Литература / МТУСИ ФИЗОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
.pdf-уменьшением температуры электронных устройств или их частей (иногда применяется);
-применением в электронных устройствах элементов с минимальным сопротивлением (применяется);
-уменьшением полосы пропускания канала связи Δf.
Последнее находится в противоречии с потребностью в широкополосных каналах связи, обеспечивающих бóльшую скорость передачи информации (например, широкополосный интернет). Однако в узкополосных, «медленных» каналах достигается лучшее отношение сигнал/шум. Именно поэтому одно фото с далёкой космической станции может предаваться в течение многих часов.
Дробовый шум возникает при протекании тока в различных объектах – транзисторах, диодах, электронных лампах. Так, количество носителей в каждую единицу времени, пресекающих открытый m-n, p-n переход или пространство между анодом и катодом всегда неодинаково. Отличие может быть очень небольшим, может быть, всего на несколько электронов больше или меньше. Тем не менее, это означает, что ток в таких объектах флуктуирует, т.е. имеет дробовую шумовую составляющую iш.д.
Строго говоря, из-за наличия флуктуаций, постоянные токи в электронных элементах невозможны даже при постоянных напряжениях.
Временные диаграммы и подход к количественной оценке дробового шума аналогичны тем, что относятся к тепловому шуму. Среднеквадратичный дробовый шумовой ток вычисляется по формуле:
iш.д2 = 2qIΔf |
(59) |
Здесь q – элементарный заряд, I – ток в объекте.
Уменьшение дробового шума путем уменьшения токов транзисторов сопровождается уменьшением их усиления и возможно только в некоторых пределах. Поэтому, как и в случае теплового шума, главным способом уменьшения проявлений дробового шума является уменьшение Δf.
При компьютерном моделировании шумовых процессов в электронных схемах ко всем сопротивлениям последовательно с ними подключаются источники шумового напряжения. Ко всем контактам (переходам), в которых протекает ток, параллельно подключаются источники шумового тока [1, 5, 6].
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1.Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника / Под ред. Н.Д. Фёдорова. – М.,Радио и связь, 1998.
2.Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М., Сов. радио,1980. – 423 с.
71
3.Николотов В. И. Физические основы электроники: Учебное Пособие. – М.: Инсвязьиздат, 2003. –91 с.
4.Власов В.П., Каравашкина В.Н. Практикум по курсу «Физические основы электроники» 2015г.
5.Смирнов Ю.А., Соколов С.В., Титов Е.В., Физические основы электроники: Учебное пособие для вузов. – СПб.: Лань, 2013. – 599с.
6.Шишкин Г.Г., Шишкин А. Г., Электроника. Учебник для вузов. – М.: Дрофа, 2009. – 704с.
72
