Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Электропитание ЭВМ. Учебное пособие
.pdf
1min
max
1,
1
V
max
р
max
21
1
,
V
1
V
2
V
х
101
вы
Рис. 3.3
Работает схема на рис. 3.3 следующим образом. При изменении тока нагрузки происходит изменение выходного напряжения, которое через делитель R6, R7, R8 передается на вывод 12
обратной связи микросхемы, усиливается и изменяет падение напряжения на резисторе R2. Транзистор VT1 усиливает изменение
напряжения на резисторе R2 и передает в базовую цепь транзистора VT2. Ток транзистора VT2 изменяется таким образом, что
компенсирует изменение напряжения на нагрузке.
Резистор R1 определяет рабочий ток через стабилитрон
VD1:
R
=
где
U — напряжение стабилитрона VD1;
D
I
peг max
— максимальный ток регулирующего элемента мик-
росхемы при токе нагрузки
UU
вх min 1
II
VD
I .
вых
+
−
VD
рег
Значения
где
U и
эб
T
I , R2 и R3 находятся из выражения:
ег
UU
эб 1 эб 2
I
рег
U — напряжения эмиттер-база транзисторов
эб
=+ +
max
T
VT VT
RR
23
⎛⎞
⎜⎟
⎝⎠
I
вых
ββ
TVT
1
V
β
2
V
β
2
max
min
1min
2
4,
1min
1max
max
1
V
1
V
VT1 и VT2 соответственно;
102
и
T
— статические коэффициенты усиления транзи-
T
сторов VT1 и VT2 соответственно.
Необходимо учитывать, что
I ≥ мА. Ограничиваю-
рег max
щий резистор R4 выбирается с учетом того, что транзистор VT1
не должен переходить в область насыщения при токе нагрузки
I :
вых
где
UU U
вх
R
≤
U — минимальное напряжение эмиттер-коллектор
эк
VT
−+
()
эк
VT VT
I
к 1max
VT
эб
транзистора VT1, при котором он работает в активной области;
I — максимальный ток транзистора VT1 при токе на-
к
VT
грузки
I .
вых
Напряжение
U стабилитрона VD1 находится в пределах:
D
4 В <
U < 7 В.
D
Минимальное выходное напряжение стабилизатора равно
допустимому минимальному входному напряжению микросхемы,
а максимальное выходное напряжение стабилизатора равно допустимому максимальному напряжению микросхемы.
Для умощнения стабилизаторов, т.е. для увеличения выходного тока, в схему на рис. 3.2 добавляются мощные транзисторы,
как показано на рис. 3.4 (остальная часть схемы остается прежней).
R2
R2
16
4
ЕН1,2
13
10
100
16
4
ЕН1,2
13
10
а
Рис. 3.4 — Схемы стабилизаторов с умощнением:
а — дополнительным транзистором n-p-n типа;
б — дополнительным транзистором p-n-p типа
б
max
max
,
I
103
Повысить выходное напряжение стабилизатора сверх допустимого максимального выходного напряжения микросхемы
U можно с помощью схемы на рис. 3.5 (остальная часть схе-
м
мы соответствует рис. 3.2).
8
ЕН1,2
R6
R
Рис. 3.5
Сопротивление дополнительного резистора
−
UU
вх м
=
R
I
пот
где
— ток, потребляемый микросхемой (берется из справоч-
пот
ных данных).
Для повышения стабильности выходного напряжения вывод
4 микросхемы можно питать от отдельного источника стабильно-
го напряжения, либо поставить стабилитрон последовательно с
резистором R5 (см. рис. 3.2).
Микросхемы 142ЕН3,4 более мощные, обладают большей
стабильностью, требуют меньшее число внешних компонентов,
имеют встроенную защиту от перегрева и перегрузок по току.
Основная схема включения микросхем 142ЕН3,4 приведена
на рис. 3.6.
вых
Рис. 3.6
12
,
2
R
(2,6 0,26)
х
104
Все конденсаторы — неполярные. Емкости их следующие:
на входе — не менее 2,2 мкФ, на выходе — не менее 0,68 мкФ, в
цепи коррекции между выводами 11 и 17 — не менее 0,01 мкФ.
Сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются согласно
формуле:
где
URR
U
вых
U =± В — напряжение обратной связи, подавае-
ос
ос
=
+
()
мое на вывод 4.
Минимальный ток делителя (1,5 ± 0,225) мА.
В стабилизаторе напряжения с увеличенным выходным током используется мощный внешний транзистор, как показано на
рис. 3.7.
вы
Рис. 3.7
Для повышения надежности рекомендуется использовать
внутреннюю схему тепловой защиты согласно рис. 3.8.
8
ЕН3,4
6
R
Рис. 3.8
Включенный в схему резистор служит для регулирования
порога срабатывания тепловой защиты в диапазоне температуры
6,65
,
k
1
0,037
t
175
,
1, 25
M
р
max
max
р
max
100
20
105
корпуса микросхемы от 65 до 100 °С. Значение сопротивления
резистора рассчитывается по формуле:
kt
⋅−
R
=
к
10,42
−⋅
t
к
где коэффициент
— температура корпуса, при которой необходимо сраба-
к
k =
;
С
°
тывание тепловой защиты.
В схеме на рис. 3.6 встроенная защита выключает микросхему при
t = °С ± 10 %.
к
Схема включения микросхемы с внутренней схемой защиты
от перегрузок по току приведена на рис. 3.9.
15
ЕН3,4
13
2
R
Рис. 3.9
Ограничивающий резистор R рассчитывается по формуле:
0,023
I
пор
пор
()
вх вых
где
= В и
MN U U
−− −
R
=
0,5ОмNI=⋅ — величины, определяемые па-
раметрами микросхемы;
I
пор
1, 25P
=
UU
ас
−
вх вых
—
пороговый выходной ток, при котором
срабатывает схема защиты;
II≤ ;
пор вых
P — максимальная мощность рассеяния микросхемы.
ас
Допускается не включать резистор R (см. рис. 3.9), если тепловая защита обеспечивает
t < °С и при этом
к
U < В.
вх
Основная схема включения микросхем с фиксированным
выходным напряжением 142ЕН5 А…Г приведена на рис. 3.10.
1
2,
0,01A 1
U
U
1
106
U
вх
+
17
*
STU
ЕН5
2
+
U
вых
2,2
8
1,0
Рис. 3.10
Микросхемы имеют внутреннюю схему защиты от перегрузок по току. Датчик тока встроен в микросхему, поэтому внешнего резистора в качестве датчика не требуется.
Для увеличения выходного напряжения относительно паспортного значения используется схема на рис. 3.11.
U
вх
В этой схеме сопротивление резистора R2 выбирается из соотношения
+
R
17
*
STU
2
+
ЕН5
R1
8
R2
Рис. 3.11
UR
()
=
вых
−
вых1 вых
+⋅
R
U
вых
где
U — выходное напряжение схемы (см. рис. 3.11);
вых
U — выходное напряжение микросхемы;
вых
R1 = 300 Ом.
107
Если для микросхемы 142ЕН5 максимальное напряжение 15 В,
то данной схемы входное напряжение можно увеличить до 20 В.
Хотя микросхемы 142ЕН5 обеспечивают самый большой
выходной ток, этот параметр можно еще повысить с помощью
внешних компонентов. Схема такого стабилизатора с шунтирующим транзистором приведена на рис. 3.12.
R1
VT1
VT2
U
+
вх
R2
17
*STU
ЕН5
2
+
U
вых
8
Рис. 3.12
Схема работает следующим образом. При малом значении
тока нагрузки падение напряжения на резисторе R2 невелико и
транзистор VT2 закрыт. При увеличении тока нагрузки увеличивается падение напряжения на резисторе R2 и транзистор VT2 открывается, причем ток в нагрузку поступает двумя путями: через
микросхему и через шунтирующий транзистор VT2. При определенном значении тока падение напряжения на резисторе R1 открывает транзистор VT1, шунтируя переход эмиттер-база транзистора VT2. Благодаря этому ограничивается ток на заданном
уровне даже при коротком замыкании в нагрузке, а микросхема
отключается от коротко-замкнутой цепи собственной внутренней
защитой.
Микросхемы двуполярных стабилизаторов 142ЕН6 А…Е
имеют в каждом канале узел токовой защиты и общий узел защиты от перегрева кристалла. Допускается подключение нагрузки к
одному из каналов или к двум каналам одновременно. При подключении нагрузки одновременно к двум каналам допускается
108
эксплуатация микросхем при несимметричном входном напряжении на каналах или же при несимметричной нагрузке каналов
выходным током. Основная схема включения микросхем 142ЕН6
приведена на рис. 3.13.
U
вх
*STU
ЕН6
Рис. 3.13
U
вых
Подключенный сплошными соединениями подстроечный
резистор сопротивлением 6,8 кОм позволяет регулировать выходное напряжение вверх относительно номинального значения
В, а подключенный штрихом — вниз от номинального значе-
15
ния. Регулировка положительного и отрицательного каналов
осуществляется симметрично. При отсутствии подстроечных резисторов (вывод 2 микросхемы не используется) стабилизатор
работает в режиме фиксированного выходного напряжения 15 В.
Умощненная схема стабилизатора с шунтирующими транзисторами и ограничением тока приведена на рис. 3.14.
Рис. 3.14
109
Микросхема 142ЕН15 отличается по эксплуатационным
свойствам от только что рассмотренной 142ЕН6 тем, что в каждом из каналов выходное напряжение регулируется независимо.
основная схема включения микросхемы 142ЕН15 приведена на
рис. 3.15, а умощненная схема стабилизатора с шунтирующими
транзисторами — на рис. 3.16. При отсутствии подстроечных резисторов реализуется режим с фиксированным выходным напряжением.
U
вх
U
вых
U
U
U
вх
вх
вх
Рис. 3.15
Рис. 3.16
U
U
U
вых
вых
вых
На рис. 317—3.19 представлен внешний вид рассмотренных
выше микросхем.
110
Рис. 3.17 — Общий вид микросхем 142ЕН1 и 142ЕН2
Рис. 3.18 — Общий вид микросхем 142ЕН3, 142ЕН4,
142ЕН6 и 142ЕН10
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]