
- •Физика металлов
- •Введение
- •I. Строение веществ
- •1.1. Межатомное взаимодействие
- •1.2. Типы химических связей
- •1.3. Кристаллическая структура твердых тел
- •1.4. Дефекты кристаллических решеток
- •1.4.1. Точечные дефекты решетки
- •1.4.2. Линейные дефекты кристаллической решетки
- •1.4.3. Поверхностные дефекты кристаллической решетки
- •1.4.4. Объёмные дефекты кристаллической решетки
- •1.4.5. Энергетические дефекты кристаллической решетки
- •1.5. Основы теории сплавов
- •1.6. Диаграммы состояния сплавов и закономерности Курнакова
- •1.7. Строение электронных зон. Проводники, диэлектрики и полупроводники
- •II. Кристаллизация металлов
- •2.1. Самопроизвольная кристаллизация
- •2.2. Несамопроизвольная кристаллизация
- •2.3. Получение монокристаллов
- •2.4. Аморфное состояние металлов
- •2.5. Полиморфизм
- •III. Проводниковые материалы
- •3.1. Материалы высокой электропроводности
- •3.2. Материалы высокого удельного сопротивления
- •3.2.1. Сплавы на основе меди
- •3.2.2. Никель-хромовые сплавы
- •3.2.3. Железохромалюминиевые сплавы
- •3.2.4. Сплавы на основе благородных металлов
- •3.3. Материалы электрических контактов
- •3.3.1. Зажимные контакты
- •3.3.2. Цельнометаллические контакты
- •3.3.3. Материалы разрывных контактов
- •3.3.4. Материалы скользящих контактов
- •IV. Магнитные материалы
- •4.1. Магнитные свойства твердых тел
- •4.1.1. Природа ферромагнетизма
- •4.1.2. Доменная структура ферромагнетиков
- •4.1.3. Кривая намагничивания
- •4.2. Основные классы магнитных материалов
- •4.2.1. Промышленные магнитомягкие материалы
- •4.2.2. Магнитомягкие материалы для работы в слабых полях
- •4.2.3. Магнитомягкие материалы для работы в высокочастотных полях
- •4.3. Магнитотвердые материалы
- •4.3.1. Промышленные магнитотвердые материалы
- •4.3.2. Дисперсионно твердеющие сплавы
- •4.3.3. Деформируемые магнитотвердые материалы
- •4.3.4. Магнитотвердые ферриты
- •4.3.5. Высококоэрцитивные магниты
- •Список литературы
4.1.1. Природа ферромагнетизма
В кристалле два соседних атома, обладающие магнитным моментом, взаимодействуют друг с другом. При этом энергия двух атомов понижается на величину обменной энергии (Uобм). Величина обменной энергии зависит от квантово-механической функции - обменного интеграла (А) и взаимной ориентации суммарных спиновых моментов соседних атомов:
Uобм = –А (s1s2) . (4.10)
Обменный интеграл зависит от расстояния между соседними атомами (а) и от радиуса незаполненных орбиталей (r) или в обобщенном виде от отношения (а/r). Зависимость обменного интеграла от отношения а/r показана на рис. 4.1.
Рис.
4.1. Зависимость обменного интеграла А
от расстояния между атомами, отнесенного
к радиусу незаполненной электронной
оболочки (a/r)
При отношении а/r, меньшем 3, обменный интеграл отрицателен, и для того чтобы энергия системы была минимальной, скалярное произведение магнитных моментов соседних атомов должно быть отрицательным. В этом случае магнитные моменты соседних атомов устанавливаются антипараллельно, поэтому магнитная индукция в них практически не изменяется. Такие вещества называют антиферромагнетиками (например, марганец).
Таким образом, чтобы вещество было ферромагнитным, необходимо выполнение двух условий:
– в состав материала должны входить атомы переходных металлов, обладающих большими магнитными моментами;
– отношение расстояния между атомами к радиусу незаполненных электронных оболочек должно превышать 3.
Именно такая ситуация наблюдается в железе, кобальте, никеле и в некоторых других элементах (см. рис. 4.1).
4.1.2. Доменная структура ферромагнетиков
Магнитные моменты соседних атомов ферромагнетиков ориентированы параллельно, однако в большом кристалле все магнитные моменты атомов не могут быть ориентированы параллельно, так как в этом случае вокруг кристалла появится сильное магнитное поле и энергия системы возрастет. Для снижения общей энергии кристалл разбивается на домены - области спонтанной намагниченности. Причем разбиение производится таким образом, чтобы магнитные поля доменов замыкались друг на друга, а внешнее магнитное поле отсутствовало (рис. 4.2).
На
границе доменов происходит поворот
магнитных моментов атомов от одной
ориентации к другой.
Рис.
4.2. Разбиение кристалла на домены.
Стрелками показаны направления векторов
намагничен-ности в каждом домене
Поскольку на границах доменов энергия атомов повышена, то для того чтобы энергия материала была минимальной, необходимо, чтобы протяженность границ доменов была минимальной, а значит размер доменов был как можно большим.
В то же время росту доменов препятствует магнитострикция - деформация кристаллической решетки под воздействием магнитного поля. Обменное взаимодействие между атомами приводит к появлению дополнительных сил взаимодействия, и кристаллическая решетка деформируется. Рост домена ведет к увеличению напряженности локального поля внутри домена и возрастанию деформации решетки. При этом энергия системы увеличивается. Таким образом, противоборство магнитной анизотропии и магнитострикции приводит к установлению оптимального размера магнитных доменов.