Добавил:
ivanov666
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Разработка интегрального устройства. Учебно-методическое пособие
.pdf
21
Список рекомендуемой литературы
1. Игнатов, А. Н. Классическая электроника и наноэлектроника: учебное
пособие / А. Н. Игнатов, В. Л. Савиных, Н.Е. Фадеева [и др.] : – Москва:
Флинта: Наука, 2012.
2. Игнатов, А. Н. Электроника: учебное пособие / А. Н. Игнатов, В. Л.
Савиных, Н. Е.Фадеева. – Новосибирск: СибГУТИ, 2020.
3. Игнатов, А. Н. Основы электроники: учебное пособие /А. Н. Игнатов, С.
В. Калинин, В. Л. Савиных. – Новосибирск: СибГУТИ, 2005.
4. Цыкина, А. В. Проектирование транзисторных усилителей / А. В. Цыки-
на. – Москва: Связь, 1976.
5. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники: учебное пособие / И. П.
Степаненко. – Москва: Радио и связь, 1980.
6. Ефимов, И. Е. Основы микроэлектроники: учебное пособие / И.Е. Ефи-
мов, И.Я. Козырь. – Москва: Радио и связь, 1983.
7. Транзисторы для аппаратуры широкого применения / под редакцией Б.
Л. Перельмана – Москва: Радио и связь, 1981.
8. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интеграль-
ным схемам / под редакцией Н. Н. Горюнова. – Москва: Энергия, 1976.
9. Справочная книга радиолюбителя конструктора кн. 2 / под редакцией Н.
И. Чистякова. – Москва: Радио и связь, 1993.
10. Технический каталог. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы.
– Москва: Электроника, 1975.
11. Малышева, И. А. Технология производства интегральных микросхем / И.
А. Малышева. – Москва: Радио и связь, 1991.
12. Ефимов, И. Е. Микроэлектроника: учебное пособие / И. Е. Ефимов, И. Я.
Козырь, Ю. И. Горбунов. – Москва: Высшая школа, 1986.
13. Ефимов, И. Е. Микроэлектроника: Проектирование, виды микросхем,
функциональная микроэлектроника: учебное пособие для приборостроительных спец. вузов / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь, Ю. И. Горбунов. – 2-е
изд. перераб. и доп.– Москва: Высшая школа, 1987.
14. Гринфилд, Д. Транзисторы и линейные ИС. Руководство по анализу и
расчету: перевод с английского / Д. Гринфилд; переводчик: Н. И. Кузнецов. – Москва: Мир, 1992.
15. ChipDip [Электронный ресурс] // GRM31C5C1H913JA01L, Cap Ceramic
0.091uF 50V C0G 5% Pad SMD 1206 125°C T/R, – URL:
https://www.chipdip.ru/product0/8003949535(Дата обращения: 18.11.2020 г.)
16. ChipDip [Электронный ресурс] // 0.125Вт 0805 1 МОм, 1%, Чип резистор
(SMD), – URL: https://www.chipdip.ru/product0/9000079578(Дата обращения:
18.11.2020 г.)
17. ОАО Завод рекорд [Электронный ресурс] // Конденсаторы керамические
монолитные прецизионные // Техническая документация: Конденсаторы
серии К10-43, – URL: https://www.anion.ru/assets/files/pdf/k10-43-(rekond).pdf
(Дата обращения: 18.11.2020 г.)
22
Приложение 1
Таблица П.1 – Исходные данные курсовой работы
№
вар.
U
ПИТ
,
В
Кu
RВХ,
МОм
RH,
к0м
U
НОМ
,
В
FН,
Гц
FВ,
кГц
МН
дБ
М
В
дБ
Тип
входа
Тип
выхода
01
+15
10
3,0 2 3
15
20 1 1 Н С
02
+12
8
2,2
0,6 2 20
15 1 1 Н С
03
+9
6
2,4 1 1
50
10 2 2 Н Н
04
-15 9 1
10 3 300
3,4 3 3 Н С
05
-12
7
1,8 2 2
300
3,4 2 2 Н Н
06
-15
5
3,0
0,6 1 50
10 2 2 Н Н
07
+15
12
1,2
0,6 3 20
15 1 1 Н С
08
+12
11
2,7 2 2
15
20 2 2 Н С
09
+9
10
1,1
0,6 1 15
15 1 1 Н Н
10
-15
9
1,0
10 3 20
15 3 3 Н С
11
-12
8
0,33 2 2
50
10 1 1 Н Н
12
-15
9
0,47 2 2
300
3,4 2 2 Н С
13
+15
6
0,51
10 3 300
3,4 3 3 Н Н
14
+12
5
0,68 2 2
50
10 1 1 Н Н
15
+9
4
0,82
0,2
0,5
20
15 1 1 Н Н
16
-15
10 1 2 3 15
20 2 2 Н С
17
-12
9
1,6
10 2 20
15 1 1 Н Н
18
-9 8 2,0
0,6 1 50
10 3 3 Н С
19
+15
13
2,7 2 3
300
3,4 3 3 Н С
20
+12
12
3,0
10 2 20
20 1 1 Н С
21
+9
11
1,8
0,2
0,5
50
10 2 2 Н С
22
-15
8
3,0
10 3 100
6,3 3 3 Н С
23
-12
7
2,2 1 2
300
3,4 2 2 Н Н
24
-9 6 2,2
0,6 1 50
10 1 1 Н С
25
+15
5
1,0 2 3
100
6,3 3 3 Н Н
26
+14 5 1 2 1
15
20 1 2 Н Н
27
+15
4
1,5
0,6 2 20
15 2 1 Н Н
28
-15
8
1,6 1 1
50
10 2 1 Н Н
29
+15
12 1 10 3 300
3,4 3 2 Н С
30
+12
7
2,4 2 2
300
3,4 2 2 Н С
31
-15
10
3,0
0,6 3 20
15 1 1 Н Н
32
+12
8
2,7 2 2
15
20 1 2 Н Н
33
+9
7
1,1
0,6 1 15
15 2 1 Н Н
34
+15
6
0,1
10 3 20
15 3 2 Н Н
35
+12
9
0,33 2 2
50
10 1 1 Н С
36
+9
4
0,47 2 1
300
3,4 1 2 Н Н
37
-15
8
0,51
10 3 300
3,4 2 3 Н С
38
-12
6
0,68 2 2
50
10 2 1 Н Н
39
+9
7
0,82
0,2
0,5
20
15 1 2 Н Н
23
Продолжение таблицы П.1
40
+15 6 1 2 3
15
20 1 2 Н Н
41
+12
8
1,6
10 2 20
15 2 1 Н Н
42
-9
10 2 0,6 1 50
10 2 3 Н С
43
-15
11
2,7 2 3
300
3,4 2 3 Н С
44
-12
10
3,0
10 2 20
20 2 1 Н С
45
+9 9 2,7
0,2
0,5
50
10 1 2 Н Н
46
+15
8
1,1
10
3
100
6,3 2 3 Н Н
47
+12
6
1,8 1 2
300
3,4 2 1 Н Н
48
-9 8 2,2
0,6 1 50
10 1 2 Н С
49
-15
4
3,0 2 5
100
6,3 3 2 Н Н
50
+15
10
3,0 2 3
15
20 1 1 Н С
51
+12 8 2
0,6 2 20
15 1 1 Н С
52
+9 6 1,8 1 1
50
10 2 2 Н С
53
-15 9 1
10
3
300
3,4 3 3 Н С
54
-12
5
1,6 2 2
300
3,4 2 2 Н Н
55
-9 7 3,0
0,6 1 50
10 2 2 Н Н
56
+15
12
1,3
0,6 3 20
15 1 1 Н С
57
+12
11
2,7 2 2
15
20 2 2 Н С
58
+9
10
1,1
0,6 1 15
15 1 1 Н С
59
-15
9
1,0
10 3 20
15 3 3 Н С
60
-12
8
0,33 2 2
50
10 1 1 Н Н
61
-9
7
0,47 2 3
300
3,4 2 2 Н Н
62
+15
6
0,51
10
3
300
3,4 3 3 Н Н
63
+12
5
0,68 2 2
50
10 1 1 Н Н
64
+9
4
0,82
0,2
0,5
20
15 1 1 Н Н
65
-15
10 1 2 3 15
20 2 2 Н С
66
-12
9
1,6
10 2 20
15 1 1 Н С
67
-9 8 2,0
0,6 1 50
10 3 3 Н С
68
+15
13
2,7 2 3
300
3,4 3 3 Н С
69
+12
12
3,0
10 2 20
20 1 1 Н С
70
+9
11
2,4
0,2
0,5
50
10 2 2 Н С
71
-15
8
1,1
10
3
100
6,3 3 3 Н Н
72
-12
7
2,4 1 2
300
3,4 2 2 Н Н
73
-9 6 3,0
0,6 1 50
10 1 1 Н Н
74
+15
5
1,0 2 3
100
6,3 3 3 Н Н
75
+12 5 1 2 1
15
20 1 2 Н Н
76
+15
4
1,8
0,6 2 20
15 2 1 Н Н
77
-9 8 1,1 1 1
50
10 2 1 Н С
78
+15 9 1
10
3
300
3,4 3 2 Н С
79
+12
7
2,2 2 2
300
3,4 2 2 Н Н
80
-15
10
1,5
0,6 3 20
15 1 1 Н С
81
+12
8
2,7 2 2
15
20 1 2 Н Н
24
Окончание таблицы П.1
82
+9 7 1,1
0,6 1 15
15 2 1 Н Н
83
+15
6
0,1
10 3 20
15 3 2 Н Н
84
+12
9
0,33 2 2
50
10 1 1 Н С
85
+9
4
0,47 2 1
300
3,4 1 2 Н Н
86
-15
8
0,51
10
3
300
3,4 2 3 Н Н
87
-12
6
0,68 2 2
50
10 2 1 Н Н
88
+9
7
0,82
0,2
0,5
20
15 1 2 Н Н
89
+15 6 1 2 3
15
20 1 2 Н Н
90
+12
8
1,6
10 2 20
15 2 1 Н С
91
-9 5 2
0,6 1 50
10 2 3 Н Н
92
-15
11
2,7 2 3
300
3,4 2 3 Н С
93
-12
10
30
10 2 20
20 2 1 Н С
94
+9 9 1,8
0,2
0,5
50
10 1 2 Н С
95
+15
8
1,1
10
3
100
6,3 2 3 Н Н
96
+12
6
2,4 1 2
300
3,4 2 1 Н Н
97
-9 7 1,2
0,6 1 50
10 1 2 Н Н
98
-15
4
1,0 2 3
100
6,3 3 2 Н Н
99
-9
11
2,7 2 3
300
3,4 2 3 Н С
100
-12
10
3,0
10 2 20
20 2 1 Н С
25
Приложение 2
Рисунок П.2.1 – Семейство выходных ВАХ транзистора 2П201А с каналом
p-типа
Рисунок П.2.2 – Семейство ВАХ транзистора 2П201Д с каналом p-типа
26
Рисунок П.2.3 – Семейство ВАХ транзистора 2П202Д с каналом n-типа
Рисунок П.2.4 – Семейство ВАХ транзистора 2П202Е с каналом n-типа
27
Приложение 3
Семейства ВАХ бескорпусных БТ
Рисунок П.3.1
– Характеристики биполярного транзистора 2Т3
703
-1 со структурой
n-p-
n:
а) входные;
б) выходные
б) выходные.
а)
б)
28
Рисунок П.3.2
– Характеристики биполярного транзистора 2Т3
704
-1 со структур
ой
p-n-p:
а) входные;
б) выходные
а)
б)
29
Приложение 4
Данные о бескорпусных БТ и ПТ
2Т307 – 1
Б
К
Э
0,7
0,7
Б
К
Э
IК = 20 мА
UК = 10 В
2Т370А– 1
Б
К
Э
0,6
0,6
Б
К
Э
IК = 15 мА
UК = 15 В
2Т3703 – 1
Б
К
Э
0,7
0,7
Б
К
Э
IК = 20 мА
UК = 15 В
2Т3704 – 1
Б
К
Э
0,6
0,6
Б
К
Э
IК = 20 мА
UК = 15 В
2Т366Б – 1
Б
К
Э
0,65
0,65
Б
К
Э
IК = 20 мА
UК = 15 В
2П202Е – 1
С
З
И
0,8
0,8
С
И
З
P
С max
= 40 мВт
U
СИ max
= 15 В
2П201Д – 1
1 мм1 мм
С
З
И
С
И
З
P
С max
= 60 мВт
U
СИ max
= 10 В
Рисунок П.4 – Данные о биполярных и полевых транзисторах:
2Т307-1; 2Т370А-1; 2Т3703 – 1; 2Т3704 – 1; 2Т366Б-1; 2П202Е-1;
2П201Д-1
30
Приложение 5
Типовые конфигурации пленочных резисторов и конденсаторов
L
B
1 < К
Ф
10
а)
B
L
К
Ф
< 1
б)
L
B
КФ > 10
в)
L
B
КФ > 10
i
i
LL
г)
Рисунок П.5.1 – Конфигурации пленочных резисторов:
а) прямоугольная полоска, длина больше ширины; б) прямоугольная по-
лоска, длина меньше ширины; в) меандр; г) группа последовательно соединен-
ных полосок
Рисунок П.5.2 – Схематическое изображение тонкопленочного конденсатора:
1 – подложка; 2 – верхний электрод; 3 – диэлектрик; 4 – нижний электрод
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]