Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

МиКЭТ Экз билеты (каравашкина ставит автомат, если сдал все лабы, рефераты и был активным)

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
05.06.2026
Размер:
4.4 Mб
Скачать

Сопротивления Rзи и Rзc определяются сопротивлением диэлектрика затвора относительно истока и стока. Rпи и Rпс - сопротивления при обратном включении р-п-переходов истока и стока; Спи и Спс - барьерные емкости тех же переходов, которые обычно составляют десятые доли пФ; Сзи и Сзс - емкости перекрытия Спер металлического электрода затвора относительно областей истока и стока, показанные на рис. 6.10. Помимо емкости перекрытия, емкость Си часто включает и емкость затвор-канал (Сзк), т. е. Сзи = Сзк пер; rc - сопротивление канала.

43.​ Работа диодов и транзисторов в диапазоне высоких частот. Диоды:

1)​ Выпрямительные диоды – на высоких частотах не успевают переключаться из-за времени восстановления обратного сопротивления. Применяются специальные быстровосстанавливающиеся диоды. (Диоды этого типа используются в детекторах, смесителях, преобразователях частоты, ограничителях)

2)​ Варикапы – используются в качестве управляемых емкостей в перестраиваемых фильтрах и генераторах. Параметры: добротность, диапазон перестройки емкости.

3)​ Диоды СВЧ-диапазона (туннельные диоды, диоды Ганна, лавинно-пролетные диоды) – работают на эффектах, имеющих малую инерционность (туннельный эффект, генерация доменов сильного поля).

61

Транзисторы: ​

На очень высоких частотах и в СВЧ-диапазоне из-за влияния паразитных емкостей транзистора трудно осуществить режим холостого хода для переменных сигналов, что ограничивает применение h-параметров.

1)​ Биполярные транзисторы - на высоких частотах время процессов, протекающих в транзисторе и вызванных изменением входного сигнала, соизмеримо с его периодом. На высоких частотах происходит уменьшение коэффициента усиления и появляется фазовый сдвиг между напряжением и током, что приводит к изменению выходного импеданса, который становится комплексным, а на очень высоких частотах - чисто реактивным. (на высоких частотах усиливает хуева)

2)​ Полевые транзисторы - на ВЧ внутренние емкости (паразитарные) значительно влияют на полезный сигнал, из-за чего снижается быстродействие и эффективность усиления. Также, возникающая обратная связь по напряжению может на высоких частотах привести к самовозбуждению усилительного каскада, частью которого является полевой транзистор.

62