2. ГИС / расчёт
.docxМинистерство цифрового развития и массовых коммуникаций РФ
Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«Московский технический университет связи и информатики»
Кафедра "Электроника"
Лабораторная работа по дисциплине "Основы конструирования и технологии производства электронных средств"
"Исследование параметров пассивных элементов гибридных интегральных микросхем"
Выполнил:
Студент группы
Вариант 1
Проверил:
Аристархов Г. М.
Москва 2026
Цель работы
Ознакомление с конструктивно-технологическими особенностями и параметрами пленочных элементов гибридных интегральных микросхем (ИС).
Исходные данные
|
R, кОм; С, пФ |
ɣR; ɣC |
P, мВт |
Uраб, В |
R1 |
15 |
0,12 |
0,3 |
|
R2 |
10 |
0,15 |
0,5 |
|
R3 |
2 |
0,08 |
20 |
|
R4 |
0,4 |
0,08 |
1 |
|
C1 |
1000 |
0,2 |
|
15 |
Диапазон температур ΔT=100°C
Шаг координатной сетки = 0,01 мм
Ход работы
Расчёт R
Материал – Кермет
Расчёт R1
R, кОм; |
ɣR; |
P, мВт |
15 |
0,12 |
0,3 |
Расчёт R2
R, кОм; |
ɣR; |
P, мВт |
10 |
0,15 |
0,5 |
Расчёт R3
R, кОм; |
ɣR; |
P, мВт |
2 |
0,08 |
20 |
Расчёт R4
R, кОм; |
ɣR; |
P, мВт |
0,4 |
0,08 |
1 |
Расчёт C1
С, пФ |
ɣC |
Uраб, В |
1000 |
0,2 |
15 |
Материал – SiO
Удовлетворяет
условию
Выбираем форму конденсатора
Размеры верхней обкладки:
Размеры нижней обкладки:
Результат
R |
l, мкм |
b, мкм |
|
R1 |
1000 |
200 |
|
R2 |
500 |
150 |
|
R3 |
900 |
1350 |
|
R4 |
400 |
3000 |
|
C1 |
|||
A=B, мкм |
2750 |
||
Aн=Bн, мкм |
3150 |
||