1. Как и почему на толщину р-n перехода влияет концентрация примесей?
Концентрация примесей влияет на толщину р-n перехода, так как она определяет ширину обедненной области, то есть слоя, где почти нет свободных носителей заряда. Чем выше концентрация примесей, тем более узким будет этот слой. Это происходит из-за того, что более высокая концентрация примесных атомов означает больше ионизированных зарядов, которые создают электрическое поле
2. Как и почему на напряжение пробоя р-n перехода влияет концентрация примесей?
Концентрация примесей влияет на напряжение пробоя p-n перехода, потому что она определяет ширину обедненной области. Чем выше концентрация, тем меньше ширина этой области и, следовательно, тем выше напряженность электрического поля при одном и том же обратном напряжении. При этом, как следствие более высокого электрического поля, происходит пробой при меньших значениях напряжения
3. Как и почему на барьерную ёмкость р-n перехода влияет концентрация примесей?
ОПЗ p-n перехода это потенциальный барьер, содержащий объемный заряд. Он является эквивалентом конденсатора и обладает барьерной емкостью.
4. Как и почему на контактную разность потенциалов р-n перехода влияет концентрация примесей?
Собственное электрическое поле p-n перехода характеризуют контактной разностью потенциалов фиk0
5. Как и почему на тепловой ток р-n перехода влияет концентрация примесей?
Более высокая концентрация примесей создает более узкую обедненную область, что приводит к более высокому барьерному потенциалу и, как следствие, к меньшему тепловому току
6. Объяснить, почему на практике чаще используются асимметричные p-n переходы?
От толщины р-n перехода зависит напряженность поля при обратном напряжении E =~ Uобр/w. Если напряженность превышает критическую Eкр, возникает пробой. Поэтому толщина p-n перехода определяет напряжение пробоя, для увеличения которого одну из областей – базу делают слаболегированной
7. Объяснить, чем ограничена максимальная концентрация примеси в реальном р-n переходе?
8. Объяснить, чем ограничена минимальная концентрация примеси в реальном р-n переходе?
Слишком низкая концентрация приведет к излишне широкой обедненной области(--> высокая барьерная емкость), что нежелательно
9. Как и почему на контактную разность потенциалов р-n перехода влияет выбор материала полупроводника?
10. Как и почему на тепловой ток р-n перехода влияет выбор материала полупроводника?
11. Как влияет степень химической чистоты поверхности полупроводника на обратный ток p-n перехода?
12. Чем обусловлен выбор материала, из которого изготавливают выпрямляющие контакты?
13. Почему выпрямляющие переходы стараются изготавливать из полупроводников, содержащих как можно меньше посторонних примесей?