
- •ВВЕДЕНИЕ
- •1.1. Свойства электрона
- •1.2. Виды электронной эмиссии
- •Глава 2 ИОННЫЕ ПРИБОРЫ
- •2.1. Вольт-амперная характеристика газового разряда
- •2.2. Стабилитроны
- •2.3. Неоновые лампы
- •2.4. Тиратроны
- •2.5. Разрядники
- •Глава 3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
- •3.1. p-n переход и его свойства
- •3.2. Общие сведения о полупроводниковых диодах
- •3.3. Выпрямительные диоды
- •3.4. Опорные диоды
- •3.5. Варикапы
- •3.6. Туннельные диоды
- •3.7. Биполярные транзисторы
- •3.8. Полевые транзисторы
- •3.9. Составные транзисторы
- •3.10. Нагрузочный режим работы транзистора
- •3.11. Тиристоры
- •3.12. Полупроводниковые фотоприборы
- •3.13. Терморезисторы
- •3.14. Правила монтажа и эксплуатации полупроводниковых приборов
- •4.1. Ионные цифровые и знаковые индикаторы
- •4.2. Полупроводниковые индикаторы
- •4.3. Жидкокристаллические индикаторы
- •Глава 5 ВЫПРЯМИТЕЛИ И СГЛАЖИВАЮЩИЕ ФИЛЬТРЫ
- •5.1. Общие сведения о выпрямителях
- •5.2. Однофазные схемы выпрямления
- •5.3. Трёхфазные схемы выпрямления
- •5.4. Условно-многофазные вентильные схемы выпрямления
- •5.5. Управляемые выпрямители
- •5.6. Сглаживающие фильтры
- •5.7. Коммутация в выпрямителях
- •Глава 6 ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И ИНВЕРТОРЫ
- •6.1. Общие сведения о преобразователях
- •6.2. Зависимые инверторы
- •6.3. Реверсивные преобразователи
- •Глава 7 ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •7.1. Общие сведения об усилителях
- •7.2. Режимы работы усилительных элементов
- •7.3. Обратные связи в усилителях
- •7.4. Каскады предварительного усиления
- •7.5. Выходные каскады
- •7.6. Многокаскадные усилители
- •7.7. Операционные усилители
- •7.8. Общие сведения об автогенераторах
- •7.9. Связанные контуры
- •7.10. Автогенераторы типа LC
- •7.11. Трёхточечные автогенераторы
- •7.13. Стабилизация частоты генераторов
- •Глава 8 МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
- •8.1. Общие сведения об интегральных микросхемах
- •8.2. Классификация и маркировка интегральных микросхем
- •8.3. Область применения аналоговых ИМС
- •8.4. Область применения цифровых ИМС
- •8.5. Система обозначений интегральных микросхем
- •Глава 9 ОСНОВЫ ИМПУЛЬСНОЙ ТЕХНИКИ
- •9.1. Электрические импульсы и их параметры
- •9.2. Цепи формирования импульсов и ограничители
- •9.3. Работа транзисторов в ключевом режиме
- •9.4. Общие сведения об импульсных генераторах
- •9.5. Работа транзистора в импульсном режиме
- •9.6. Мультивибраторы
- •9.7. Мультивибраторы в интегральном исполнении
- •9.8. Триггеры
- •9.9. Блокинг-генераторы
- •9.10. Импульсные усилители
- •Глава 10 ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
- •10.1. Общие сведения о логических элементах
- •10.2. Основные логические элементы и функции
- •10.3. Комбинированные логические элементы
- •10.4. Логические элементы в интегральном исполнении
- •10.5. Триггеры на логических элементах
- •10.6. Счётчики
- •Глава 11 ДАТЧИКИ И РЕЛЕ
- •11.1. Датчики
- •11.2. Реле
- •Глава 12 ЗАЩИТА ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
- •12.1. Бесконтактные защиты тиристорных устройств
- •12.2. Защита от перенапряжений
- •12.4. Стабилизаторы напряжения и тока
- •Список литературы
- •СОДЕРЖАНИЕ

Практически на всех частотах существует воздействие выходных |
|
|
цепей на входные цепи через междуэлектродные сопротивления. |
|
|
Для уменьшения этого воздействия в схемах транзисторных уси- |
|
|
лителей предусматривают меры, повышающие устойчивость их ра- |
|
|
боты. Велика зависимость параметров транзисторов от температу- |
|
|
ры. Это вынуждает принимать специальные меры для стабилизации |
|
|
режима работы усилительных каскадов, что усложняет их схемы. |
|
|
7.3. Обратные связи в усилителях |
|
|
Под обратной связью (ОС) понимают передачу части напряже- |
|
|
нияилитокасвыходаусилителянаеговход. ОСможетбытьполез- |
|
|
ной, еслионасоздаётся искусственно ислужитдляулучшения каче- |
|
|
ства усилителя, и паразитной, если возникает из-за самопроизволь- |
|
|
ного влияния выходной цепи на его входные цепи. Структурная |
|
|
схема усилителя с ОС на рис. 7.5. Усилитель с коэффициентом уси- |
|
|
ления К и звено ОС с коэффициентом передачи ОС β показаны в |
|
|
|
виде четырёхполюсников. |
|
|
Коэффициент передачи об- |
|
|
ратной связи β показывает, |
|
|
какую часть от выходного |
|
|
напряжения Uвых составляет |
|
|
напряжение обратной связи |
|
|
Uос, передаваемое на вход |
|
|
усилителя. Обычно β < 1, по- |
|
|
этому Uос = = βUвых. Схемы |
|
Рис. 7.5. Обратная связь в усилителях |
обратной связи бывают пос- |
|
(структурная схема) |
ледовательными, когда на- |
F |
|
пряжение ОС подаётся на |
|
|
|
|
вход усилителя последовательно с входным сигналом (рис. 7.5), и |
|
|
параллельными, когда напряжение ОС подаётся на вход усилителя |
|
|
параллельно входному сигналу (рис. 7.6). Обратная связь может |
|
|
быть положительной (ПОС) и отрицательной (ООС): при ПОС |
|
|
напряжение UОС совпадает по фазе с входным напряжением Uвх, в |
|
|
результате чего к входной цепи прикладывается напряжение |
|
|
U′вх=Uвх+ UОС; приООСнапряжениеUОС находитсявпротивофа- |
|
|
зе с входным напряжением Uвх. В результате к входной цепи при- |
|
|
кладывается напряжение U′вх = Uвх – UОС. В зависимости от спосо- |
|
|
|
136 |
|

ба подключения звена ОС к |
|
|
||
выходу усилителя различают |
|
|
||
ОСпонапряжениюипотоку. |
|
|
||
В схемах усилителей с ОС по |
|
|
||
напряжению |
напряжение |
|
|
|
UОС, передаваемое на вход |
|
|
||
усилителя с его выхода, про- |
|
|
||
порциональновыходномуна- |
Рис. 7.6. Обратная связь, параллельная |
|||
пряжению U |
(рис. 7.7), а в |
|||
вых |
|
|
по напряжению |
|
схемах усилителей с ОС по |
|
|||
|
|
|||
току — пропорционально |
|
|
||
токунагрузкиIннавыходеус- |
|
|
||
тройства (рис. 7.8). |
|
|
|
|
Если напряжение ОС со- |
|
|
||
стоит из двух составляю- |
|
|
||
щих, одна из которых про- |
|
|
||
порциональна входному на- |
|
|
||
пряжению, а другая — току, |
|
|
||
тополучаетсясмешаннаяОС. |
|
|
||
Коэффициент усилителя, |
Рис. 7.7. Обратная связь, последова- |
|||
охваченногоцепьюОС, пред- |
тельная по напряжению |
|
||
ставляетсобойотношениевы- |
|
|||
|
|
|||
ходногоUвых напряженияквходномуUвх, подаваемомуотисточника |
||||
сигнала. |
|
|
|
|
КОС = Uвых /Uвх = Uвых/(U′вх − (±βUвых)). |
7.21 |
|||
После преобразований |
|
|
|
|
|
|
|
K |
|
|
|
КОС= 1 −(±βK ), |
7.22 |
|
где K = Uвых /Uвх. |
|
|
|
|
Произведение ±βK есть |
|
|
|
|
факторОС, знакегонесо- |
|
|
|
|
впадает со знаком самой |
|
|
|
|
обратнойсвязи. ПриПОС |
|
|
|
|
коэффициент усиления |
|
|
|
|
возрастает, а при ООС — |
|
|
|
|
уменьшается. Однако про- |
Рис. 7.8. Обратная связь последовательная |
|||
игрыш в усилении при |
|
по току |
|
|
|
|
|
|
137 |

ООС компенсируется значительным качественным выигрышем — |
|
уменьшаются частотные и нелинейные искажения и влияние вся- |
|
кого рода помех, поступающих на вход усилителя, так как на- |
|
пряжение ОС находится в противофазе с ними. |
|
7.4. Каскады предварительного усиления |
|
Эмиттерный повторитель |
|
Эмиттерный повторитель — это усиленный каскад, у которого |
|
нагрузка включена в цепь эмиттера (рис. 7.9). Исходное состояние |
|
транзистора — открыт или закрыт — зависит от функции, выполня- |
|
емой эмиттерным повторителем в схеме какого-либо устройства. |
|
На рис. 7.9, а в исходном состоянии транзистор VT эмиттерного |
|
повторителя открыт отрицательным напряжением смещения, пода- |
|
ваемымнабазутранзистораот— ЕК черезрезисторRсм. Дляоткры- |
|
того состояния транзистора характерно малое сопротивление пере- |
|
хода эмиттер-база, падение напряжения на котором незначительно |
|
(0,2—0,3 В), поэтомунапряжениенаэмиттере(навыходе) равнопри- |
|
мерно напряжению на базе, т.е на входе схемы. Когда на вход посту- |
|
паетуправляющийимпульсположительнойполярности, транзистор |
|
закрывается и потенциал эмиттера (выхода) становится нулевым |
|
(+ЕК), т.е. повышается. Для эмиттерного повторителя характерно, |
|
чтополярность выходного импульса совпадает сполярностью вход- |
|
ногоимпульса. Коэффициентусиленияпонапряжениюэмиттерного |
|
повторителя равен kU = Uвых /Uвх ≈ 1, так как Uвых ≈ Uвх; коэффици- |
|
|
ент усиления по току k1 |
|
= IЭ / IБ = β + 1. Так как |
|
ток эмиттера во много |
|
раз больше тока базы, |
|
эмиттерный повтори- |
|
тель представляет собой |
|
усилитель тока. |
|
В схеме на рис. 7.9, б |
Рис. 7.9. Схема эмиттерного повторителя: |
в исходном состоянии |
а— савтоматическимсмещением; б— сфик- |
транзистор VT закрыт |
сированным смещением) |
напряжением положи- |
|
|
|
138 |

тельногосмещения+Ucм, подаваемымчерезRсмнаегобазу. Дляпере- |
ключениятранзисторавоткрытоесостояниенаегобазуподаютотри- |
цательныйуправляющийимпульсинаеговыходе, какинавходе, об- |
разуетсяотрицательныйимпульс. Положительноенапряжениесмеще- |
ния обычно выбирают небольшой величины, чтобы оно было |
достаточно только для ограничения входного импульса по миниму- |
му. Эмиттерныйповторительвотличиеотинвертора-усилителянетре- |
буетзащитыотнулевоготокаколлектораIК0. ТокIК0 обычносоздает |
насопротивлениивцепибазынебольшоепадениенапряжения, состав- |
ляющее несколько вольт, и в инверторах такое значение напряжения |
можетоказатьсядостаточным, чтобыполностьюоткрытьтранзистор. |
В эмиттерном повторителе такое изменение напряжения на входе не |
приведет к значительному изменению напряжения на выходе, так как |
kU ≈ 1; оно будет равноценно помехе, значение напряжения которой |
навыходеоченьмалопосравнениюснапряжениемполезногосигнала. |
Резисторные усилители напряжения на транзисторах |
с фиксированным током базы |
Схема усилителя напряжения с фиксированным током базы |
(рис. 7.10, а) — простейшая из схем с питанием от одного источни- |
канапряжения ЕК. Приотсутствии сигнала навходечерез эмиттер- |
но-базовую цепь протекает ток IБ0. Силу тока покоя IБ0 выбирают |
всерединединамическойвыходнойхарактеристики(точкаАна рис. |
7.10, б), чтобы обеспечить усиление входного сигнала с наимень- |
Рис. 7.10. Схема резистивного усилителя напряжения с фиксированным |
током базы (а), его выходные характеристики (б) |
139 |

шими искажениями. Для обеспечения выбранной силы тока покоя необходимо определенное значение сопротивления RБ вцепи базы. При известных значениях напряжения источника питания ЕК и напряжение на эмиттерно-базовом переходе UБЭ (рис. 7.10, а) сопро-
тивление RБ = (ЕК – UБЭ)/IБ0.
Таккакнапряжениемеждуэмиттеромибазойоченьмало, порядка
0,1…0,2 В, аЕК = 5…30 В, тоUБЭ ЕК и приближено RК ЕК/IБ0.
Базовыйтокобразуетсянезначительной частьюносителейтока,
поступающих из эмиттера в базу. Большая их часть втягивается в коллектор, образуя ток покоя IК0. Ток коллекторной цепи состоянии покоя IК0 при напряжении на эмиттерном и коллекторном переходахUКЭ и коллекторном резисторе RК определяется по форму-
ле IК0 = (ЕК – UКЭ)/RК.
Обычно UКЭ = ЕК/2. Тогда IК0 ≈ ЕК/(2RК).
На схеме на рис. 7.10, а, и последующих схемах приведены токи и напряжения для режима усиления; токи покоя протекают по тем же цепям.
ПриподаченабазунапряжениявходногосигналаUвх (рис. 7.10, а) изменяетсяпотенциалбазыотносительнозаземленногоэмиттера. Это приводиткизменениютокабазы, следовательно, итокаколлектораи напряжениянарезистореRК. Наэтомсопротивлении, кромепостояннойсоставляющей, образуетсяпеременнаясоставляющаянапряжения. Через конденсатор Ср2 она поступает на резистор нагрузки Rн. КонденсаторнавходеСр1 ставитсядляпредотвращенияпопаданиянабазу постоянногонапряжения, еслидатчиксигналовкромепеременнойсоставляющей имеет также постоянную составляющую. Емкость конденсатора зависит от диапазона усиливаемых частот.
Рассматриваемая схема получила название схемы с фиксированным базовым током, поскольку ток покоя базы определяется в основном напряжением источника питания ЕК и сопротивлением базы RБ и мало зависит от параметров транзистора. Эта схема может применяться в тех случаях, когда усилитель работает при незначительных колебаниях температуры окружающей среды. При возможном повышении температуры окружающей среды неуправляемый тепловой ток I*К0 транзистора в схеме с ОЭ быстро увеличивается (при повышении температуры на 100 ток I*К0 примерно удваивается), что приводит к возрастанию коллекторного тока. Кроме того, выпускаемые транзисторы имеют большой разброс коэффициента усиления по току (β).
140

Влияниетемпературыокружающейсредынаработуданнойсхемы показано на рис. 7.10, б. Пунктирными линиями изображены выходныехарактеристикитранзисторовотповышениятемпературы, изкоторыхвидно, чтоеслитокпокоябазыизменяетсясIБ0 доI'Б0, тосоответственно рабочая точка перемещается из А в А', в результате чего коллекторный ток покоя становится равным I'К0. В рабочей точке А' усиление сигнала будет сопровождаться большими нелинейными искажениями. Такимобразом, приповышениитемпературыилипризамене транзистора выбранная рабочая точка может смениться, что, в своюочередь, можетпривестикзаметномуизменениюкоэффициента усиления и появлению не допустимых нелинейных искажений.
Качественныйпоказательработыусилителя— коэффициентстабильности sст — представляет собой отношение приращения коллекторного тока IК к приращению неуправляемого теплового тока
коллектора ∆I'К т.е., sст = ∆IК/∆I'К.
Ток коллектора IК0 включает в себя и неуправляемый тепловой ток I*К0, поэтому чем большую долю в токе коллектора имеет составляющая I*К0, являющаяся переменной величиной по характеру своего образования, тем большим изменениям подвержен полный ток коллектора IК рабочего режима. Следовательно, для повыше ния стабильности желательно работать при больших значениях тока IК0, когда доля тока I*К0 в нем мала. Чем выше стабильность схемы, тем меньше коэффициент sст. В идеальном случае sст = 1. В реальных схемах с одним источником питания всегда sст > 1. Приемлемы пределы для коэффициента стабильности sст = 2…7.
Резисторные усилители с отрицательной обратной связью
Схемастабильногоусилителясотрицательнойобратнойсвязью по напряжению приведена на рис. 7.11. Резистор RБ, определяющей ток покоя базы, включен между базой и коллектором транзистора. Стабилизация тока покоя выбранной рабочей точки на динамическойвыходнойхарактеристикеосуществляетсяследующимобразом. При увеличении теплового тока , вызванном повышением температуры, увеличивается ток покоя коллектора IК0 и падение напряжения URК от этого тока на резистореRК, чтоприводиткснижению напряжения на коллекторе UКЭ так как UКЭ = ЕК – URК, в результате этого уменьшается ток покоя базы IБ0. Уменьшение тока
141

|
базы приводит к значительно |
|||||||||||
|
меньшему перемещению рабочей |
|||||||||||
|
точки ( значительно ниже точки |
|||||||||||
|
А', показанной на рис. 7.10, б). За- |
|||||||||||
|
висимость между током IБ0 |
и ре- |
||||||||||
|
зистором RБ |
базы находится из |
||||||||||
|
следующегоуравнения(рис. 7.11): |
|||||||||||
|
UКЭ |
= UБЭ + URБ= = UБЭ |
+ IБ0RБ, |
|||||||||
|
откуданеобходимаявеличинаRБ |
|||||||||||
Рис. 7.11. Схема стабильного уси- |
привыбранномтокеIБ0 будетRБ= |
|||||||||||
= (U |
КЭ |
– U |
БЭ |
) /I |
Б0 |
≈ U |
КЭ |
/I |
Б0 |
(так |
||
лителя с отрицательной обратной |
|
|
|
|
|
|
||||||
связью по напряжению |
как UБЭ << UКЭ). |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
Анализ формулы показывает, |
|||||||||||
что уменьшение напряжения на коллекторе UКЭ, вызванное увеличе- |
||||||||||||
ниемтокапокояколлектораипадениемнапряженияURК нарезисто- |
||||||||||||
ре RК, приводит к уменьшению тока отрицательного смещения эмит- |
||||||||||||
терного перехода, т.е. к снижению поступления основных носителей |
||||||||||||
тока из эмиттера в базу и уменьшению токов базы и коллектора. |
|
|||||||||||
Рассмотренная на рис. 7.11 схема усилителя отличается от уси- |
||||||||||||
лителя, изображенного нарис. 7.10, а, наличиемотрицательной об- |
||||||||||||
ратной связи по напряжению, так как выходное напряжение через |
||||||||||||
сопротивление обратной связи RБ вводится во входную цепь. |
|
|
||||||||||
Схемастабильногоусилителясотрицательнойобратнойсвязью |
||||||||||||
по постоянному току и делителем напряжения приведена на рис. |
||||||||||||
7.12. В этой схеме в цепи эмиттера включен стабилизирующий ре- |
||||||||||||
|
зисторRЭ, падениенапряжения |
|||||||||||
|
UЭ на котором, пропорцио- |
|||||||||||
|
нальноетокуэмиттераIЭ, явля- |
|||||||||||
|
ется обратным для перехода |
|||||||||||
|
эмиттер — база (полярность |
|||||||||||
|
URЭ |
показананарезистореRЭ). |
||||||||||
|
Это означает, что в схеме суще- |
|||||||||||
|
ствуетотрицательнаяобратная |
|||||||||||
|
связь по току, которая автома- |
|||||||||||
|
тически стабилизирует режим |
|||||||||||
Рис. 7.12. Схема стабильного усили- |
работы усилителя при измене- |
|||||||||||
ниях параметров транзистора. |
||||||||||||
теля с делителем напряжения |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
142 |

Предположим, чтопокакой-либопричинеколлекторныйтокIК0 увеличится. Но так как IЭ0 = IК0+ IБ0, то возрастание тока IК0 приведет к увеличению тока эмиттера Iэ0, а следовательно, и к увеличению падения напряжения URЭ на резисторе RЭ. Увеличение URЭ, являющегося обратным по отношению к переходу эмиттер-база, приведет к уменьшению напряжения на эмиттерно-базовом переходе UБЭ и тока базы IБ0, что вызовет уменьшение коллекторного токаIК0. Наоборот, еслипокакой-либопричинеколлекторныйток уменьшается, то уменьшается падение напряжения URЭ на резисторе RЭ, что приведет к увеличению напряжения на эмиттерно-ба- зовом переходе UБЭ. При этом увеличивается ток базы, а следовательно, и ток коллектора. Чтобы не вводить обратную связь по переменному току и не снижать коэффициент усиления каскада, резистор RЭ шунтируют конденсатором СЭ достаточно большой емкости (десятки микрофарад).
Резисторы R1 и R2 составляют делитель напряжения, и ток делителя Iд создает на них падения напряжения U1 = IдR1 и U2 = IдR2, представляющие собой источники питания для цепей эмиттера и коллектора (полярность напряжений указана на резисторах R1 и R2). Сопротивление резисторов R1 и R2 подбирают так, чтобы ток делителя Iд был больше тока, нормально потребляемого в цепях транзистора. При таком токе делителя повышается стабильность режима работы схемы, так как в этом случае изменения тока в цепях эмиттера и коллектора в процессе работы транзистора незначительно влияют на величину питающих напряжений. Вместе с тем, ток делителя нельзя выбирать слишком большим (а резисторы R1 и R2 — небольшими), так как это ведет к увеличению мощности, потребляемой делителем напряжения от источника питания. Кроме того, резистор R2 шунтирует входное сопротивление усилителя, что уменьшает входной и выходной токи усилителя. Удовлетворительный результат дает компромиссное решение, при котором обеспечивается соответствующая стабилизация и коэффициент усиления. Резисторы R1 и R2
— порядка единиц и десятков килоом. Ток делится (2…5)IБ0, где IБ0 — ток базы в заданной рабочей точке на динамической выходной характеристике.
Упрощенносопротивлениеможнорассчитатьтак: резисторвыбрать по известному току эмиттера IЭ0 = IК0 + IБ0 и допустимому (или выбранному) падению напряжения на сопротивлении RЭ, ко-
143

торое составляет примерно 0,2ЕК. Сопротивление резисторов R1 и |
||||||
R2 находят по следующим выражениям: |
|
|
||||
R |
= EК − IЭ0 RЭ −UБЭ ; R |
2 |
= IЭ0 R0 +UБЭ. |
7.23 |
||
1 |
IБ0 + Iд |
|
Iд |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Здесь рассмотрены схемы усилителей напряжения на резисторах |
||||||
с использованием транзисторов типа p-n-p, однако в устройствах |
||||||
защиты, автоматики и телемеханики нередко применяют усилите- |
||||||
ли на транзисторах типа n-p-n. |
|
|
|
|
|
|
Отличие усилителя на транзисторе типа n-p-n состоит в том, что |
||||||
коллектор присоединен к + ЕК, а эмиттер к – ЕК. Ток коллектора IК |
||||||
будет иметь наибольшее значение, когда от датчика сигналов на |
||||||
базу будет подаваться положительный потенциал относительно |
||||||
эмиттера. В этом случае возрастает потенциал базы относительно |
||||||
эмиттераибольшееколичествоэлектроновинжектируетсяизэмит- |
||||||
тера в базу и соответственно большее количество электронов по- |
||||||
ступает избазывколлектор поддействием +ЕК. Врезультате полу- |
||||||
чаем увеличение тока коллектора и выходного напряжения. При |
||||||
подаче отрицательного сигнала на вход усилителя понижается по- |
||||||
тенциал базы относительно эмиттера, уменьшается инжекция элек- |
||||||
тронов из эмиттера в базу и поступление их в коллектор, что при- |
||||||
водиткуменьшениюколлекторноготокаивыходногонапряжения. |
||||||
Резисторные усилители на полевых транзисторах |
|
|||||
Полевойтранзисторможновключитьвусилительнуюсхемутре- |
||||||
мя способами: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и об- |
||||||
щим затвором (ОЗ). Наибольшее применение на практике получи- |
||||||
|
|
ла схема с ОИ, аналогичная би- |
||||
|
|
полярному |
транзисторному |
|||
|
|
варианту с общим эмиттером. |
||||
|
|
|
|
Схемаусилительногокаскада |
||
|
|
на полевом транзисторе с затво- |
||||
|
|
ром в виде p-n перехода и p ка- |
||||
|
|
налом изображена на рис. 7.13. |
||||
|
|
В ней использован один источ- |
||||
Рис. 7.13. Усилительный каскад на |
ник питания ЕС для стока и зат- |
|||||
вора. Начальный режим работы |
||||||
полевом транзисторе с ОИ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
144 |

полевого транзистора обеспечивается силой тока стока IОС и соответствующим ему постоянным напряжением на стоке UОС.
В состоянии покоя ток IОС в выходной (стоковой) цепи определяется значением напряжения источника питания ЕС и начального отрицательного напряжения смещения на затворе UОЗ. В свою очередь, напряжение UОЗ создается за счет того же самого тока IОС, протекающего через резистор в цепи истока RИ, т.е. UОЗ = IОСRИ, которое через резистор RЗ прикладывается к затвору отрицательной полярностью. Изменением величины сопротивления резистора RИ можно изменять значение напряжения на затворе UОЗ и силу тока стока IОС, устанавливая требуемое значение.
Резистор RИ выполняет две функции:
онавтоматическиобеспечиваетподачунапряжениясмещенияна затвор;
обеспечивает термостабилизацию режима работы усилителя по постоянному току, стабилизируя величину IОС, аналогично RЭ биполярного транзистора на рис. 7.12.
Чтобы на этом резисторе не выделялось напряжение за счет переменной составляющей тока стока IС (что привело бы к наличию отрицательнойобратнойсвязипосигналу), егошунтируютконденсатором СИ, емкость которого должна удовлетворять условию СИ >> 1/ (ωRИ), где ω — частота усиливаемого сигнала. Резистор RЗ, включенный параллельно входному сопротивлению усилителя (транзистора VT), которое очень велико, должен иметь соизмеримую с ним величину. Если сопротивление резистора RЗ будет значительно меньше входного сопротивления транзистора, то оно будет шунтировать входной сигнал.
Динамический режим усилителя выглядит следующим образом. Переменное напряжение входного сигнала Uвх через разделительный конденсатор Ср1 поступает на затвор. При отрицательной полуволне входного напряжения расширяется p-n переход, уменьшается сечение и увеличивается сопротивление p канала, уменьшается ток стока и падение напряжения на резисторе RС. При положительнойполуволневходногонапряженияуменьшаетсяобратноенапряжение на p-n переходе; p-n переход сужается, увеличивается сечение и уменьшается сопротивление n канала, увеличивается ток стокаипадениенапряжениянарезистореRС. Такимобразом, изменение по величине и знаку входного напряжения сигнала вызывает изменениетокастокаIС ипадениенапряжениянарезисторе RС. Как
145

и в усилителе на биполярном транзисторе, падение напряжения на |
|
резисторе RС имеет постоянную и переменную составляющие. Па- |
|
дение напряжения на резисторе RС от переменной составляющей |
|
представляет выходное напряжение Uвых, которое конденсатором |
|
Ср2 отводится на резистор нагрузки Rн. |
|
Трансформаторные усилительные каскады |
|
Отличие трансформаторного усилителя (рис. 7.14) от усилителя |
|
на резисторах (рис. 7.12) в том, что в коллекторную цепь транзисто- |
|
ра вместо резистора включена первичная обмотка трансформато- |
|
ра Т. Коллекторный ток IК, состоящий из постоянной и перемен- |
|
нойсоставляющей, протекаетпопервичнойобмоткеI исоздаетдва |
|
магнитныхпотокавсердечникетрансформатора: постоянныйипе- |
|
ременный. Во вторичной обмотке трансформатора Т наводится |
|
ЭДСтолькопеременныммагнитнымпотоком; постоянныймагнит- |
|
ный поток, хотя и охватывает вторичную обмотку, но, не изменя- |
|
ясь во времени по величине и знаку, не наводит в ней ЭДС. Через на- |
|
грузкуRн, подключеннуюковторойобмоткетрансформатора, про- |
|
текают токи усиливаемых сигналов. В данном усилителе не надо |
|
ставить разделительного конденсатора, так как трансформатор по |
|
принципу своейработынепропускает вовторуюобмоткупостоян- |
|
нуюсоставляющуюколлекторноготока. Коэффициентусилениятранс- |
|
форматорногоусилителя, какидляусилителянарезисторах, представ- |
|
|
ляетотношениенапряжений |
|
выходного Uвых к входному |
|
Uвх. |
|
Трансформаторныеуси- |
|
лители находят широкое |
|
применение, так как позво- |
|
ляют легко согласовывать |
|
сопротивление выходной |
|
цепи с низкоомным сопро- |
|
тивлением нагрузки, что |
|
достигается подбором ко- |
|
эффициента трансформа- |
Рис. 7.14. Схема трансформаторного уси- |
ции. Оченьважноедостоин- |
ство трансформаторного |
|
лителя |
|
|
146 |

усилителя в том, что он может работать как усилитель напряжения и как усилитель мощности, что достигается применением трансформатора с соответствующим коэффициентом трансформации. Коэффициент усиления по мощности KР представляет отношение выходной Рвых к входной Рвх мощности.
Порядок расчета усилителя мощности
Параметры усилителя мощности определяют по требуемой выходной мощности Рвых на сопротивление нагрузки Rн. Усилитель мощности класса А рассчитывают в такой последовательности:
1. ОпределяютмаксимальнуюдопускаемуюмощностьРКдоп, рассеиваемуюнаколлекторетранзистора, взависимостиотмаксимальной выходной мощности Рвыхmax:
Рвыхmax = ηт РКдоп /2 или РКдоп = 2Рвыхmax/ ηт, |
(7.24) |
где ηт — КПД выходного трансформатора, величина которого составляет 0,5…0,6.
2.ПорасчетномузначениюРКдоп подбираютвсправочныхтаблицах транзистор, обладающий допустимой мощностью, рассеиваемой на коллекторе, равной или превышающей значение РКдоп.
3.По максимально допустимому напряжению на коллекторе
UКдоп выбранного типа транзистора найдем напряжение источника питания
ЕК ≈ UКдоп / 2. |
(7.25) |
4. Определим коллекторный ток покоя: |
|
IК0 = 2РКдоп/ UКдоп. |
(7.26) |
5.В семействе выходных характеристик транзистора (рис. 7.15) построим нагрузочную прямую, проведя ее через точки с коорди-
натамиUК0, IК0 иEК. Нагрузочнаяпрямаядолжнапроходитьниже линии допустимой мощности рассеивания на коллекторе РКдоп и делиться в точке D на два приблизительно равных отрезка DА и DВ. Выполнение этих условий исключает перегрев транзистора и обеспечивает минимальный коэффициент нелинейных искажений.
6.В точках пересечения нагрузочной прямой с крайними статическими характеристиками транзистора определим минимальные
имаксимальные значения тока и напряжения коллектора: IК min, UКЭmin, IКmax, UКЭmax соответственно. Крометого, заметиммакси-
147

Рис. 7.15. Характеристики трансформаторного усилителя мощности: |
||
а — выходные; б — входная |
|
|
мальный ток базы IБmax, при котором ток коллектора достигает |
||
значения Iкmax (в нашем случае при IБ5). |
|
|
7. По площади треугольника АВС определим выходную мощ- |
||
ность каскада при максимальном уровне входного сигнала (пико- |
||
вую мощность) с учетом КПД выходного трансформатора |
|
|
Рвыхmax = ηтIК0UКк0/2, |
(7.27) |
|
где IК0 — амплитуда тока коллектора, соответствующая макси- |
||
мальному уровню входного сигнала. Из рис.7.15, а видно, что |
||
IК0 = IКmax − IКmin |
и UК0 = UКЭmax −UКЭmin , |
(7.28) |
2 |
2 |
|
поэтому |
|
|
Pвых max = ηт(IКmax − IКmin ) (UКЭmax −UКЭmin ) / 8. |
(7.29) |
|
8. По входной характеристике транзистора (рис. 7.15, б) найдем |
||
максимальное напряжение базы UБЭ, представляющие собой раз- |
||
ность напряжений UБЭmax и UБЭmin, найденных соответственно по |
||
току IБmax и току IБmin. Тогда амплитуды переменного тока и на- |
||
пряжения на базе: |
|
|
IБ = (IБmax – IБmin)/2 и UБ = (UБЭmax – UБЭmax)/2. |
(7.30) |
|
9. Входнуюмощностьусилителя, которуюдолженразвиватьпре- |
||
дыдущий усилительный каскад, определяем по площади треуголь- |
||
ника А'В'C': |
|
|
|
|
148 |

P |
= |
UБIБ |
= |
(UБЭmax −UБЭmin )(IБmax − IБmin ) |
. |
(7.31) |
|
|
|||||
вх max |
2 |
8 |
|
|
||
|
|
|
||||
10. Найдем входное сопротивление |
|
|||||
|
Rвх = (UБЭmax −UБЭmin )/ (IБmax − IБmin ) . |
(7.32) |
11.СопротивлениерезисторовRЭ, R1, R2 находим, какидлясхемы, изображенной на рис. 7.12.
12.Определим коэффициент трансформации выходного трансформатора
nт = Rн / (Rн′ηт). |
(7.33) |
где R'н — сопротивление нагрузки (рис. 7.14), приведенное к первич-
ной обмотке трансформатора, т.е. к коллекторной цепи транзистора: |
|||||
Rн′ |
= |
UК2 |
доп |
. |
(7.34) |
4P |
|
||||
|
|
К доп |
|
|
При использовании транзистора с большими допустимыми токами коллектора низкоомное сопротивление нагрузки может быть включено в выходную цепь транзистора. Это значительно упроща-
ет схему и конструкцию усили- |
|
теля и уменьшает искажения |
|
усиливаемого сигнала. |
|
Транзисторные усилители |
|
мощности работают в трех ос- |
|
новных классах. На рис. 7.16 |
|
изображен режим работы уси- |
|
лителя мощности с ОЭ в клас- |
|
се А. На выходной динамичес- |
|
кой характеристике показаны |
|
изменения коллекторных то- |
|
ков от IК+ max до IК−max и соот- |
|
ветствующих им напряжений |
|
от U К+ max до UК−max относи- |
Рис. 7.16. Выходная характеристика |
тельно рабочей точки 0 с базо- |
трансформаторного усилителя мощ- |
вым током IБ0. |
ности, работающего в классе А |
149