
- •ВВЕДЕНИЕ
- •1.1. Свойства электрона
- •1.2. Виды электронной эмиссии
- •Глава 2 ИОННЫЕ ПРИБОРЫ
- •2.1. Вольт-амперная характеристика газового разряда
- •2.2. Стабилитроны
- •2.3. Неоновые лампы
- •2.4. Тиратроны
- •2.5. Разрядники
- •Глава 3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
- •3.1. p-n переход и его свойства
- •3.2. Общие сведения о полупроводниковых диодах
- •3.3. Выпрямительные диоды
- •3.4. Опорные диоды
- •3.5. Варикапы
- •3.6. Туннельные диоды
- •3.7. Биполярные транзисторы
- •3.8. Полевые транзисторы
- •3.9. Составные транзисторы
- •3.10. Нагрузочный режим работы транзистора
- •3.11. Тиристоры
- •3.12. Полупроводниковые фотоприборы
- •3.13. Терморезисторы
- •3.14. Правила монтажа и эксплуатации полупроводниковых приборов
- •4.1. Ионные цифровые и знаковые индикаторы
- •4.2. Полупроводниковые индикаторы
- •4.3. Жидкокристаллические индикаторы
- •Глава 5 ВЫПРЯМИТЕЛИ И СГЛАЖИВАЮЩИЕ ФИЛЬТРЫ
- •5.1. Общие сведения о выпрямителях
- •5.2. Однофазные схемы выпрямления
- •5.3. Трёхфазные схемы выпрямления
- •5.4. Условно-многофазные вентильные схемы выпрямления
- •5.5. Управляемые выпрямители
- •5.6. Сглаживающие фильтры
- •5.7. Коммутация в выпрямителях
- •Глава 6 ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И ИНВЕРТОРЫ
- •6.1. Общие сведения о преобразователях
- •6.2. Зависимые инверторы
- •6.3. Реверсивные преобразователи
- •Глава 7 ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •7.1. Общие сведения об усилителях
- •7.2. Режимы работы усилительных элементов
- •7.3. Обратные связи в усилителях
- •7.4. Каскады предварительного усиления
- •7.5. Выходные каскады
- •7.6. Многокаскадные усилители
- •7.7. Операционные усилители
- •7.8. Общие сведения об автогенераторах
- •7.9. Связанные контуры
- •7.10. Автогенераторы типа LC
- •7.11. Трёхточечные автогенераторы
- •7.13. Стабилизация частоты генераторов
- •Глава 8 МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
- •8.1. Общие сведения об интегральных микросхемах
- •8.2. Классификация и маркировка интегральных микросхем
- •8.3. Область применения аналоговых ИМС
- •8.4. Область применения цифровых ИМС
- •8.5. Система обозначений интегральных микросхем
- •Глава 9 ОСНОВЫ ИМПУЛЬСНОЙ ТЕХНИКИ
- •9.1. Электрические импульсы и их параметры
- •9.2. Цепи формирования импульсов и ограничители
- •9.3. Работа транзисторов в ключевом режиме
- •9.4. Общие сведения об импульсных генераторах
- •9.5. Работа транзистора в импульсном режиме
- •9.6. Мультивибраторы
- •9.7. Мультивибраторы в интегральном исполнении
- •9.8. Триггеры
- •9.9. Блокинг-генераторы
- •9.10. Импульсные усилители
- •Глава 10 ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
- •10.1. Общие сведения о логических элементах
- •10.2. Основные логические элементы и функции
- •10.3. Комбинированные логические элементы
- •10.4. Логические элементы в интегральном исполнении
- •10.5. Триггеры на логических элементах
- •10.6. Счётчики
- •Глава 11 ДАТЧИКИ И РЕЛЕ
- •11.1. Датчики
- •11.2. Реле
- •Глава 12 ЗАЩИТА ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
- •12.1. Бесконтактные защиты тиристорных устройств
- •12.2. Защита от перенапряжений
- •12.4. Стабилизаторы напряжения и тока
- •Список литературы
- •СОДЕРЖАНИЕ

Виды электронно-дырочных переходов
По характеру распределений концентрации примесей различают плавные и резкие p-n переходы. Если толщина области концентрации примесей сравнима или больше толщины p-n перехода, то переход называют плавным. Переход, в котором толщина области измененияконцентрациипримесизначительноменьшетолщиныp- n перехода, называютрезким. Резкийпереходполучаетсяпривплавлении примеси, а плавный — при её диффузии.
По отношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в p и n областях различают симметричный и несимметричный p-n переходы. У симметричных переходов концентрации основных носителей заряда в прилегающих к переходу областях приблизительно равны. В реальных полупроводниковых приборах обычно используются несимметричные p-n переходы, для которых характерны неравенство рp > nn или nn >> рр.
В переходах металл-полупроводник (переход Шотки) возникают явления, связанные с разницей в работе выхода электронов из металла и полупроводника. При создании контакта металла с полупроводникомвозникаетдиффузияэлектроновизматериаласменьшей работой выхода в материал с большей работой выхода. При этом происходит перераспределение зарядов вызывающие появление электрического поля и контактной разности потенциалов.
В местах пайки металлических токоотводов к монокристаллу полупроводниковых контакта с униполярными свойствами не возникает. Здесь образуется слой с повышенной концентрацией основных носителей, обладающий хорошей удельной проводимостью.
Гетеропереход возникает между двумя разнородными проводниками с различной шириной запрещённых зон (например, германий и арсенид галлия). Ток через такой переход определяется концентрацией носителей заряда в приконтактных областях и напряжённостью поля внешнего источника.
3.2. Общие сведения о полупроводниковых диодах
По конструктивно-технологическому принципу диоды разделяют на точечные и плоскостные. Точечные диоды рассчитаны на токи до нескольких миллиампер, а плоскостные — до нескольких ампер. Точечные диоды (рис. 3.8) изготовляют в виде тонкой
31

а |
б |
|
|
|
1 |
2 |
3 |
2 |
3 |
|
|
p |
|
|
|
1 |
4 |
|
|
n |
|
|
|
|
Рис. 3.8. Конструкция точечного диода: |
||
|
а) 1 — n зона; 2 — контактная пружина; 3 — p зона; 4 — p-n переход; |
||
|
б) 1 — корпус; 2 — трубка; 3 — вывод |
||
пластинки из полупроводника с электронной проводимостью. |
|||
Сверху в пластину упирается контактная пружина из вольфра- |
|||
мовой проволоки, заострённый конец которой покрыт слоем алю- |
|||
миния или индия. Этот слой — акцепторная примесь — обеспе- |
|||
чивает создание около заострённого конца полупроводника об- |
|||
ласти с дырочнойпроводимостью. Длязащитыпереходаотвнешних |
|||
воздействий его помещают в стеклянный или металлический герме- |
|||
тический корпус 1. Точечные диоды благодаря небольшой площади |
|||
p-n перехода и незначительной ёмкости применяют в высокочастот- |
|||
|
|
ных диодах. |
|
|
|
Плоскостные диоды(рис. |
|
|
|
3.9) выполняют в виде плас- |
|
|
|
тинки, закреплённой на дер- |
|
|
|
жателе. В эту пластинку |
|
|
|
сплавлением или диффузией |
|
|
|
внедряют атомы индия или |
|
|
|
германия, |
или алюминия |
|
|
для кремния, образуя n пе- |
|
|
|
реход. Верхний контакт |
|
|
|
представляет собой массив- |
|
Рис. 3.9. Конструкция плоскостного |
ную деталь, способную про- |
||
|
диода: |
пускать значительные токи |
|
1 — наружный вывод; 2 — внутренний |
и рассеивать тепло. Всё это |
||
вывод; 3 — трубка; 4 — цилиндр; 5 — |
помещают в герметизиро- |
||
корпус; 6 — контакт; 7 — p-n переход |
|
|
|
|
|
|
32 |

ванный корпус с выводом, изолированным стеклянным изолятором. На рис. 3.9 представлена конструкция плоскостного диода. Для изготовления плоскостных диодов с небольшой междуэлектродной ёмкостью используют специальные технологические приёмы. В результате получают диоды с малой ёмкостью переходов. В качестве основного материала при изготовлении диодов используют германий, кремний, арсенид и фосфид галлия.
Исходя из назначения и функций, которые выполняют диоды, их можно разделить на несколько видов.
Выпрямительные диоды — предназначены для выпрямления переменного тока низкой частоты. В качестве выпрямительных диодов используют плоскостные диоды, допускающие большие токи. Исходный материал для выпрямительных диодов широкого диапазона мощностей — кремний.
Высокочастотныедиоды— предназначеныдлявыпрямленияпеременного тока в широком диапазоне частот, а также для других нелинейныхпреобразований. Вкачествевысокочастотных(универсальных) диодов применяют диоды точечной конструкции.
Импульсныедиоды— применяютсявсхемахгенерированияиусиления импульсов микросекундного и наносекундного диапазонов
— изготавливаются на основе германия или кремния в виде плоскостной или точечной конструкции.
Туннельные диоды — применяют в качестве усилителей или генератороввысокочастотныхколебаний, вразнообразныхимпульсных схемах в качестве переключателей. Выполняют диоды из кремния, германия или арсенида галлия плоскостного типа.
Диоды с барьером Шотки — выполняют на основе структуры металл-полупроводник. Применяютдлягенерированияэлектрических колебаний, преобразования амплитуды и частоты, а также световой энергии вэлектрическую. Такие диоды технологичны визготовлении и обладают высоким быстродействием.
Светодиоды — используют в качестве световой индикации наличия тока; в зависимости от выбранного материала или ширины запрещённойзоныимеютразныецветасвечения(жёлтый, красный, зелёный).
Стабилитроны и стабисторы — предназначены для стабилизации уровня напряжения при изменениях значения протекающего через него тока. Рабочий участок стабилитронов — обратная часть
33

вольт-амперной характеристики; у стабисторов — прямой участок |
|
характеристики. |
|
Варикапы — полупроводниковые диоды, ёмкость которых мож- |
|
но изменять в широких пределах. Конструктивно их выполняют |
|
плоскостного типа на основании кремния, германия или арсенида |
|
галлия. |
|
3.3. Выпрямительные диоды |
|
|
Общие сведения |
Выпрямительныеполупроводниковыедиодыпредназначеныдля |
|
преобразования переменного тока в постоянный. Диапазон токов |
|
этих широко используемых на железнодорожном транспорте при- |
|
боров весьма велик: от десятков миллиампер (в устройствах желез- |
|
нодорожной автоматики и связи) до десятков ампер (в аппаратуре |
|
подвижного состава и тягового электроснабжения). Для получения |
|
большого прямого тока увеличивают площадь p-n перехода. По- |
|
этому многие выпрямительные диоды плоскостные. |
|
Выпрямительныйполупроводниковыйдиодпредставляетсобой |
|
прибор с одним p-n переходом и двумя выводами. Вывод, к которо- |
|
му течёт ток из внешней электрической цепи при прямом включе- |
|
нии диода (вывод из зоны типа p), называют анодным; вывод, от |
|
которогопрямойтокнаправляетсявовнешнююцепь(выводиззоны |
|
типа n), именуют катодом. |
|
Основные параметры |
|
|
Эксплуатационные свойства выпря- |
|
мительных диодов характеризуют их |
|
параметры, приводимые в справочной |
|
литературе. |
|
Номинальные значения токов и |
|
напряжений определяются ветвями |
|
вольт-амперной характеристики ди- |
|
ода (рис. 3.10): Uпр — постоянное пря- |
|
мое напряжение диода при заданном |
|
постоянном токе Iпр; Iобр — постоян- |
Рис. 3.10. Вольт-амперная |
ный обратный ток диода, протекающий |
характеристика диода |
|
|
34 |

через диод в обратном направлении при заданном обратном на-
пряжении Uобр.
Предельный режим работы прибора характеризуют максимально допустимые параметры, значения которых не должны превышаться при любых условиях эксплуатации. К ним относятся:
—Uобрmax — максимальнодопустимоепостоянноеобратноенапряжение диода, превышение его ведёт к пробою p-n перехода и выходу диода из строя;
—Iпрmax — максимально допустимый постоянный прямой ток определяется условиями нагрева прибора. При кратковременном (импульсном) воздействии тока значение его может быть увеличено. Соответственно различают максимально допустимый импульсный прямой ток;
—Рср.дmax — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность, рассеиваемая диодом при протекании тока в прямом и обратном направлениях.
Максимально допустимые параметры диода снижаются при повышении температуры.
Диод характеризуется следующими параметрами:
—крутизна вольт-амперной характеристики
S = |
∆I |
, мА/ В; |
|
(3.2) |
||||||||||
∆U |
|
|||||||||||||
— внутреннее сопротивление диода переменному току |
|
|||||||||||||
Ri = |
|
∆I |
, кОм; |
|
(3.3) |
|||||||||
|
∆U |
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
— внутреннее сопротивление диода постоянному току |
|
|||||||||||||
|
|
R |
|
|
= U |
, кОм; |
|
(3.4) |
||||||
|
|
0 |
|
|
I |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
— коэффициент выпрямления |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
Kвыпр |
= |
|
Iпр |
|
= |
Rобр |
|
. |
(3.5) |
|||||
Iобр |
Rпр |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
В полупроводниковых диодах следует различать сопротивление диода в прямом направлении R0 пр, которое относительно мало, и
35

сопротивление диода в обратном направлении R0обр, которое от- |
||
носительно велико, но не равно бесконечности. |
|
|
Для полупроводникового диода установились следующие поня- |
||
тия, характеризующие его свойства: |
|
|
прямой ток (Iпр) — это ток, протекающий через диод в прямом |
||
направлении. Его максимальная величина при длительном проте- |
||
кании не должна вызывать недопустимого перегрева диода и за- |
||
метного изменения его характеристики; |
|
|
выпрямленный ток — это среднее значение выпрямленного тока |
||
или постоянная составляющая пульсирующего тока; |
||
обратный ток (Iобр) — это ток, протекающий через диод, когда |
||
к диоду приложено обратное напряжение. |
|
|
Силовой диод |
|
|
Силовые диоды выполняют из монокристалла кремния. Для по- |
||
лучения p-n перехода используют сплавной или диффузионный ме- |
||
тод. Для обеспечения надёжного отвода тепла от p-n перехода ис- |
||
пользуютохладительныерадиаторы. Наибольшаятемпература, при |
||
которой работают кремниевые диоды, до 140 °С и определяется ус- |
||
|
ловиями надёжности спаян- |
|
|
ных соединений. |
|
|
На рис. 3.11 приведена |
|
|
вольт-ампернаяхарактеристи- |
|
|
ка силового диода. Парамет- |
|
|
ры, характеризующиесиловые |
|
|
полупроводниковые диоды: |
|
|
— |
номинальный пря- |
|
мойтокIном — этотакойток, |
|
|
который может проходить |
|
|
черездиоддлительноевремя, |
|
|
не перегревая его; |
|
|
— падение напряжения в |
|
|
проводящем направлении ∆U |
|
|
при номинальном токе; |
|
|
— обратноемаксимальное |
|
Рис. 3.11. Вольт-амперная характери- |
напряжение Uобрmax, при |
|
превышениикоторогопроис- |
||
стика силового диода |
ходит пробой диода; |
|
|
|
36 |

—обратноеноминальноенапряжениеUобрном, прикоторомдиод может работать длительное время, не пробиваясь;
—обратный ток Iобр, возникающий при приложении обратного номинального напряжения;
—тепловое сопротивление Rт = ∆τ/Р, °С/Вт — способность конструкциидиодаотводитьтепло, выделяющеесявнёмвпроцессеработы.
Силовые кремниевые диоды делятся на классы, группы и подгруппы. Классдиодазависитотзначенияобратногономиналь-ного

увеличивается, и напряжение пробоя в средней части пластины ока- |
|||||
зывается меньшим, чем у торца пластин. У лавинных диодов об- |
|||||
ратный ток в процессе пробоя хотя и нарастает лавинообразно, но |
|||||
остается «управляемым» и протекает по всей площади структуры, |
|||||
а воспринимаемое диодом напряжение ограничивается. Лавинные |
|||||
диоды допускают большую мощность рассеивания в обратном на- |
|||||
правлении и поэтому устойчивее к перенапряжению, а также име- |
|||||
ют более низкий запас по обратному напряжению по сравнению с |
|||||
обычными (20 % вместо 50 %). |
|
|
|||
|
Схемы включения диодов |
|
|||
Амплитуда обратного напряжения Uвхm, подаваемого на диод, |
|||||
не должна превышать его максимально допустимое обратное на- |
|||||
пряжениеUобрmax; максимальнодопустимыйпрямойтокдиодадол- |
|||||
жен быть больше амплитуды тока нагрузки. |
|
||||
Если амплитуда Uвхm превышает Uобрmax, то несколько диодов |
|||||
Rш |
|
|
соединяют последова- |
||
|
|
тельно (рис. 3.13). Чис- |
|||
|
|
|
ло последовательно со- |
||
VD1 |
VD2 |
VD3 |
единяемых диодов |
||
|
|
||||
U1 |
U2 |
U3 |
n = Uвхm ×Kз, |
3.6 |
|
Uобр |
|
||||
|
|
|
|
||
Рис. 3.13. Последовательноевключениедиодов |
где K — коэффициент |
||||
|
|
|
з |
|
|
|
|
|
запаса, обычно Kз = |
||
VD3 |
I1 |
|
1,2¸1,4. |
|
|
|
|
|
Многие типы полу- |
||
|
|
|
проводниковых диодов |
||
|
I2 |
|
имеют большой разброс |
||
VD2 |
|
значений обратного со- |
|||
|
|
||||
|
|
|
противления Rобр. По- |
||
|
|
|
этомуобратноенапряже- |
||
VD1 |
I3 |
Rб |
ние распределяется не- |
||
равномерно |
между |
||||
|
|
|
|||
|
|
|
последовательно вклю- |
||
Рис. 3.14. Параллельное включение диодов |
чёнными диодами. Наи- |
||||
|
|
|
|
38 |