4 курс 1 семетр / КПЭ ФОГ / Задание / Задание на РГР
.docЗадание на РГР по дисциплине
«Концентрированные потоки энергии и физические основы их генерации»
Технологические режимы нанесения покрытий варьируются в зависимости от получаемого соединения
Ргаза = 2×10-4 – 10-3мм рт.ст.
Uп = 80 - 180 В;
Тст = 300 К;
Тп = 350 – 550°С;
Iр = 80 – 300 А.
№ задания Соединение NiSi Ni2Si TiB Ti2B TiC ZrB ZrB2 ZrC ZrN Cr4B Cr2B Cr5B3 CrB Cr3B4 CrB2 Cr7C3 Cr3C2 |
№ задания Соединение Cr2N CrN Mo2B Mo3B2 MoB Mo2B5 MoB2 Mo2N Mo2C MoC W2B W2B5 W2C WC W2N WN Nb3B2 |
№ задания Соединение NbB Nb3B4 NbB2 Nb2N NbN NiN NbC TiSi TiSi2 ZrSi CrSi MoSi2 Mo3Si WSi2 NbSi2 Nb4Si |
Необходимо определить:
-
Ионный ток насыщения ;
-
Толщина двойного слоя определяемая дебаевским радиусом экранирования ;
-
Потоки ионов металла и молекулярного газа в произвольной точке на единицу площади в единицу времени , ;
-
Энергия выделяемая на поверхности конденсации за единицу ;
-
Количество газа, вступившего в реакцию с металлом ;
-
Содержание неметалла Сx в соединении;
-
Пороговое значение потенциала подложки ;
-
За счет изменения режимов обеспечить получение покрытия заданного стехиометрического состава.