информатика_1 / лекции / 13

При считывании измеряется пороговое напряжение, которое нужно подать на сток для открытия транзистора. Для удаления информации на управляющий затвор кратковременно подается отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора диффундируют обратно на исток.

Транзистор вновь переходит в состояние логической единицы и остается в нем, пока не будет произведена очередная запись. Примечательно, что во Flash-памяти один транзистор хранит один бит информации — он и является ячейкой. Весь процесс «запоминания» основан на диффузии электронов в полупроводнике. Отсюда следуют два не очень оптимистичных вывода.

1)Время хранения заряда очень велико и измеряется

годами, но все же ограничено. Законы термодинамики и

диффузии гласят, что концентрация электронов в

разных областях рано или поздно выровняется.

2)По той же причине ограничено количество циклов

записи-перезаписи: от ста тысяч до нескольких миллионов. Со временем неизбежно происходит

деградация самого материала и р-n-переходов.

Каждое устройство внешней памяти снабжено специализированным блоком управления — контроллером. Контроллер взаимодействует с системным программным модулем — драйвером, управляющим устройством. Контроллер получает от драйвера выводимую на устройство информацию и команды управления, которые сообщают, что нужно сделать с информацией, например, записать в определенный сектор диска. Под управлением контроллера устройство выполняет операции чтения или записи информации.