Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Башкирский Государственный Аграрный Университет

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

Электропитание устройств и систем телекоммуникаций

.pdf

Скачиваний:

Добавлен:

15.08.2026

Размер:

1 Мб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 23 / 43 4 > Следующая >>>

Iк1 макс(Iс1 макс)= [n21*Iвых макс/(1- макс) + Uвых * макс/2*n21*f*L1]/

2.7.2. Определяем максимальное значение напряжения, приложенное к закрытому транзистору Uкэ макс (Uси макс):

Uкэ1 макс (Uси1 макс)=Uвх. макс + Uвых/n21.

2.7.3. По вычисленным значениям Iк1 макс и Uкэ макс , а также заданной частоте преобразования f из справочника [Л.7] или табл.П2.4…П2.5 (Приложение 1) выбираем транзистор так, чтобы его предельные эксплуатационные параметры удовлетворяли ниже приведенным неравенствам:

Uкэо гр 1,2*Uкэ1 макс; Iк макс Iк1 макс; tсп (0,05…0,1)/f;

Uси макс 1,2*Uси1 макс; Ic макс Ic1 макс .

Для выбранного типа биполярного транзистора из табл.П2.4 или по справочнику определяются значения напряжения коллектор-эмиттер насыщения Uкэ нас и напряжения база-эмиттер насыщения Uбэ нас , а также время включения tвкл и время выключения tвыкл =tсп .

Для выбранного полевого транзистора из табл.П2.5 или по справочнику определяется значение сопротивления сток-исток Rси , а также время включения tвкл и время спада тока стока tсп.

2.7.4.Определяем максимальное значение мощности Рк (Рс), рассеиваемой транзистором:

Рк=n21*Iвых макс*Uкэ нас * макс + 0,5*f*Uкэ1 макс*Iк1 макс*(tвкл+tсп) +Кнас* макс*Uбэ нас*

*Iк1 макс/h21э мин,

где Кнас=1,25 – коэффициент насыщения биполярного транзистора;

Рс=n21*(Iвых макс)2*Rси* макс + 0,5*f*Uси1 макс*Iс1 макс*(tвкл+tсп).

Убеждаемся в возможности использования выбранного транзистора по мощности при заданной температуре окружающей среды tокр из условия

Рк макс 1,2*Рк (Рс макс 1,2*Рс). Если это условие не выполняется, то необходимо предусмотреть параллельное соединение нескольких транзисторов либо выбрать другой тип транзистора.

Расчёт и выбор выходного диода преобразователя.

2.8.1. Определяем максимальное значение обратного напряжения на диоде VD1 UVD1 макс и максимальное значение тока диода VD1 IVD1 макс:

UVD1 макс= n21*Uвх макс + Uвых ;

IVD1 макс=Iк1 макс/n21.

По справочнику [Л.8] или табл.П2.6 (Приложение 1) выбираем тип диода так, чтобы

Uобр 1,2*UVD1 макс и Iпр 1,2*IVD1 макс.

2.8.2. Определяем максимальное значение мощности, рассеиваемой диодом

VD1 PVD1 макс:

PVD1 макс=Uпр*Iвых макс* макс+ f*UVD1 макс*IVD1 макс*tвос/6.

Определение требуемого коэффициента передачи схемы управления

2.8.Исходя из заданного значения нестабильности выходного напряжения, определяем требуемый коэффициент передачи схемы управления

Кос:

Кос= 100* / *Uвых.

2.9.Требования к оформлению задачи №2 контрольной работы.

2.8.1.Пояснительная записка должна содержать:

-исходные данные варианта задачи;

-схему преобразователя;

-результаты расчета трансформатора с указанием типа магнитопровода, чисел витков его обмоток и величины немагнитного зазора;

-результаты расчета и выбора силового транзистора и выходного диода с указанием их параметров;

-результаты расчета и выбора выходного конденсатора;

-значение требуемого коэффициента передачи цепи обратной связи схемы управления.

Примечание: тесты для проверки усвояемости материала по задаче №2 приведены в Приложении 2.

Список литературы

1.Бушуев В.М. и др. Электропитание устройств и систем телекоммуникацмй: Учебное пособие для вузов. Горячая линияТелеком, 2009 -383с.

2.Китаев В.Е. и др. Расчёт источников электропитания устройств связи: Учебное пособие для вузов. Под ред. А.А. Бокуняева.-М.: Радио и связь,1993 –232с.

3.Поликарпов А.Г., Сергиенко Е.Ф. Однотактные преобразователи напряжения в устройствах электропитания РЭА- М.: Радио и связь, 1989, -160с.

4.Сидоров И.Н. др. Малогабаритные магнитопроводы и сердечники. –М.: Радио и связь, 1989. –384с.

5.Михайлова М.М. и др. Магнитомягкие ферриты для радиоэлектронной аппаратуры: Справочник. Под ред. А.Е. Оборонко. - М.: Радио и связь,

1983,-576с.

6.Справочник по электрическим конденсаторам. М.И. Дьяконов и др. Под общей редакцией И.И. Четверткова и В.Ф. Смирнова- М.: Радио и связь, 1983.-576с.

7.Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности. Справочник/ А.А. Зайцев и др. Под ред. А.В. Голомедова.- М.: Радио и связь, 1989.-640с.

8.Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник/ А.Б. Гитцевич и др. ; Под ред. А.В. Голомедо- ва.-М.: Радио и связь, 1988.-528с.

9.Полярные и ВЧ биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги том 3. Справочник/ В.М. Петухов

Москва «кубк-а» 1997. – 672с 10.Биполярные транзисторы средней и большой мощности, низкочастот-

ные и их зарубежные аналоги том 2. Справочник/ В.М. Петухов Москва «кубк-а» 1997. – 544с

11.Воробьев А.Ю. Электроснабжение компьютерных и телекоммуникационных систем.- М.: Эко-Трендз, 2003.- 280 с. и ил.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

Таблица П1.1 Аккумуляторы герметизированные-Sonnenschein A700 (типа OgiV, техноло-

гия dryfit)

Тип ак-	Номинал	Номинальное	Разрядная мощность, Ватт/моноблок (эле-
кумуля-	Ёмкость,	напряжение моно-	мент) при длительности разряда 1 час
тора	А*ч	блока (элемента), В
тора	А*ч	блока (элемента), В	Uк.р. =1.75 В/эл	Uк.р. =1.80 В/эл

А706/21	21	6	67	65

А706/42	42	6	133	129

А706/63	63	6	200	194

А706/84	84	6	267	258

А706/105	105	6	334	323

А706/126	126	6	400	388

А706/140	140	6	458	439

А706/175	175	6	573	548

А706/210	210	6	688	658

А704/245	245	4	535	512

А704/280	280	4	611	585

А702/400	400	2	439	412

А702/500	500	2	543	507

А702/600	600	2	619	578

А702/700	700	2	741	671

А702/980	980	2	995	920

Таблица П1.2 Аккумуляторы герметизированныеSprinter P ( технология AGM)

Тип акку-	Номин.	Номинальное напряже-	Разрядная мощность, Ватт/моноблок
мулятора	ёмкость,	ние моноблока, В	при длительности разряда 1 час
	А*ч
	А*ч		Uк.р. =1.75 В/эл	Uк.р. =1.80 В/эл

P12V570	25	12	180	173

P12V600	27	12	203	193

P12V875	45	12	316	301

P12V1220	55	12	403	386

P12V1575	75	12	516	495

P12V2130	105	12	702	672

P6V1700	165	6	541	524

P6V2030	195	6	693	678

Таблица П.1.3

Тип	Пре-		Выходной		Максим. вы-		Напряжение		КПД
ВБВ	делы		ток, А		ходная		питающей				(cos )
	регул.				мощность,		сети, В
	Uвых ,В					Вт

ВБВ 60/15-3К	54-72		0,75-15		1080		160…290		0,9		0,98

ВБВ 60/25-3К	54-72		1,25-25		1800		176…290		0,92		0,99

ВБВ 48/20-3К	43-56		1-20		1120		176…290		0,9		0,98

ВБВ 48/30-3К	43-56		1,5-30		1680		176…290		0,92		0,99

PMP7-48*	45-56		1-12		672		176…275		0,91		0,99

PMP7-60*	56-70,5		0.5-9		635		176…275		0,92		0,99

PMP11-48*	60-71		1,0-18,5		1100		167…275		0,91		0,99

PMP11-60*	44-56		0,5-23		1100		167…275		0,92		0,99

PMP….* выпрямительные			модули фирмы POWER-ONE (www.power-
one.com)
									Таблица П.1.4

Тип устройства		Пределы		Напряже-		Выходной ток (ток нагруз-				Максималь-
		регулиро-		ние		ки), А				ная выход-
		вания		питающей						ная мощ-
		вания		питающей		Макси-		Минималь-		ная мощ-
		Uвых ,В		сети, В		мальный		ный		ность, Вт

УЭПС-3 48/180-		43-56				180		9		10080
0606
				176…290
УЭПС-3 48/360-		43-56		176…290		360		18		20160
1212

УЭПС-3 60/150-		54-72				150		7,5		10080
0606

УЭПС-3 60/300-		54-72				300		15		20160
1212

УЭПС-3К 48/60-33		43-56				60		3		3360

УЭПС-3К 60/45-33		54-72				45		2,25		3240

PPS7-48-3500		45-56		176…275		60		5		3500
Макс. кол-во мо-
дулей PMP7-48 –
5шт

PPS10-48-6500	44-56	167…275	115	5	6500
Макс. кол-во мо-
дулей PMP7-48 –
5шт

Таблица П2.1 Параметры Ш-образных магнитопроводов для трансформаторов ИВЭП

Тип маг-			Размеры, мм				Sст*Sок	Марка	Sст	Lср
нитопро-	L	lo	l	B	H	h	см4	феррита	см2
вода							см4		см2	мм
Ш5х5	20	5	13	5	10	6,5	0,13	2000НМ1	0,3	43
Ш6х6	24	6	16	6	12	8	0,29	2000НМ1	0,42	53
Ш7х7	30	7	19	7	15	9,5	0,56	3000НМС	0,62	63
Ш8Х8	32	8	23	8	16	11,5	1,2	2500НМС1	0,69	75
Ш10х10	36	10	26	10	18	13	2,08	2000НМ1	1,0	84
Ш12х15	42	12	30	15	21	15	4,86	3000НМС	1,8	97
ШК16х20	54	16	38	20	27	19	13,37	3000НМС	3,2	123
Ш20х28	65	20	44	28	32	22	29,6	2000НМ1	5,6	144

I0 I

					Таблица П2.2
	Данные обмоточных проводов круглого сечения
Сечение	Диаметр	Наружный диаметр проводов с изоляцией, мм
провода, мм2	провода без	ПЭЛ-1	ПЭВ-1	ПЭВ-2		ПБД
	изоляции, мм
0,011539	0,14	0,165	0,165	0,17		-
0,01767	0,15	0,18	0,18	0,19		-
0,02011	0,16	0,19	0,19	0,20		-
0,02270	0,17	0,20	0,20	0,21		-
0,02545	0,18	0,21	0,21	0,22		-
0,02835	0,19	0,22	0,22	0,23		-
0,03142	0,20	0,23	0,23	0,24		-
0,03464	0,21	0,24	0,24	0,25		-
0,04155	0,23	0,27	0,27	0,28		-
0,04909	0,25	0,29	0,29	0,30		-
0,05726	0,27	0,31	0,31	0,32		-
0,06605	0,29	0,33	0,33	0,34		-
0,07548	0,31	0,35	0,35	0,36		-
0,08553	0,33	0,37	0,37	0,38		-
0,09621	0,35	0,39	0,39	0,41		-
0,1134	0,38	0,42	0,42	0,44		0,61
0,1320	0,41	0,45	0,45	0,47		0,64
0,1521	0,44	0,49	0,48	0,50		0,67
0,1735	0,47	0,52	0,51	0,53		0,70
0,1886	0,49	0,54	0,53	0,55		0,72
0,2043	0,51	0,56	0,56	0,58		0,74
0,2206	0,53	0,58	0,58	0,60		0,76
0,2376	0,55	0,60	0,60	0,62		0,78
0,2552	0,57	0,62	0,62	0,64		0,80
0,2734	0,59	0,64	0,64	0,66		0,82
0,3019	0,62	0,67	0,67	0,69		0,85
0,3217	0,64	0,69	0,69	0,72		0,87
0,3562	0,67	0,72	0,72	0,75		0,90
0,3739	0,69	0,74	0,74	0,77		0,92
0,4072	0,72	0,78	0,78	0,80		0,96
0,4301	0,74	0,80	0,80	0,83		0,98
0,4657	0,77	0,83	0,83	0,86		1,01
0,5027	0,80	0,86	0,86	0,89		1,04
0,5411	0,83	0,89	0,89	0,92		1,07
0,5809	0,86	0,92	0,92	0,95		1,14
0,6362	0,90	0,96	0,96	0,99		1,16

0,6792	0,93	0,99	0,99	1,02	1,17
0,7238	0,96	1,02	1,02	1,06	1,20
0,7854	1,00	1,08	1,08	1,11	1,29
0,8495	1,04	1,12	1,12	1,15	1,33
0,9161	1,08	1,16	1,16	1,19	1,37
0,9852	1,12	1,20	1,20	1,23	1,41
1,0568	1,16	1,24	1,24	1,27	1,45
1,1310	1,20	1,28	1,28	1,31	1,49
1,2272	1,25	1,33	1,33	1,36	1,54
1,3270	1,30	1,38	1,38	1,41	1,59
1,4314	1,35	1,43	1,43	1,46	1,64
1,5394	1,40	1,48	1,48	1,51	1,69
1,6513	1,45	1,53	1,53	1,56	1,74
1,7672	1,50	1,58	1,58	1,61	1,79
1,9113	1,56	1,64	1,64	1,67	1,85
2,0612	1,62	1,71	1,70	1,73	1,91
2,2170	1,68	1,77	1,76	1,79	1,98
2,5730	1,81	1,90	1,90	1,93	2,11

				Таблица П2.3
Конденсаторы алюминиевые оксидно-электролитические

		Тип конденсатора
	К50-29		К50-35
Номинальное	Номинальная	Допустимая	Номинальная	Допустимая
напряжение,	ёмкость, мкФ	амплитуда	ёмкость, мкФ	амплитуда
В		пульсации		пульсации
		частоты 50Гц,		частоты 50Гц,
		при Т=+40 С,		при Т=+40 С,
		%		%
16	22;47;100;	30	47;100;220;	35
	220;470;	24	470;1000;	30
	1000;	20	2200	25
	2200;	12
	4700	10
25	10;22;47;	30	100;	35
	100;220;	24	1000;2200	30
	1000;2200	10	-	-
40	-	-	1000	30
63	4,7;10;	16	10;	20
	22;47;100;	12	100;220;	16

	220;	10	470;1000	12
	470;1000	8
100	4,7;10;	16	47;100;	20
	22;47;100	10	470	12
160	2,2;4,7;	16	22;47;	20
	10;22;47	16	100	12
300	4,7;10;	16	-	-
	22	14

Примечание: Для конденсаторов К50-29 и К50-35 допустимые значения переменной составляющей напряжения на частотах свыше 1000Гц вычисляются по формуле Uм f =Uм 50 *(50/f), где Uм 50 –допустимая пульсация на частоте

50Гц.

Таблица П2.4

Параметры биполярных транзисторов

	Номинальное (предельно допустимое) значение				Режим
Параметр	КТ840А	КТ841А	2Т926А	2Т866А	Измерений
Предельно
допусти-
мый ток	6	10	15	20	-
коллекто-
ра,Iк макс, А
Граничное					Iк =0,1А;
напряже-	400	400	150	100	L=25мГн
ние, В
Uкэо гр
Макси-
мальная
мощность,
рассеивае-	60	50	50	30
мая прибо-
ром при
Т=25 С,
Рк макс, Вт
Напряже-	3				Iк=4А; Iб=1,2А
ние насы-				1,5	Iк=10А; Iб =1А
щения		1,6			Iк=5А; Iб=1А
Uкэ нас , В,			1,0		Iк=15А;Iб=2А
не более
Напряже-	1,6				Iк=4А; Iб=2А

ние насы-

1,6

Iк=5А; Iб=1А

щения

1,2

Iк=10А; Iб=1А

Uбэ нас, В,

2,5

Iк=15А;Iб=1,5А

не более

Статиче-

Uкб=5В;Iк=0,6А

ский ко-

Uкб=5В;Iк=5А

эффициент

Uкб=10В;Iк=10А

передачи

Uкэ=7В;Iк=15А

h21 э, не ме-

нее

Время спа-

0,6

Uк=200В; Iк=1А

да импуль-

0,6

Uк=200В;Iк=1А

са тока

0,1

Uк=30В;Iк=10А

коллектора

0,3

Uкэ=100В;Iк=5А

tсп, мкс,

не более

Время

0,08

Uк=200В;Iк=2А

включения

0,3

Uк=200В;Iк=5А

tвкл , мкс

0,45

Uк=30В;Iк=10А

0,2

Uк=100В;Iк=5А

Таблица 2.5

Параметры полевых транзисторов

Номинальное (предельно допустимое) значение

Режим

Параметр

КП809А

КП809Б

КП813А

КП813Б

измере-

ний

Постоянный

9,6А

22А

ток стока,

Iс макс

Постоянное

напряжение

400В

500В

200В

сток-исток

Uси макс

Постоянная

рассеиваемая

мощность

100Вт

125Вт

стока Рс макс,

при Т=+25С

Сопротивле-

0,3 Ом

0,6 Ом

Uзи=20В;

ние сток-

Iс=2А

<<< < Предыдущая 1 23 / 43 4 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]