цифровые устройства / лекции / 04_Режимы работы БТ_2025
.pdf
3. Режим глубокой отсечки
Этому режиму соответствует самая нижняя выходная характеристика транзистора. В этом режиме транзистор надежно заперт (это рекомендуемый режим запирания).
Для перевода транзистора в режим глубокой отсечки (выключения) нужно на базу транзистора подать запирающее напряжение от внешнего источника, при этом оба перехода смещаются в обратном
Область направлении.
режима
насыщения
Область режима отсечки
Схема замещения транзистора в режиме
Полярность напряжений глубокой отсечки на переходах транзистора
На нагрузочной прямой этому режиму соответствует точка D. Базовый ток равен обратному току Iб = (-)Iк0; Iк = Iк0;
Iэ = Iб+Iк=Iк0-Iк0=0. Цепь эмиттера разорвана.
При изображении схемы замещения:
•используется схема замещения в режиме глубокой отсечки, причем конфигурация схемы сохраняется
•ставятся точки выводов (Б, К, Э)
•указывается стрелка положительного напряжения Uбэ
Условие нахождения транзистора в режиме глубокой отсечки
Uбэ 0 - для n-p-n Uбэ 0 - для p-n-p
11
Условие нахождения транзистора в режиме глубокой отсечки: Uбэ 0 - для n-p-n транзистора
Методом наложения определяем напряжение на эмиттерном переходе транзистора.
|
1. |
От источника Eб: |
|
|
|
|
|
Uбэ1 = (-)Еб; |
|
|
2. |
От источника Iк0: |
|
|
|
|
|
Uбэ2 = Iк0 Rб; |
|
|
3. |
От источника Ек: Uбэ = 0. |
|
|
Использование схемы замещения |
|
UБЭ = UБЭ1 +UБЭ2 +UБЭ3 = IК0 RБ − EБ |
||
|
|
|
|
|
транзистора в глубокой отсечки |
Поскольку Eб |
Iк0 Rб , то Uбэ |
(−)Eб |
|
|
||||
Тепловой ток Iк0 дает составляющую Uбэ с полярностью прямой для ЭП.
Видно, что Uбэ в общем случае зависит от соотношения 2-х составляющих разного знака => данное напряжение можно менять, изменяя Eб и Rб. В частности, если Rб , то Uбэ (при Eб = const), тоже самое происходит с Eб (при Iк0 = const). В этом случае р.т. перемещается из т. D в т. А (последняя точка в области запирания).
точка соответствует режиму с оторванной базой Rб → . Режим с оторванной базой является запрещенным.
Задание: определить Uкэ в данной схеме
12
Задания для самопроверки
1.Используя УГО биполярного транзистора (n-p-n, p-n-p), укажите полярности напряжений на переходах в активном режиме, режимах насыщения и отсечки.
2.На ВАХ биполярного транзистора покажите области, соответствующие его режимам работы.
3.На ВАХ транзистора покажите напряжение коллектора насыщения.
4.Что понимают под физическим критерием наступления границы насыщения? Что необходимо сделать, чтобы вывести транзистор на границу насыщения и активного режима?
5.Поясните физический смысл терминов: ток коллектора насыщения, ток базы насыщения. Как они определяются?
6.Нарисуйте схемы замещения биполярного транзистора (n-p-n, p-n-p) в активном режиме (на постоянном токе), режимах насыщения и отсечки.
7.Почему при выполнении критерия (условия) насыщения коллекторный переход смещается в прямом направлении?
8.Запишите токовый критерий (условие) насыщения. Что показывает степень насыщения? насыщения.
9.Каковы условия запирания биполярного транзистора (n-p-n, p-n-p)?
10.Что необходимо сделать, чтобы поставить транзистор в активный режим, режим насыщения и отсечки?
Все задания уметь выполнять без обращения к конспекту лекций и другим источникам!
13