
- •ВВЕДЕНИЕ
- •1.1. Свойства электрона
- •1.2. Виды электронной эмиссии
- •Глава 2 ИОННЫЕ ПРИБОРЫ
- •2.1. Вольт-амперная характеристика газового разряда
- •2.2. Стабилитроны
- •2.3. Неоновые лампы
- •2.4. Тиратроны
- •2.5. Разрядники
- •Глава 3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
- •3.1. p-n переход и его свойства
- •3.2. Общие сведения о полупроводниковых диодах
- •3.3. Выпрямительные диоды
- •3.4. Опорные диоды
- •3.5. Варикапы
- •3.6. Туннельные диоды
- •3.7. Биполярные транзисторы
- •3.8. Полевые транзисторы
- •3.9. Составные транзисторы
- •3.10. Нагрузочный режим работы транзистора
- •3.11. Тиристоры
- •3.12. Полупроводниковые фотоприборы
- •3.13. Терморезисторы
- •3.14. Правила монтажа и эксплуатации полупроводниковых приборов
- •4.1. Ионные цифровые и знаковые индикаторы
- •4.2. Полупроводниковые индикаторы
- •4.3. Жидкокристаллические индикаторы
- •Глава 5 ВЫПРЯМИТЕЛИ И СГЛАЖИВАЮЩИЕ ФИЛЬТРЫ
- •5.1. Общие сведения о выпрямителях
- •5.2. Однофазные схемы выпрямления
- •5.3. Трёхфазные схемы выпрямления
- •5.4. Условно-многофазные вентильные схемы выпрямления
- •5.5. Управляемые выпрямители
- •5.6. Сглаживающие фильтры
- •5.7. Коммутация в выпрямителях
- •Глава 6 ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ И ИНВЕРТОРЫ
- •6.1. Общие сведения о преобразователях
- •6.2. Зависимые инверторы
- •6.3. Реверсивные преобразователи
- •Глава 7 ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
- •7.1. Общие сведения об усилителях
- •7.2. Режимы работы усилительных элементов
- •7.3. Обратные связи в усилителях
- •7.4. Каскады предварительного усиления
- •7.5. Выходные каскады
- •7.6. Многокаскадные усилители
- •7.7. Операционные усилители
- •7.8. Общие сведения об автогенераторах
- •7.9. Связанные контуры
- •7.10. Автогенераторы типа LC
- •7.11. Трёхточечные автогенераторы
- •7.13. Стабилизация частоты генераторов
- •Глава 8 МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
- •8.1. Общие сведения об интегральных микросхемах
- •8.2. Классификация и маркировка интегральных микросхем
- •8.3. Область применения аналоговых ИМС
- •8.4. Область применения цифровых ИМС
- •8.5. Система обозначений интегральных микросхем
- •Глава 9 ОСНОВЫ ИМПУЛЬСНОЙ ТЕХНИКИ
- •9.1. Электрические импульсы и их параметры
- •9.2. Цепи формирования импульсов и ограничители
- •9.3. Работа транзисторов в ключевом режиме
- •9.4. Общие сведения об импульсных генераторах
- •9.5. Работа транзистора в импульсном режиме
- •9.6. Мультивибраторы
- •9.7. Мультивибраторы в интегральном исполнении
- •9.8. Триггеры
- •9.9. Блокинг-генераторы
- •9.10. Импульсные усилители
- •Глава 10 ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
- •10.1. Общие сведения о логических элементах
- •10.2. Основные логические элементы и функции
- •10.3. Комбинированные логические элементы
- •10.4. Логические элементы в интегральном исполнении
- •10.5. Триггеры на логических элементах
- •10.6. Счётчики
- •Глава 11 ДАТЧИКИ И РЕЛЕ
- •11.1. Датчики
- •11.2. Реле
- •Глава 12 ЗАЩИТА ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
- •12.1. Бесконтактные защиты тиристорных устройств
- •12.2. Защита от перенапряжений
- •12.4. Стабилизаторы напряжения и тока
- •Список литературы
- •СОДЕРЖАНИЕ

|
Когда тиристор VS1 |
|
выключен, конденсаторС |
|
заряжается с полярнос- |
|
тью, указанной на рис. |
|
3.51, абезскобок. Приот- |
|
крытии тиристора проис- |
|
ходит перезаряд конден- |
|
сатора на обратную по- |
|
лярность, а в следующий |
|
полупериод собственных |
|
колебаний контура LC |
|
конденсатор заряжается |
Рис. 3.51. Схемы коммутации тиристоров |
навстречу анодному току |
|
тиристораивключаетего. |
Коммутацияспомощьюпоследовательного колебательногоконтура LC, включенного последовательно с тиристором (рис. 3.51, б), происходитследующимобразом: вмоментоткрытиятиристораVS1 заряжается конденсатор С и в цепи идет колебательный процесс. При спадании тока LC-контура до нуля происходит естественное включение тиристора. Резистор R служит для заряда конденсатора
кмоменту очередного включения.
Всхеме рис. 3.51, в процесс коммутации протекает в две ступени: вначале запирается рабочий тиристор; после заряда, или перезаряда конденсатора включается вспомогательный. Данная схема коммутации представляет собой тиристорный аналог полностью управляемого вентиля. Применение вспомогательного тиристора позволяет в широких пределах регулировать длительность открытого состояния основного тиристора.
3.12. Полупроводниковые фотоприборы
Классификация фотоэлектрических приборов
Электронные приборы, предназначенные для преобразования светового излучения в электрический ток, называют фотоэлектрическими. Их классифицируют по виду рабочей среды и по функциональному назначению. По виду рабочей среды фотоэлектрические приборы подразделяют на электровакуумные (электронные и ионные фотоэлементы, фотоумножители ) и полупроводниковые
76

с однородными структурами — фоторезисторы; с p-n переходами (фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры).
По функциональному назначению фотоэлектрические приборы подразделяют на три группы:
—фотоприёмники — преобразователи светового сигнала в электрический, применяемые в аппаратуре связи, устройствах считывания информации, в вычислительной технике и ряде других областей;
—фотодатчики— преобразователиизмеряемыхвеличинвэлектрическийсигнал: датчикиосвещенности, координат, деформации, используемые в автоматических устройствах железнодорожного транспорта;
—фотоэлектрическиепреобразователисветовойэнергиивэлектрическую в источниках аппаратуры.
Индикаторные(излучающие) приборы— электронные приборы, непосредственно преобразующие электрическую энергию в световое излучение, — относятсякодномуизклассовэлектросветовыхприборов.
По виду рабочей среды индикаторы подразделяют на электровакуумные, газоразрядные, полупроводниковые ижидкокристаллические.
По форме представления сигнала различают индикаторы: светосигнальные, отображающиесигналсвечениеминдикатора; цветосигнальные, отображающиекаждыйсигнализгруппыбук-
вой, цифрой или другим определённым символом; экранные, представляющие принятую за определённый интер-
вал времени совокупность сигналов в виде черно-белого или цветного изображения;
шкальные, которые отображают поступивший сигнал местоположением светового пятна или границы светящейся линии.
На базе современных фотоприёмников и излучающих приборов развивается оптоэлектроника — научно-техническое направление, использующеедляпередачи, обработкиихраненияинформациикак электрические, так и оптические средства и методы.
Фоторезисторы
Полупроводниковый прибор, электрическое сопротивление которого изменяется в широких пределах в зависимости от интенсивности и спектрального состава воздействующего на него светового потока, называют фоторезистором (ФР).
77

|
Светочувствительным эле- |
|
ментом ФР служит слой полу- |
|
проводникового материала 1, |
|
напылённогонаподложку2 из |
|
стекла, слюды или керамики, |
|
см.рис. 3.52, а. По краям полу- |
|
проводниковогослояраспола- |
|
гаютметаллическиеконтакты3, |
|
соединённые с внешними вы- |
|
водами. Для защиты от вне- |
|
шних воздействий элемент по- |
|
крывают лаком и помещают в |
|
пластмассовый или металли- |
Рис. 3.52. Фоторезистор: |
ческийкорпуссокномдлясве- |
а — структура; б — графическое |
тового сигнала. Применяют |
обозначение |
такжеибескорпусныеФР. Све- |
|
точувствительными материа- |
лами для ФР служат полупроводниковые соединения кадмия. Мо- |
|
гут быть и ФР на основе германия и кремния с примесями золота, |
|
цинка и других элементов. Иногда ФР имеют три вывода. Такие |
|
ФР используют в качестве дифференциальных элементов. |
|
Обозначают ФР буквами ФС или СФ, за которым следуют бук- |
|
ва и цифра, характеризующие материал полупроводника и конст- |
|
руктивное оформление. На рис. 3.52, б условное графическое обо- |
|
значение ФР. |
|
Вольт-амперная характеристика Iφ(U) при Ф = const у фоторе- |
|
зистора линейна (рис. 3.53, а). Полярность напряжения на характе- |
Рис. 3.53. Характеристики фоторезистора: а — вольт-амперные; б — световые
78

ристикуневлияет. При Ф = 0 наклон вольт-амперной характеристики зависит от темнового сопротивления Rт. С увеличением светового потока крутизна вольт-амперной характеристики растёт, а сопротивление уменьшается в 105—106 раз.
Световая характеристика Iφ(Ф) при U = const (рис. 3.53, б) линейна лишь в области небольших значений потока Ф. С увеличением Ф возрастает концентрация свободных носителей и вероятность их рекомбинации, подвижность носителей снижается и поэтому рост тока уменьшается.
Ток фоторезистора
Iφ = kΦ1/ 2 + Iт, |
3.28 |
где k — коэффициент; Iт — темновой ток, обусловленный наличием в полупроводнике при световом потоке Ф = 0 свободных носителей заряда.
Нелинейность зависимости Iφ(Ф) — существенный недостаток ФР, ограничивающий их использование.
Сернисто-кадмиевыеФРимеютмаксимальнуючувствительность ввидимойчастиспектра, селенисто-кадмиевые— вкраснойиинфракрасной; сернисто-свинцовые— тольковинфракрасной. Сизменением температуры спектральная характеристика, в зависимости от видаполупроводникового материала, смещаетсявлевоиливправо.
Свойства ФР, как и любого другого полупроводникового фотоприёмника, характеризуют параметры чувствительности, а также электрическиеивременныепараметры. Основнойпараметрчувствительности фотоприёмника — интегральный коэффициент чувствительности мА/лм:
3.29
Однако ток ФР зависит от приложенного напряжения U, поэтому свойство ФР оценивают удельной интегральной чувствительностью, отнесённой к 1 В, мА/ (В.лм):
Kинт.уд = Iφ / (ΦU ) = Kφ /U . |
3.30 |
Значение Kинт.уд составляет десятые доли миллиампер на вольт на люмен.
Основные электрические параметры ФР:
рабочее напряжение Uр, которое составляет от нескольких десятков до нескольких сотен вольт;
79

—темновой ток Iт,
—фототок Iφ, протекающий через ФР при указанном напряжении и обусловленный только воздействием потока излучения заданного спектра;
—общий ток
Iобщ = Iφ + Iт; |
3.31 |
— темновое сопротивление Rт ≈ 105 107 Ом.
Основной параметр временных характеристик ФР — граничная частотаfгр синусоидальногосигнала, модулирующегосветовойпоток, при которой чувствительность прибора падает до значения1/ 2 посравнениюсчувствительностьюпринемодулированномизлучении fгр мало и составляет 102—104 Гц. Это обусловлено значительным временем жизни неосновных носителей заряда в полупроводник. Наиболее инерционны сернисто-кадмиевые ФР. С увеличением температуры и освещённости инерционность уменьшается.
К максимально допустимым параметрам ФР относят:
—Umax — максимальное рабочее напряжение ФР, при котором отклонение его параметров не превышает указанных пределов,
—максимальную мощность рассеяния Pmax. С ростом температуры окружающей среды Pmax снижается.
ФРсвойственно старение — постепенное уменьшение сопротивления, изменение фототока и чувствительности в течение нескольких сотен часов эксплуатации.
ПосравнениюсэлектроннымифотоприёмникамиФРимеютследующие преимущества:
—понижение напряжения питания,
—значительно большая интегральная чувствительность,
—возможностьработывболееширокомспектральномдиапазоне,
—большие допустимые фототоки,
—большая стабильность характеристик,
—меньшие габаритные размеры и масса,
—простота конструкций,
—устойчивость к механическим воздействиям,
—большой срок службы.
Недостатки ФР:
—повышенная инерционность,
—значительная зависимость характеристик и параметров от температуры,
80

— нелинейность энергетической характеристики при больших |
|
световых потоках. |
|
Несмотря на указанные недостатки, ФР применяют в схемах |
|
автоматики и вычислительной техники, в том числе на железно- |
|
дорожном транспорте. |
|
Фотодиоды |
|
Двухэлектродный полупроводниковый прибор с одним p-n пе- |
|
реходом, вольт-амперная характеристика которого зависит от воз- |
|
действующего на него светового потока, называют фотодиодом |
|
(ФД). Он представляет собой пластину полупроводникового мате- |
|
риала (германия или кремния) с областями электронной и дыроч- |
|
ной проводимости, разделёнными p-n переходом. Пластина поме- |
|
щена в герметичный корпус, имеющий окно из прозрачного мате- |
|
риала для проникновения к ней света. Иногда в этом окне |
|
располагают собирательную стеклянную линзу. В зависимости от |
|
конструкции ФД световой поток направлен параллельно и перпен- |
|
дикулярно плоскости p-n перехода. ФД включают в обратном на- |
|
правлении (рис. 3.54, а). Если нет освещения (Ф = 0), ФД аналоги- |
|
ченобычномудиоду, включённому |
|
вобратномнаправлении. Приосве- |
|
щении прибора (Ф > 0) в его p и n |
|
областях начинается разрыв кова- |
|
лентных связей и образование пар |
|
носителей заряда — электронов и |
|
дырок. Наиболее интенсивен про- |
|
цессгенерацииносителейувнешней |
|
поверхностикристалла. Вобластях |
|
ФД возрастает число как основ- |
|
ных, так и неосновных носителей. |
|
Относительноеувеличениеконцен- |
|
трации основных носителей неве- |
|
лико, иеёможносчитатьпрактичес- |
|
ки неизменной. Относительный |
Рис. 3.54. Фотодиод: |
приростконцентрациинеосновных |
а — структура и включение; б — |
носителейоказываетсязначительно |
графическое обозначение |
|
81 |

Рис. 3.55. Характеристики фотодиода: |
а — вольт-амперные; б — световые |
больше. Это ведёт к существенному увеличению обратного тока. |
Чем сильнее световой поток, тем выше концентрации неосновных |
носителей вблизи перехода и тем больше ток. |
Видсемействавольт-амперныххарактеристикфотодиода(рис. 3.55, |
а) при Ф > 0 похож на выходные характеристики биполярного тран- |
зисторавсхемеОБ. ОбычнозаположительноенаправлениетокаФД |
принимают направление обратного тока перехода. |
Световая характеристика I (Ф) при U = const линейна в доста- |
точно широком интервале светового потока (рис. 3.55, б). Это вы- |
годно отличает ФД от фоторезистора. В случае увеличения обрат- |
ного напряжения расширяется p-n переход и уменьшаются объёмы |
p-n областей, меньшая часть неосновных носителей успевает в них |
рекомбинировать, в результате этого фототок ФД возрастает. |
Светоизлучающие диоды |
Излучающий полупроводниковый прибор, имеющий один p-n |
переход и предназначенный для непосредственного преобразова- |
ния электрической энергии в энергию светового излучения, назы- |
вается светодиодом (СД). |
Всветодиодахиспользуетсяинжекционнаяэлектролюминесцен- |
ция p-n перехода, включенного в прямом направлении. Излучение |
светаp-n переходомприпрохождениичерезнегопрямоготокабыло |
впервые обнаружено О.В. Лосевым в 1923 г. При прямом включе- |
нии перехода происходит инжекция носителей через пониженный |
82 |

потенциальный барьер и их рекомбинация. В процессе рекомбина- |
||
ции электроны переходят с высоких энергетических уровней в зоне |
||
проводимости на более низкие в валентной зоне. |
||
Рассмотрим, при каких условиях p-n переход может быть излуча- |
||
тельным. Длина волны видимой части светового спектра λ составляет |
||
0,4—0,7 мкм, что соответствует энергиям 1,3—1,8 эВ. Следовательно, |
||
ширина запрещённой зоны ∆W исходного полупроводникового мате- |
||
риалавизлучательномприборедолжнабытьнеболее 1,3—1,8 эВ. |
||
От используемого полупроводникового материала зависти цвет |
||
сечения, определяемый длиной волны |
|
|
λ = hc / ∆W |
3.32 |
|
где h — постоянная Планка; с — скорость света; ∆W — ширина |
||
запрещённой зоны полупроводника. |
|
|
В СД должен быть беспрепятственный вывод светового пучка из |
||
источникаизлучения(базовойобласти) вок- |
|
|
ружающее пространство. Базовая область |
|
|
часто имеет форму полусферы (рис. 3.56). |
|
|
Кристалл располагают в металлическом, ке- |
|
|
рамическомкорпусеилипластмассовомкор- |
|
|
пусе. Верхняя часть корпуса имеет стеклян- |
|
|
ную линзу — выходное окно для концентра- |
|
|
ции излучения в узкий конус. |
|
|
ИсходнымиматериаламиСДслужатар- |
|
|
сенид галлия (для источников инфракрас- |
|
|
ного излучения), фосфид галлия с примеся- |
Рис. 3.56. Устройствосве- |
|
ми цинка и кислорода (красное свечение), |
||
фосфид галлия, легированный азотом (зе- |
тоизлучающего диода |
|
лёное свечение) и карбид кремния |
|
|
(жёлтое свечение). |
|
|
На основе фосфида галлия с раз- |
|
|
ными примесями разработан цвето- |
|
|
сигнальный индикатор с плавно из- |
|
|
меняющимся цветом свечения. |
|
|
Вольт-амперная характеристика |
|
|
СД аналогична характеристике ди- |
|
|
ода (рис. 3.57). Постоянное прямое |
|
|
напряжение1—2В, максимальныйпо- |
Рис. 3.57. Вольт-амперная ха- |
|
стоянныйпрямойтоксоставляетвза- |
рактеристика светоизлучающе- |
|
висимостиоттипадиода10—100 мА. |
|
го диода |
|
|
83 |

|
Допустимое обратное напряжение |
||
|
СД невелико (3—7В). Он не рассчи- |
||
|
таннавключениевобратномнаправ- |
||
|
ление и подача на СД обратного на- |
||
|
пряжения с амплитудой более 2—4 В |
||
|
не рекомендуется. |
|
|
|
|
Яркость зависит от конструкции |
|
|
СД и составляет 10—50 кд/м2. Чем |
||
Рис. 3.58. Схема включения |
больше допустимый ток, тем выше |
||
яркость и мощность излучения. Све- |
|||
светоизлучающего диода |
тоизлучающиедиодыСДмалоинер- |
||
|
|||
|
ционны, время их переключения со- |
||
ставляет 10–8—10–9 с. Характеристики СД имеют значительный |
|||
разброс параметров и зависят от температуры. |
|
||
С ростом температуры яркость уменьшается, сокращается и срок |
|||
службыСД. Так, при25 °Сонсоставляет105 ч, апри100 °Ссокраща- |
|||
ется до 1000 ч. Так же сокращается срок службы СД при увеличении |
|||
его тока. На рис. 3.58 представлена схема включения светодиода. |
|||
СД широко применяют в качестве световых индикаторов мини- |
|||
калькуляторов и электронных часов, они служат основными эле- |
|||
ментамисовременныхоптронов. ДвухцветныеСДперспективныдля |
|||
использования в устройствах железнодорожного транспорта в ка- |
|||
честве четырёхпозиционных сигнализаторов (красный — жёлтый |
|||
— зелёный — выключено), а также в качестве оптических индика- |
|||
торов скорости. На рис. 3.59 структура двухцветного СД, а на рис. |
|||
3.60 эквивалентная схема двухцветного СД. |
|
||
Зелёный + Красный |
|
Зелёный |
Красный |
Рис. 3.59. Структура двухцветного |
Рис. 3.60. Эквивалентная схема |
||
светодиода |
|
двухцветного светодиода |
|
|
|
|
84 |

Оптроны
Оптрон (ОП) — это прибор, в котором светоизлучатель и фотоприёмникоптическииконструктивносвязаныдругсдругомипредставляют собой единое конструктивное целое.
В ОП поступающий электрический сигнал преобразуется источником излучения в световой, передаётся по оптическому каналу от светоизлучателя к фотоприёмнику, где он вновь преобразуется в электрический. При этом цепи входа и выхода полностью отделяются друг от друга, что необходимо для многих схем железнодорожной автоматики и телемеханики.
Источником излучения в ОП служит светодиод; в качестве фотоприёмников используют фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторыифототиристоры. ЕслиОПимеетодинизлучательиодинприёмникизлучения, тоегоназываютоптопаройилиэлементарнымОП.
НаиболеераспространённыеэлементыОП— арсенидогаллиевые светодиоды и фотоприёмники из кремния. Их спектральные характеристики хорошо согласуются между собой. Согласование спектральных характеристик — одно из основных условий, обеспечивающих оптимальную передачу сигнала с входа ОП на его выход.
Наименьшее напряжение изоляции между входом и выходом имеют ОП с тонким слоем стекла или лака (100—1000 В). В ОП с воздушнымпромежуткомоносоставляет1—5 кВиограниченоэлектрической прочностью корпуса. В ОП с волоконными световодами напряжение изоляции может достигать 50—150 кВ.
Оптронную пару — излучатель и фотоприёмник — или несколько оптронных пар помещают в корпус и герметизируют, обычно используют корпуса интегральных микросхем.
Масса ОП составляет 0,8—1,5 г.
ОПпредставляетсобойчетырехполюсник, свойствакоторогоопределяются входной, передаточной и выходной характеристиками. Характеристику обратной связи ОП не рассматривают из-за чрезвычайно высокой изоляции входа от выхода. Входной характеристикой ОП служит вольт-амперная характеристика его светодиода, выходной — соответствующая характеристика его фотоприёмника при заданном токе на входе оптрона. ОП характеризуют следующие основные параметры:
коэффициент передачи тока Ki = I2 / I1, представляющий собой отношение фототока приёмника I2 к току излучателя I1;
85