
- •ВВЕДЕНИЕ
- •1.1. Свойства электрона
- •1.2. Виды электронной эмиссии
- •Глава 2 ИОННЫЕ ПРИБОРЫ
- •2.1. Вольт-амперная характеристика газового разряда
- •2.2. Стабилитроны
- •2.3. Неоновые лампы
- •2.4. Тиратроны
- •2.5. Разрядники
- •Глава 3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
- •3.1. p-n переход и его свойства
- •3.2. Общие сведения о полупроводниковых диодах
- •3.3. Выпрямительные диоды
- •3.4. Опорные диоды
- •3.5. Варикапы
- •3.6. Туннельные диоды
- •3.7. Биполярные транзисторы
- •3.8. Полевые транзисторы
- •3.9. Составные транзисторы
- •3.10. Нагрузочный режим работы транзистора
- •3.11. Тиристоры
- •3.12. Полупроводниковые фотоприборы
- •3.13. Терморезисторы
- •3.14. Правила монтажа и эксплуатации полупроводниковых приборов
- •4.1. Ионные цифровые и знаковые индикаторы
- •4.2. Полупроводниковые индикаторы
- •4.3. Жидкокристаллические индикаторы
- •Глава 5 ВЫПРЯМИТЕЛИ И СГЛАЖИВАЮЩИЕ ФИЛЬТРЫ
- •5.1. Общие сведения о выпрямителях
- •5.2. Однофазные схемы выпрямления
- •5.3. Трёхфазные схемы выпрямления
- •5.4. Условно-многофазные вентильные схемы выпрямления
- •5.5. Управляемые выпрямители
- •5.6. Сглаживающие фильтры
- •5.7. Коммутация в выпрямителях
- •Глава 6 ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И ИНВЕРТОРЫ
- •6.1. Общие сведения о преобразователях
- •6.2. Зависимые инверторы
- •6.3. Реверсивные преобразователи
- •Глава 7 ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •7.1. Общие сведения об усилителях
- •7.2. Режимы работы усилительных элементов
- •7.3. Обратные связи в усилителях
- •7.4. Каскады предварительного усиления
- •7.5. Выходные каскады
- •7.6. Многокаскадные усилители
- •7.7. Операционные усилители
- •7.8. Общие сведения об автогенераторах
- •7.9. Связанные контуры
- •7.10. Автогенераторы типа LC
- •7.11. Трёхточечные автогенераторы
- •7.13. Стабилизация частоты генераторов
- •Глава 8 МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
- •8.1. Общие сведения об интегральных микросхемах
- •8.2. Классификация и маркировка интегральных микросхем
- •8.3. Область применения аналоговых ИМС
- •8.4. Область применения цифровых ИМС
- •8.5. Система обозначений интегральных микросхем
- •Глава 9 ОСНОВЫ ИМПУЛЬСНОЙ ТЕХНИКИ
- •9.1. Электрические импульсы и их параметры
- •9.2. Цепи формирования импульсов и ограничители
- •9.3. Работа транзисторов в ключевом режиме
- •9.4. Общие сведения об импульсных генераторах
- •9.5. Работа транзистора в импульсном режиме
- •9.6. Мультивибраторы
- •9.7. Мультивибраторы в интегральном исполнении
- •9.8. Триггеры
- •9.9. Блокинг-генераторы
- •9.10. Импульсные усилители
- •Глава 10 ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
- •10.1. Общие сведения о логических элементах
- •10.2. Основные логические элементы и функции
- •10.3. Комбинированные логические элементы
- •10.4. Логические элементы в интегральном исполнении
- •10.5. Триггеры на логических элементах
- •10.6. Счётчики
- •Глава 11 ДАТЧИКИ И РЕЛЕ
- •11.1. Датчики
- •11.2. Реле
- •Глава 12 ЗАЩИТА ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
- •12.1. Бесконтактные защиты тиристорных устройств
- •12.2. Защита от перенапряжений
- •12.4. Стабилизаторы напряжения и тока
- •Список литературы
- •СОДЕРЖАНИЕ

7.5. Выходные каскады
Двухтактные усилительные каскады мощности
Однотактныекаскадыусилениямощностиобладаютсущественными недостатками:
—небольшой КПД каскада;
—относительно большие нелинейные искажения, создаваемые усилительным прибором и постоянными токами подмагничивания магнитопровода выходного трансформатора;
—относительно большие частотные искажения.
В тех случаях, когда однотактный каскад усиления мощности неприменим из-за указанных выше недостатков и мощности, применяют двухтактный каскад усиления мощности.
Схемадвухтактногоусилительногокаскадамощностистрансформаторнымвходомивыходом, работающеговрежимеклассаВ, изображенанарис. 7.17. Вданнойсхемевлюбоймоментвремениможет быть открыт только один из двух транзисторов. Для облегчения понимания принципа работы схема усилителя показана в двух со-
Рис. 7.17. Протекание токов в двухтактном усилителе при открытых транзисторах VT1 (а) и VT2 (б)
150

стояниях, при этом открытый транзистор заштрихован, закрытый |
транзистор — светлый. |
При отсутствии на входе сигналов от генератора сигналов G |
(рис. 7.17, а) транзисторы VT1 и VT2 закрыты, потому, что на их |
эмиттерно-базовыхпереходахнетразностипотенциалов— наэмит- |
теры прямо, а на базы через половины вторичной обмотки транс- |
форматора Т1 поступает +UK от источника ЕК. Через VT1 и VT2 |
протекаютнезначительныетепловыеколлекторныетокипокояIK01 |
и IK02. Эти токи (рис. 7.18) представлены на двух динамических |
выходных характеристиках VT1 и VT2, смещенных на 180° по от- |
Рис. 7.18. Выходная характеристика двухтактного усилительного каскада |
мощности, работающего в режиме класса В |
151 |

ношению друг к другу, ось абсцисс UК (UК1 и UК2) является общей. Рабочие точки 01 и 02 отмечены при IБ = 0.
Еслинавходусилителяподатьсигналснапряжениемтокаотточки 2 к точке 1 в первичной обмотке Т1 (рис. 7.17, а), то в его вторичной обмотке наводится ЭДС, положительный потенциал которой приложенкбазеVT2, аотрицательный— кбазеVT1; VT2 закроется еще сильнее, так как к его эмиттерно-базовому переходу приложено обратное напряжение, поступающее от нижней полуобмотки трансформатора Т1 (зажим 4 — точка 01). Транзистор VT1 откроется, потому что на его эмиттерно базовый переход приложено прямое напряжениеотверхнейполуобмоткиТ1 (зажим3 — точка01). Поцепи +ЕК — 0 — VT1 — 5 — 02 — (–ЕК) потечет переменный коллекторныйтокIK1 с+амплитудой IК+ max (рис. 7.17). Напряжениеколлекторной цепи UКmax транзистора VT1 повторяет по форме ток IК1 и совпадает с положительным направлением оси UК1.
Когда полярность напряжения входного сигнала изменится на противоположную (см. рис. 7.17, б) и в первичной обмотке Т1 будет протекать ток от точки 1 к точке 2, со вторичной обмотки Т1 поступитпрямоенапряжение наэмиттерно-базовыйпереходтран- зистора VT2 и обратное напряжение на такой же переход транзистора VT1 закроется транзистор VT1 и откроется — VT2. По цепи +ЕК—VT2—6—02—(–EК) потечетпеременныйколлекторныйтокIК2 с амплитудой IКmax (рис. 7.18), которому соответствует напряжение с амплитудой, совпадающее по напряжению с осью UК2. Таким образом, в зависимости от полярности входного сигнала открываются поочередно соответствующие транзисторы и поочередно по обоим плечам первичной полуобмотки трансформатора Т2 протекают коллекторные токи с амплитудами IКmax.
Во вторичной обмотке Т2 наводится ЭДС, к зажимам 7, 8 которой подключена нагрузка Rн.
Главное значение выходных каскадов — получение максимальной полезной мощности сигнала. Для этого рабочий участок динамической характеристики должен иметь максимальную длину (см. рис. 7.18), т.е. транзистор должен полностью использоваться как по току, такипонапряжению. Чтобывыполнитьэтотребование, рабочую точку в режиме класса В обычно выбирают на динамической характеристике в области малых значений токов коллектора (в нашемслучаеточки01 и02 стокамиIК01 иIК02). Этотакжеобеспечивает наименьшее потребление мощности от источника питания.
152

При максимальном использовании транзистора в режиме класса В (см. рис. 7.18) амплитуда переменной составляющей тока
IК+ max = IКmax − IК0 , а амплитуда напряжения UКmax ≈ UК. В действительности пиковое значение напряжения на коллекторе зак-
рытого транзистора при наличии выходного трансформатора может превышать в два раза величину напряжения UК. Это объясняетсятем, чтотокоткрытоготранзистора, напримерIК1 транзистора VT1 (см. рис. 7.17, а), протекая по своей половине обмотки трансформатора Т2, наводит ЭДС и во второй половине обмотки этого трансформатора. Эта ЭДС и напряжение источника питания действуют согласно и их сумма прикладывается к коллектору закрытого транзистора. В этом случае величину напряжения источника
питанияследуетвыбиратьизусловияU ≤UКдоп/2, гдеUКдоп — максимально допустимое напряжение на коллекторе транзистора.
КромебольшойвыходноймощностиивысокогоКПДдвухтактные усилители обладают следующими важными качествами: компенсируютчетныегармоникиусиливаемоготокаигармоникипульсирующего напряжения источника питания.
Указанные гармоники, проходя по плечам первичной обмотки трансформатора Т2, создают (по отношению к точке 02 на рис. 7.17) равные по величине и противоположные по направлению магнитные потоки, которые компенсируют друг друга. В результате от четных гармоник и снижается уровень фона на его выходе от пульсации питающего напряжения.
Схема бестрансформаторного двухтактного усилителя мощно-
сти, собранная на двух разнотипных транзисторах, один из которых типа p-n-p, а другой n-p-n, приведена на рис. 7.19, а. Эти транзисторы соединены последовательно друг с другом по постоянному току, а их входы соединены параллельно по напряжению входного сигнала.
При отсутствии входного сигнала на входе и полной симметрии транзисторов VT1 и VT2 их постоянные коллекторные токи IК01 и IК02 одинаковы по значению и каждый транзистор является для другого коллекторной нагрузкой по постоянному току.
При подаче на вход переменного сигнала (рис. 7.19, б) через нагрузку Rн, включенную через разделительный конденсатор СрЗ, потечет переменный ток iн (рис. 7.19, д), равный разности коллекторных токов (рис. 7.19, в, г) транзисторов VT1 и VT2 (iн = iК1 – iК2).
153

Рис. 7.19. Схема бестрансформаторного двухтактного усилителя мощности |
(а), изменения напряжения на входе (б), токов коллекторов транзисторов |
VT1 (в), VT2 (г) и тока в нагрузке (д) |
Это обусловлено тем, чтоприположительном входномнапряжении |
Uвх (рис. 7.19, а, б) уVT1 токколлектораiК1 возрастает(рис. 7.19, в), а |
у VT2 настолько же уменьшается ток коллектора iК2 (рис. 7.19, г). |
При изменении полярности входного сигнала уменьшается ток iК1 |
и возрастает ток iК2. Так как транзисторы VT1 и VT2 соединены |
последовательно—встречно, то уменьшение коллекторного тока |
закрывающегося транзистора на такую же величину образуют на |
нагрузку амплитуду тока IКmax, которая изображена на рис. 7.19, д. |
Дляоткрывающегосятранзисторазакрывающийсятранзисторпред- |
ставляетколлекторноесопротивление, скоторогоснимаетсявыход- |
ное переменное напряжение (мощность) и через конденсатор СрЗ |
передается на резистор нагрузки Rн. |
Амплитуда переменной составляющей тока при симметрии схе- |
мы будет равна удвоенной амплитуде коллекторного тока каждого |
154 |