Методические указания по выполнению контрольной работы по дисциплине «Схемотехника телекоммуникационных устройств». Учебно-методическое пособие
.pdfТаблица П7 – Постоянные резисторы для поверхностного монтажа (SMD)
Тип |
Номинальная |
Диапазон номинальных |
|
Типоразмер |
Ряд |
Допуск |
|
|
мощность, |
сопротивлений |
|
|
|
|
|
|
Вт (типоразмер) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Общего назначения |
|
|
|
|
P1-12 |
0,05 Вт |
|
0Ом, |
|
0201 |
Е24 |
+5 |
|
0,062 Вт |
|
1 Ом – 30 МОм |
|
0402 |
|
|
|
0,1 Вт |
|
|
|
0603 |
|
|
|
0,125 Вт |
|
|
|
0805 |
Е96 |
+1 |
|
0,25 Вт |
|
|
|
1206 |
|
|
|
0,75 Вт |
|
|
|
2010 |
|
|
|
1,0 Вт |
|
|
|
2512 |
|
|
При выборе резистора указывается: тип резистора, его номинал, максимальная рассеиваемая мощность и допустимый разброс параметров. Например: МЛТ 47кОм х 0,125Вт ± 5%.
При выборе конденсатора указывается: тип конденсатора, его номинал, номинальное напряжение и допустимый разброс параметров. Например: КМ-4 270пФ 160В ± 10%.
В таблицах П8 – П11 приведены типы наиболее употребительных емкостей.
31
Таблица П8 – Конденсаторы керамические низковольтные выводные
Тип |
Номинальное |
Диапазон |
Группа |
Допуск |
Тип |
Номинальное |
Диапазон |
Группа |
Допуск |
|
напряжение, |
номинальных |
ТКЕ |
% |
|
напряжение, |
номинальных |
ТКЕ |
% |
|
В |
емкостей, пФ |
|
(Ряд) |
|
В |
емкостей, пФ |
|
(Ряд) |
КМ-4 |
250, 160 |
16…510 |
П33 |
+5; +10; |
КМ-5 |
160, 100 |
16…680 |
П33 |
+5; +10; |
|
|
56…1 200 |
МП0 |
+20 |
|
|
68…1 600 |
МП0 |
+20 |
|
|
27…510 |
М47 |
(Е24) |
|
|
27…680 |
М47 |
(Е24) |
|
|
41…1 000 |
М75 |
|
|
|
47…1 300 |
М75 |
|
|
|
68…1 800 |
М750 |
|
|
|
68…2 700 |
М750 |
|
|
|
150…3 600 |
М1500 |
|
|
|
150…5 600 |
М1500 |
|
|
|
1 500…470 000 |
Н30 |
|
|
160, 70 |
1 500…68 000 |
Н30 |
|
КМ-6 |
50 |
120…5 100 |
П33 |
+5; +10; |
К10-17 |
25, 50 |
2,2…10 000 |
П33 |
+5; +10; |
|
|
120…6 200 |
М47 |
+20 |
|
|
2,2…12 000 |
М47 |
+20 |
|
|
180…5 610 |
М75 |
(Е24) |
|
|
10…15 000 |
М75 |
(Е24) |
|
|
470…10 000 |
М750 |
|
|
|
75…39 000 |
М750 |
|
|
|
820…1 800 |
М1500 |
|
|
|
680…470 000 |
М1500 |
+80 |
|
25 |
10 |
Н30 |
|
|
25, 40 |
2 200…2 200 000 |
Н90 |
–20 |
|
|
000…150 000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
50 |
10 |
Н50 |
|
|
|
|
|
|
|
|
000…150 000 |
|
|
|
|
|
|
|
К10-47 |
500, 250, 160 |
10…100 000 |
МП0 |
+5; +10; |
К10-50 |
25 |
1 100…30 000 |
МП0 |
+5; +10; |
|
|
|
|
+20 |
|
|
|
|
+20 |
|
|
|
|
(Е12) |
|
|
|
|
(Е24) |
|
500, 250 |
1 000…2 200 |
Н30 |
+20 |
|
10 |
22 000…3 300 |
Н90 |
+80…– |
|
100, 50, 25 |
000 |
|
(Е12) |
|
|
000 |
|
20 (Е6) |
|
|
1 000 000… |
Н90 |
+80…– |
|
|
|
|
|
|
|
6 800 000 |
|
20 (Е6) |
|
|
|
|
|
32
Таблица П9 – Конденсаторы выводные полиэтилентерефталатные низковольтные
Тип |
Номинальное |
Диапазон |
|
Ряд |
Допуск |
Тип |
Номинальное |
Диапазон |
Ряд |
Допуск |
|
напряжение, |
номинальных |
|
|
% |
|
напряжение, |
номинальных |
|
% |
|
В |
емкостей, мкФ |
|
|
|
|
В |
емкостей, мкФ |
|
|
К73-5 |
250 |
0,001…0,22 |
|
Е6 |
+5; +10; +20 |
К73-16 |
63 |
0,1…22 |
Е6 |
+5; +10; |
К73-11 |
63 |
0,1…22 |
|
|
|
|
100 |
0,1…12 |
|
+20 |
|
160 |
0,068…6,8 |
|
|
|
|
160 |
0,047…6,8 |
|
|
|
250 |
0,047…2,2 |
|
|
|
|
250 |
0,047…10 |
|
|
|
400 |
0,022…1 |
|
|
|
|
400 |
0,022…1 |
|
|
|
630 |
0,001…0,47 |
|
|
|
|
630 |
0,01…0,47 |
|
|
Таблица П10 – Конденсаторы с оксидным диэлектриком выводные |
|
|
|
|
||||||
Тип |
Номинальное |
Диапазон |
|
Ряд |
Допуск |
Тип |
Номинальное |
Диапазон |
Ряд |
Допуск |
|
напряжение, |
номинальных |
|
|
% |
|
напряжение, |
номинальных |
|
% |
|
В |
емкостей, мкФ |
|
|
|
|
В |
емкостей, мкФ |
|
|
|
|
|
Алюминиевые оксидно-электролитические |
|
|
|
||||
К50-35 |
6,3 |
4,7…1000 |
|
Е6 |
+80…-20 |
К50-24 |
6,3 |
220…10000 |
Е3 |
+50…-20 |
|
10 |
1…4700 |
|
|
|
|
10 |
47…10000 |
|
|
|
16 |
1…4700 |
|
|
|
|
16 |
22…4700 |
|
|
|
25 |
1…10000 |
|
|
|
|
25 |
100…2200 |
|
|
|
50 |
1…4700 |
|
|
|
|
50 |
10…2200 |
|
|
|
100 |
1…100 |
|
|
|
|
100 |
4,7…220 |
|
|
|
160 |
1…47 |
|
|
|
|
160 |
2,2…220 |
|
|
|
|
|
|
|
Оксидно-полупроводниковые |
|
|
|
||
К53-1 |
6, 6,3 |
0,1…100 |
|
Е6 |
+10; +20; |
К53-4А |
6,3 |
0,68…330 |
Е6 |
+10; +20; |
|
10 |
0,1…68 |
|
|
+30 |
|
16 |
0,47…220 |
|
+30 |
|
16 |
0,068…68 |
|
|
|
|
20 |
1…47 |
|
|
|
20 |
0,047…47 |
|
|
|
|
30 |
0,47…33 |
|
|
|
30 |
0,033…33 |
|
|
|
|
40 |
0,1…10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
50 |
0,1…6,8 |
|
|
|
|
|
|
|
33 |
|
|
|
|
|
Таблица П11 – Конденсаторы для поверхностного монтажа (SMD). Тип К10-50в
|
|
|
|
|
Ряд значений номинальной емкости |
Допускаемое отклонение емкости, % |
|
||||||||
Группа по температурной |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
стабильности |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
МП0 |
|
|
|
Е24 |
|
|
|
|
±5; ±10; ±20 |
|
|
|
|||
Н20 |
|
|
|
Е12 |
|
|
|
|
±10; ±20; +50/-20 |
|
|
|
|||
Н50 |
|
|
|
Е6 |
|
|
|
|
+50/-20 |
|
|
|
|||
Н90 |
|
|
|
|
|
|
|
|
+80/-20; +100/-10 |
|
|
|
|||
Номинальное напряжение |
|
|
|
|
|
|
25 В |
|
|
|
|
||||
МП0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
16; 25 В |
|
|
|
|||
Н20 |
|
|
|
|
|
|
|
|
16 В |
|
|
|
|
||
Н50, Н90 |
|
|
|
|
|
|
|
|
16 В |
|
|
|
|
||
Интервал рабочих температур: |
|
|
|
|
|
|
-60/+125 ºС |
|
|
|
|||||
МП0, Н20, Н50 |
|
|
|
|
|
|
|
-60/+85 ºС |
|
|
|
||||
Н90 |
|
|
|
|
|
|
|
|
80 % при 25 ºС |
|
|
|
|||
Пример обозначения: К10-50в-МП0-9100пФ ±10%; К10-50в-Н50-0,68мкФ; К10-50в-Н50-0,68мкФ |
|
|
|
||||||||||||
Таблица П12 – Конденсаторы для поверхностного монтажа (SMD) оксидно-полупроводниковые |
|
|
|
||||||||||||
Тип |
|
Номинальное |
Диапазон |
|
Ряд |
Допуск |
|
Тип |
Номинальное |
|
Диапазон |
Ряд |
Допуск |
|
|
|
|
напряжение, |
номинальных |
|
|
% |
|
|
напряжение, |
|
номинальных |
|
% |
|
|
|
|
В |
емкостей, мкФ |
|
|
|
|
|
В |
|
емкостей, мкФ |
|
|
|
|
К53-65 |
|
6,3 |
2,2…470 |
|
Е6 |
+/-10 |
|
К53-69 |
6,3 |
|
|
0,47…470 |
Е6 |
+/-5 |
|
|
|
10 |
1,5…220 |
|
|
+/-20 |
|
|
10 |
|
|
0,47…220 |
|
+/-10 |
|
|
|
16 |
1…150 |
|
|
|
|
|
16 |
|
|
0,47…150 |
|
+/-20 |
|
|
|
20 |
0,68…100 |
|
|
|
|
|
25 |
|
|
0,47…33 |
|
+/-30 |
|
|
|
32 |
0,33…22 |
|
|
|
|
|
32 |
|
|
0,47…22 |
|
|
|
|
|
40 |
0,22…6,8 |
|
|
|
|
|
40 |
|
|
0,47…6,8 |
|
|
|
|
|
50 |
0,1…6,8 |
|
|
|
|
|
50 |
|
|
0,47…6,8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
34 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Литература
1. Архипов С.Н., Шушнов М.С. Практикум по аналоговой схемотехнике устройств телекоммуникаций: учеб. пособие. – Новосибирск: СибГУТИ, 2014. – 154 с.
2. Травин Г.А. Основы схемотехники устройств радиосвязи, радиовещания и телевидения : Учеб. пособие для вузов. – 2-е изд., испр. – М.:
Горячая линия – Телеком, 2009. – 592 с. |
|
|
||
3. Травин Г.А. |
Основы |
схемотехники |
устройств |
радиосвязи, |
радиовещания и телевидения : Учеб. пособие. – М.: Высшая школа, 2007. –
606 с.
4. Павлов В.Н., Ногин В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств. – 2-е изд., испр. – М.: Горячая линия – Телеком, 2001. – 320 с.
5.Цыкин Г.С. Усилительные устройства : Учебник для вузов. – М.: Связь,
1971. – 368 с.
6.Остапенко Г.С. Усилительные устройства : Учеб. пособие для вузов. – М.: Радио и связь, 1989. – 400 с.
35
Учебное издание
Шушнов Максим Сергеевич
Методические указания по выполнению контрольной работы по дисциплине
«Схемотехника телекоммуникационных устройств»
Корректор А.Р. Шерстнёва
Электронное издание. Рекомендовано к публикации Редакционно-издательским советом СибГУТИ, протокол № 4 от 17 декабря 2024 г.
36