Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Литература к курсу Электронные приборы / Акимова Электронная техника 2003.pdf
Скачиваний:
792
Добавлен:
23.03.2015
Размер:
4.92 Mб
Скачать

Виды электронно-дырочных переходов

По характеру распределений концентрации примесей различают плавные и резкие p-n переходы. Если толщина области концентрации примесей сравнима или больше толщины p-n перехода, то переход называют плавным. Переход, в котором толщина области измененияконцентрациипримесизначительноменьшетолщиныp- n перехода, называютрезким. Резкийпереходполучаетсяпривплавлении примеси, а плавный — при её диффузии.

По отношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в p и n областях различают симметричный и несимметричный p-n переходы. У симметричных переходов концентрации основных носителей заряда в прилегающих к переходу областях приблизительно равны. В реальных полупроводниковых приборах обычно используются несимметричные p-n переходы, для которых характерны неравенство рp > nn или nn >> рр.

В переходах металл-полупроводник (переход Шотки) возникают явления, связанные с разницей в работе выхода электронов из металла и полупроводника. При создании контакта металла с полупроводникомвозникаетдиффузияэлектроновизматериаласменьшей работой выхода в материал с большей работой выхода. При этом происходит перераспределение зарядов вызывающие появление электрического поля и контактной разности потенциалов.

В местах пайки металлических токоотводов к монокристаллу полупроводниковых контакта с униполярными свойствами не возникает. Здесь образуется слой с повышенной концентрацией основных носителей, обладающий хорошей удельной проводимостью.

Гетеропереход возникает между двумя разнородными проводниками с различной шириной запрещённых зон (например, германий и арсенид галлия). Ток через такой переход определяется концентрацией носителей заряда в приконтактных областях и напряжённостью поля внешнего источника.

3.2. Общие сведения о полупроводниковых диодах

По конструктивно-технологическому принципу диоды разделяют на точечные и плоскостные. Точечные диоды рассчитаны на токи до нескольких миллиампер, а плоскостные — до нескольких ампер. Точечные диоды (рис. 3.8) изготовляют в виде тонкой

31

а

б

 

 

 

1

2

3

2

3

 

 

p

 

 

 

1

4

 

 

n

 

 

 

 

Рис. 3.8. Конструкция точечного диода:

 

а) 1 n зона; 2 — контактная пружина; 3 p зона; 4 p-n переход;

 

б) 1 — корпус; 2 — трубка; 3 — вывод

пластинки из полупроводника с электронной проводимостью.

Сверху в пластину упирается контактная пружина из вольфра-

мовой проволоки, заострённый конец которой покрыт слоем алю-

миния или индия. Этот слой — акцепторная примесь — обеспе-

чивает создание около заострённого конца полупроводника об-

ласти с дырочнойпроводимостью. Длязащитыпереходаотвнешних

воздействий его помещают в стеклянный или металлический герме-

тический корпус 1. Точечные диоды благодаря небольшой площади

p-n перехода и незначительной ёмкости применяют в высокочастот-

 

 

ных диодах.

 

 

 

Плоскостные диоды(рис.

 

 

3.9) выполняют в виде плас-

 

 

тинки, закреплённой на дер-

 

 

жателе. В эту пластинку

 

 

сплавлением или диффузией

 

 

внедряют атомы индия или

 

 

германия,

или алюминия

 

 

для кремния, образуя n пе-

 

 

реход. Верхний контакт

 

 

представляет собой массив-

Рис. 3.9. Конструкция плоскостного

ную деталь, способную про-

 

диода:

пускать значительные токи

1 — наружный вывод; 2 — внутренний

и рассеивать тепло. Всё это

вывод; 3 — трубка; 4 — цилиндр; 5

помещают в герметизиро-

корпус; 6 — контакт; 7 p-n переход

 

 

 

 

 

32

ванный корпус с выводом, изолированным стеклянным изолятором. На рис. 3.9 представлена конструкция плоскостного диода. Для изготовления плоскостных диодов с небольшой междуэлектродной ёмкостью используют специальные технологические приёмы. В результате получают диоды с малой ёмкостью переходов. В качестве основного материала при изготовлении диодов используют германий, кремний, арсенид и фосфид галлия.

Исходя из назначения и функций, которые выполняют диоды, их можно разделить на несколько видов.

Выпрямительные диоды — предназначены для выпрямления переменного тока низкой частоты. В качестве выпрямительных диодов используют плоскостные диоды, допускающие большие токи. Исходный материал для выпрямительных диодов широкого диапазона мощностей — кремний.

Высокочастотныедиоды— предназначеныдлявыпрямленияпеременного тока в широком диапазоне частот, а также для других нелинейныхпреобразований. Вкачествевысокочастотных(универсальных) диодов применяют диоды точечной конструкции.

Импульсныедиоды— применяютсявсхемахгенерированияиусиления импульсов микросекундного и наносекундного диапазонов

— изготавливаются на основе германия или кремния в виде плоскостной или точечной конструкции.

Туннельные диоды — применяют в качестве усилителей или генератороввысокочастотныхколебаний, вразнообразныхимпульсных схемах в качестве переключателей. Выполняют диоды из кремния, германия или арсенида галлия плоскостного типа.

Диоды с барьером Шотки — выполняют на основе структуры металл-полупроводник. Применяютдлягенерированияэлектрических колебаний, преобразования амплитуды и частоты, а также световой энергии вэлектрическую. Такие диоды технологичны визготовлении и обладают высоким быстродействием.

Светодиоды — используют в качестве световой индикации наличия тока; в зависимости от выбранного материала или ширины запрещённойзоныимеютразныецветасвечения(жёлтый, красный, зелёный).

Стабилитроны и стабисторы — предназначены для стабилизации уровня напряжения при изменениях значения протекающего через него тока. Рабочий участок стабилитронов — обратная часть

33

вольт-амперной характеристики; у стабисторов — прямой участок

характеристики.

 

Варикапы — полупроводниковые диоды, ёмкость которых мож-

но изменять в широких пределах. Конструктивно их выполняют

плоскостного типа на основании кремния, германия или арсенида

галлия.

 

3.3. Выпрямительные диоды

 

Общие сведения

Выпрямительныеполупроводниковыедиодыпредназначеныдля

преобразования переменного тока в постоянный. Диапазон токов

этих широко используемых на железнодорожном транспорте при-

боров весьма велик: от десятков миллиампер (в устройствах желез-

нодорожной автоматики и связи) до десятков ампер (в аппаратуре

подвижного состава и тягового электроснабжения). Для получения

большого прямого тока увеличивают площадь p-n перехода. По-

этому многие выпрямительные диоды плоскостные.

Выпрямительныйполупроводниковыйдиодпредставляетсобой

прибор с одним p-n переходом и двумя выводами. Вывод, к которо-

му течёт ток из внешней электрической цепи при прямом включе-

нии диода (вывод из зоны типа p), называют анодным; вывод, от

которогопрямойтокнаправляетсявовнешнююцепь(выводиззоны

типа n), именуют катодом.

Основные параметры

 

Эксплуатационные свойства выпря-

 

мительных диодов характеризуют их

 

параметры, приводимые в справочной

 

литературе.

 

Номинальные значения токов и

 

напряжений определяются ветвями

 

вольт-амперной характеристики ди-

 

ода (рис. 3.10): Uпр — постоянное пря-

 

мое напряжение диода при заданном

 

постоянном токе Iпр; Iобр — постоян-

Рис. 3.10. Вольт-амперная

ный обратный ток диода, протекающий

характеристика диода

 

 

34

через диод в обратном направлении при заданном обратном на-

пряжении Uобр.

Предельный режим работы прибора характеризуют максимально допустимые параметры, значения которых не должны превышаться при любых условиях эксплуатации. К ним относятся:

Uобрmax — максимальнодопустимоепостоянноеобратноенапряжение диода, превышение его ведёт к пробою p-n перехода и выходу диода из строя;

Iпрmax — максимально допустимый постоянный прямой ток определяется условиями нагрева прибора. При кратковременном (импульсном) воздействии тока значение его может быть увеличено. Соответственно различают максимально допустимый импульсный прямой ток;

Рср.дmax — максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность, рассеиваемая диодом при протекании тока в прямом и обратном направлениях.

Максимально допустимые параметры диода снижаются при повышении температуры.

Диод характеризуется следующими параметрами:

крутизна вольт-амперной характеристики

S =

I

, мА/ В;

 

(3.2)

U

 

— внутреннее сопротивление диода переменному току

 

Ri =

 

I

, кОм;

 

(3.3)

 

U

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

— внутреннее сопротивление диода постоянному току

 

 

 

R

 

 

= U

, кОм;

 

(3.4)

 

 

0

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

— коэффициент выпрямления

 

 

 

 

 

 

 

Kвыпр

=

 

Iпр

 

=

Rобр

 

.

(3.5)

Iобр

Rпр

 

 

 

 

 

 

 

В полупроводниковых диодах следует различать сопротивление диода в прямом направлении R0 пр, которое относительно мало, и

35

сопротивление диода в обратном направлении R0обр, которое от-

носительно велико, но не равно бесконечности.

 

Для полупроводникового диода установились следующие поня-

тия, характеризующие его свойства:

 

 

прямой ток (Iпр) — это ток, протекающий через диод в прямом

направлении. Его максимальная величина при длительном проте-

кании не должна вызывать недопустимого перегрева диода и за-

метного изменения его характеристики;

 

выпрямленный ток — это среднее значение выпрямленного тока

или постоянная составляющая пульсирующего тока;

обратный ток (Iобр) — это ток, протекающий через диод, когда

к диоду приложено обратное напряжение.

 

Силовой диод

 

Силовые диоды выполняют из монокристалла кремния. Для по-

лучения p-n перехода используют сплавной или диффузионный ме-

тод. Для обеспечения надёжного отвода тепла от p-n перехода ис-

пользуютохладительныерадиаторы. Наибольшаятемпература, при

которой работают кремниевые диоды, до 140 °С и определяется ус-

 

ловиями надёжности спаян-

 

ных соединений.

 

На рис. 3.11 приведена

 

вольт-ампернаяхарактеристи-

 

ка силового диода. Парамет-

 

ры, характеризующиесиловые

 

полупроводниковые диоды:

 

номинальный пря-

 

мойтокIном — этотакойток,

 

который может проходить

 

черездиоддлительноевремя,

 

не перегревая его;

 

падение напряжения в

 

проводящем направлении ∆U

 

при номинальном токе;

 

обратноемаксимальное

Рис. 3.11. Вольт-амперная характери-

напряжение Uобрmax, при

превышениикоторогопроис-

стика силового диода

ходит пробой диода;

 

 

36

37
Рис. 3.12. Кремниеваяструктура лавинногодиода
К
А
напряжения и определяется как соотношение Uобрном /100. Группа диодаопределяется значением падения в прямом направлении при
номинальном токе Iном. Обозначаются группы буквами от А до Е. Так, падение напряжения группы А равно 0,4—0,5 В, группы Б — 0,5—0,6 В; группы Е — 0,9—1,0 В. Каждая группа делится на три подгруппы, отличающиеся значением падения напряже-
ния (0,4—0,42; 0,44—0,46; 0,48—0,5 В).
Маркировку диода наносят на корпус. Она включает в себя все параметры, которые необходимо знать в условиях эксплуатации. Например, маркировкаВ200-8-54 означает: вентилькремниевый, номинальный ток 200 А, 8-й класс (обратное номинальное напряжение 800 В), группа Б, т.к. падение напряжения при номинальном токе равно0,54 В. БолеесовременноеобозначениедиодаД161-200-18. Лавинные вентили имеют такую же маркировку. Например, ВЛ200-10- 55 означает: вентиль кремниевый, лавинный, номинальный ток 200 А, 10-йкласс(обратноенапряжение1000 В), прямое падение напряжения 0,55 В.
Вместе с простыми диодами применяются лавинные, внешне от них ничем не отличающиеся, за исключением конструкции p-n перехода. С поверхности пластины кремния снимается фаска по окружности (рис. 3.12), вследствие чего ширина области объемного заряда в зоне выхода увеличивается и напряженность поля снижается. Кроме того, в
области выхода p-n перехода по окружности пластины концентрацию основных носителей зарядов выполняют меньшей, чем в средней части. Поэто-
му ширина p-n перехода в этой зоне

обратноеноминальноенапряжениеUобрном, прикоторомдиод может работать длительное время, не пробиваясь;

обратный ток Iобр, возникающий при приложении обратного номинального напряжения;

тепловое сопротивление Rт = ∆τ/Р, °С/Вт — способность конструкциидиодаотводитьтепло, выделяющеесявнёмвпроцессеработы.

Силовые кремниевые диоды делятся на классы, группы и подгруппы. Классдиодазависитотзначенияобратногономиналь-ного

увеличивается, и напряжение пробоя в средней части пластины ока-

зывается меньшим, чем у торца пластин. У лавинных диодов об-

ратный ток в процессе пробоя хотя и нарастает лавинообразно, но

остается «управляемым» и протекает по всей площади структуры,

а воспринимаемое диодом напряжение ограничивается. Лавинные

диоды допускают большую мощность рассеивания в обратном на-

правлении и поэтому устойчивее к перенапряжению, а также име-

ют более низкий запас по обратному напряжению по сравнению с

обычными (20 % вместо 50 %).

 

 

 

Схемы включения диодов

 

Амплитуда обратного напряжения Uвхm, подаваемого на диод,

не должна превышать его максимально допустимое обратное на-

пряжениеUобрmax; максимальнодопустимыйпрямойтокдиодадол-

жен быть больше амплитуды тока нагрузки.

 

Если амплитуда Uвхm превышает Uобрmax, то несколько диодов

Rш

 

 

соединяют последова-

 

 

тельно (рис. 3.13). Чис-

 

 

 

ло последовательно со-

VD1

VD2

VD3

единяемых диодов

 

 

U1

U2

U3

n = Uвхm ×Kз,

3.6

Uобр

 

 

 

 

 

Рис. 3.13. Последовательноевключениедиодов

где K — коэффициент

 

 

 

з

 

 

 

 

запаса, обычно Kз =

VD3

I1

 

1,2¸1,4.

 

 

 

 

Многие типы полу-

 

 

 

проводниковых диодов

 

I2

 

имеют большой разброс

VD2

 

значений обратного со-

 

 

 

 

 

противления Rобр. По-

 

 

 

этомуобратноенапряже-

VD1

I3

Rб

ние распределяется не-

равномерно

между

 

 

 

 

 

 

последовательно вклю-

Рис. 3.14. Параллельное включение диодов

чёнными диодами. Наи-

 

 

 

 

38

Соседние файлы в папке Литература к курсу Электронные приборы