)
•количество независимых банков (матриц): в одних идут фазы чтения-записи, в других
– фаза восстановления

А также применяют
•конвейер – цикл обработки
•расслоение памяти – сохранение последовательных слов в разных модулях

3. Синхронная (S) DRAM – с конвейером
Контроллер памяти (в чипсете или ЦП) циклично выдаёт:
•номер чипа (CS# – Chip Select)
•номер банка (BA# – Bank Active)
•номер строки
•RAS# – Row Access Strobe – сигнал,
подтверждающий выставление номера строки на шину адреса

•строка целиком копируется в буфер
•номер столбца
•CAS#
•разрешение чтения или записи
•чтение ячейки из буфера
•закрытие строки (Precharge)

время доступа |
|
|
RAS# |
|
|
CAS# |
|
|
row |
column |
row |
|
data |
|